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请教下大家,MOS管的ID和IDSM区别

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发表于 2018-6-27 00:22 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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有些芯片资料里没有IDSM这项,有些有。而且字面上看这两个是同样的意思,但数值差别很大。具体IDSM有什么意义?跟ID的区别是什么?请教各位高手。谢谢!!!7 }* B  p% O' w' L3 L) y

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发表于 2018-6-27 00:33 | 只看该作者
ID(on)---通态漏极电流 ; 4 t: E; B( z- B
IDSM---最大漏源电流

点评

感谢大神。多问一句,在管子D和S导通状态下,考虑通过D和S的电流的极限值应该参考ID而不是IDSM吧?望赐教。多谢  详情 回复 发表于 2018-6-27 10:53

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 楼主| 发表于 2018-6-27 10:53 | 只看该作者
MaxEnding 发表于 2018-6-27 00:33
9 g0 S  e6 `. [$ ~/ v) a* _0 sID(on)---通态漏极电流 ;
0 V# |# W+ z% S4 c) sIDSM---最大漏源电流
/ g: R; ^. W4 R- T
感谢大神。多问一句,在管子D和S导通状态下,考虑通过D和S的电流的极限值应该参考ID而不是IDSM吧?望赐教。多谢( B2 l$ Q) D# D" c
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