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stm32l0内部EEPROM和FLASH程序访问方法一样
( B& Z3 v% g& J" n% f8 }- t* n它们的共同点：# ^% g! j& V0 P& n- a4 Q2 b
1，统一排地址：但地址不一样9 M( e* O! W' ] n0 X
2，编程方法和的函数一样
% x( i# k7 B# N9 P% U4 _1，先HAL_FLASH_Unlock();开锁写7 X9 r9 D5 Y, B* O Z2 Y8 \
2，Write_eeprom_int32(uint16_t addr,uint32_t data32)；写
/ Y) G8 Z2 T% L: j其实是调用HAL_FLASH_Program(TYPEPROGRAM_WORD, EEPROM_START_ADDR+addr, data32)；
/ g0 `# G7 D' Z0 ]6 W) C( A5 m3，HAL_FLASH_Lock();锁住写" ~/ L1 F( k+ w! }6 @
3，擦出方法和函数一样, e+ e' t3 n5 H. O' X( ~
HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_Erase(FLASH_EraseInitTypeDef *pEraseInit, uint32_t *PageError)* B4 N- K' \) X3 ~$ H. ?6 J
4，读方法和函数一样$ r1 @# K6 z/ h' d3 s, M: M, _) P
Read_eeprom_int32(uint16_t addr). Z7 E3 v# \, q6 q4 Q
不同点：
( [7 m8 X' S- a) n7 I地址不一样：# ~6 q, {& n/ l/ g7 l
EEPROM：0x08080000开始的2K字节: H; A# b9 b5 M
FLASH： 0x08000000开始的空间（大小型号决定）， 其中你想用的FLASH空间。 | 
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发表于 2018-6-17 18:22
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