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本帖最后由 Quantum_ 于 2018-6-25 21:19 编辑
: P1 z9 V5 X7 _5 {3 O% l$ }
; N* M) O) T; M/ i/ Z' @% m1. 第一次, 阅读SI 报告, 有如下几个问题.
7 b3 P! o5 x' t5 w- D( f a. 如图所示, 其中的1T, or 2T 是什么意思. (*本人不是SI 专业)
) N6 F- q0 p. ?: L+ I b. 图片2中, 所示的时间261ps 是指什么时间.
6 q; E& X! X- a: P% p/ q c. 为何图片3中的worst case 不是261, 而是324 ps?
/ w. i6 }6 v3 |8 ]) h9 `, e( }2. 通常, DDR SI 的目的是什么, 主要有哪些参数或者指标? (这里指后仿, 即PCB走线已经完成): D3 i, n* V2 E( H) F; a
7 G. P2 M! A' h$ m1 |* u3. 图片所示的Fail, 是哪个/哪些因素引起的? 该如何改进?( n9 S& V% b0 E9 e9 s, d- x
a. 是走线长度有问题吗? 长了, 还是短了?
, X8 k( Y2 m+ _9 B$ ^* w b. 可是, 我查看长度表格, 却是正常的范围.. f% a+ D- {* ]/ p) A4 [8 Z
c. 另外, 如果是长度有问题, 为何U13, U14 (Fly-by在u12之后)的2个devices 却又没有问题.4 I. Z. ]6 \. n d. Y) b
+ L2 ~- c) A- }7 a0 L' c以上,谢谢!3 w; H# Q% O4 X, w
& F9 [" D2 G! r# t0 U3 ~' C$ c
! U- w U6 c% h
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发表于 2018-6-25 21:18
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