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ddr2的clk能不能变换参考平面?

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发表于 2009-11-14 11:37 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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比如从bottom直接换到top?6层,低层参考品面gnd,顶层power.
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发表于 2009-11-14 17:17 | 只看该作者
能不換最好是不換,非換不可,就要注意兩條同時換,保持走線幾何平衡。

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发表于 2009-11-24 14:42 | 只看该作者

顶个

哈O(∩_∩)O# K3 p( o9 i% F% t% W

  z$ x- J  U2 l, o潜力贴顶个哟' ]7 I, y' T4 W' x$ U- s
  G5 K, U' U! M' R3 y* @
' w8 Y" D0 D5 ]' R

& {7 v! I! \$ _  U2 V  ~
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  [* p, ^- b/ W- D& M1 {9 y. {0 w! I( O2 @6 ~* T5 C
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1 z$ q  O: a% X) @: Y8 s, {3 `
. w( M, R4 F' V! j2 E8 o* F

% u+ V5 r& _$ m; w: [. @# d
! i) J! [6 O0 ]) [% z/ o别和我谈理想,戒了!安必信第四区女装d1优尚网乐友网芬理希梦

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发表于 2009-11-24 19:59 | 只看该作者
最好还是不要换的好- ^# y, r, E  ]% r6 h
DDR2 的Clock SI 要求比较高,还是用地做参考层比较保险

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发表于 2009-11-26 02:18 | 只看该作者
学习一下

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发表于 2010-8-14 10:50 | 只看该作者
有的人也说把CLK放到中间层走线,EMI方面会好些,到底怎么样做更合适呢

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发表于 2010-8-15 10:33 | 只看该作者
能不換最好是不換,非換不可,就要注意兩條同時換,保持走線幾何平衡。  R( ~) j) Y) J1 H
honejing 发表于 2009-11-14 17:17
( @% f+ N9 z, x- x

5 P. Z/ t/ Z. Y/ a% {+ y支持!7 \+ y% u4 ]+ Z

; w5 l$ J. R. w; w1 S5 m% Z4 a如果设计者的实际情况要考虑EMI的话,布在内层对EMI的抑制是会好点!

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发表于 2010-8-16 18:48 | 只看该作者
回复 7# shark4685
- g4 z! {8 M* q) z7 x; w% |) D* Z; t  _# O4 r7 d0 n

& S0 B  j; \% y) t    只要两条线同时换层 有一样的参考平面,应该没问题的吧
I can play

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发表于 2011-8-1 14:34 | 只看该作者
xlfu 发表于 2010-8-14 10:50 3 Y, v1 p% V5 N8 \) Y
有的人也说把CLK放到中间层走线,EMI方面会好些,到底怎么样做更合适呢

& [, _( r; R, H/ M- m+ D. E' O( p各位大虾,clock一般是在哪层走线呢???求解释
2 w5 B1 U2 R) ^9 s

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发表于 2011-8-5 14:06 | 只看该作者
CLK要放到中间层走线,EMI肯定会好很多,放在top或bottom,虽然EMI测试也会过,但是波形会很难看,建议放在内层。

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发表于 2011-10-18 16:50 | 只看该作者
放在中间层比较好。。。

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发表于 2011-10-18 17:38 | 只看该作者
honejing 发表于 2009-11-14 17:17
! J; {" b' M# V. W' |2 h1 l能不換最好是不換,非換不可,就要注意兩條同時換,保持走線幾何平衡。

8 h5 h. Q0 M3 n$ L6 y$ T# B参考平地到电源的转变,在换层处加颗power的去耦C,连通回流路经。这样会不会更好

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发表于 2011-10-19 17:43 | 只看该作者
如果电源层为DDR2的电源则问题不大,只是注意在换层过孔附近打一些地孔以利信号完整性就可以了!!!

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发表于 2011-10-26 19:21 | 只看该作者
换层会导致返回路径的不连续,以及由于过孔引起的特性阻抗变化。- a* B5 M9 e. h% ^, Y5 l' Y
中间层相比于外层有更好的效果。简单理解中间层起码两个电源或地平面夹着,而外层却有一半是裸露的。

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发表于 2011-10-27 12:34 | 只看该作者
见过一些芯片手册还要求参考自己的电源平面而不是地平面呢,clk不到万不得就别换,换也得在边上搁个适当大小的电容提供回流路径,否则,速度高点的话,出问题,有得折腾呢,另外,对于走线来讲,总得有优先级吧,重要线肯定先走才是,事先肯定也是要先规划好才对
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