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请教下大家,MOS管的ID和IDSM区别

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发表于 2018-6-27 00:22 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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有些芯片资料里没有IDSM这项,有些有。而且字面上看这两个是同样的意思,但数值差别很大。具体IDSM有什么意义?跟ID的区别是什么?请教各位高手。谢谢!!!% S  O% B. A% b+ N0 p  c" {

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发表于 2018-6-27 00:33 | 只看该作者
ID(on)---通态漏极电流 ;
8 C9 @( D" B2 T7 p# Y# V% DIDSM---最大漏源电流

点评

感谢大神。多问一句,在管子D和S导通状态下,考虑通过D和S的电流的极限值应该参考ID而不是IDSM吧?望赐教。多谢  详情 回复 发表于 2018-6-27 10:53

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 楼主| 发表于 2018-6-27 10:53 | 只看该作者
MaxEnding 发表于 2018-6-27 00:33* ]5 Z4 G0 R' c- c0 R8 F3 i
ID(on)---通态漏极电流 ; : {7 q/ i2 c( I( B
IDSM---最大漏源电流
, ~7 U6 I( n5 m7 K  }" I2 f- m- M
感谢大神。多问一句,在管子D和S导通状态下,考虑通过D和S的电流的极限值应该参考ID而不是IDSM吧?望赐教。多谢0 b) S$ v: ]2 [7 ?$ `8 j; A
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