【求助】双SDRAM地址数据线分叉以后阻抗要改到60欧么？

922neo

( v1 n* Z+ V3 G# u$ Z$ \
如题；看到有这个说法：单线阻抗控制在50ohm，对于地址和控制信号，分叉点到两SDRAM（可能的情况下）的阻抗控制在60-65ohm，以确保阻抗的连续。

2 ^, Y+ B5 g' j' e: G! {- |5 v请问这个阻值是如何得出的?

5 c5 f/ e2 ~4 o8 D* Z  [+ I谢谢！

joshuafu

从不同方向看，目的是保持阻抗的连续性，只是理论分析应该这样比较好，实际上很少有人这么做，因为很困难，也似乎没这个必要。

袁荣盛

其实理想的情况是控制到100左右
( U! s! p! L. C  _& A; \但100ohm的阻抗工艺上实现可能有点困难
0 T: @: v) k" `: U0 R所以就比50ohm稍大些
但的确很少人去这么做，因为只要控制下T点到分支的这段线的长度就可以了