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在利用SIwave做频率扫描的问题

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发表于 2011-3-22 15:41 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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在利用SIwave做频率扫描的时候,据说Vsoure激励源应该放在实际电流输入端,Vprobe放在芯片电压PIN附近.我个人认为应该相反搁置,理由是:芯片才是电源平面噪声的主要来源,有没人同意我的说法?
) p( A. L8 s7 Z7 ?) q
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发表于 2011-3-22 16:15 | 只看该作者
从你的问题看你是用siwave做PI!
7 @" q8 L8 n6 Y3 R) T) B. J4 D' U4 t: a
如果是这样的话.用siwave做PI的话一般从2个方面开始做) ~/ r3 d; w1 \
1.是谐振分析6 |0 [3 l% w0 v0 Q) Y
2.是阻抗分析.
+ M) B8 b, ?% H+ a' Y1 B7 ?) G+ A& T' q
还有你指出的是电源平面一般是信号的噪声源,我们一般从字面上理解没问题.
; K0 |' h+ N; f; l但实际上电源平面除了有自生无法消除的ripple.还有高速数字信号的跳变引起的SSN等.2 b$ M" M' P2 m9 e+ K' u: |8 _
这些都是构成电源平面不完整的主要因素.并且都是由外部因素引起的.
1 {- R: }2 Q4 S$ }1 E8 Z4 p* ^7 J: o

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发表于 2011-3-23 09:59 | 只看该作者
频率扫描是为了观察该激励源对系统其他部分的耦合,所以激励源应放置在板子上可能是干扰源的地方,Vprobe要放置在你想要观察的地方,也就是干扰源可能干扰到的敏感区域。激励源可以是电压源,也可以是电流源。通常我们使用电流源模拟IC芯片工作,作为一个激励源。
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