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[仿真讨论] 接收端芯片前面串联电阻抑制回沟是什么原理

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发表于 2018-6-14 00:26 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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书籍上一般都是通过源端串联33欧姆(发射端内阻17欧姆左右加上串联的33欧姆等于50欧姆,与传输线阻抗匹配),或者接收端并联50欧姆(接收端阻抗一般很大,并联50欧姆后接收端阻抗约为50欧姆,)来抑制回沟。但是仿真中,经常在接收端串联100到500欧姆之间的电阻,消除回沟,请问这个原理是啥?# i- p' i, B8 {  c3 B2 w: Q4 e+ d0 @
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发表于 2018-6-14 14:58 | 只看该作者
传输线原理   反射

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假设接收端前面串联200欧姆的电阻,传输线阻抗是50欧姆,根据反射原理,反射系数是(200-50)/(200+50)=0.6,反射应该很大啊,应该是处于失配状态啊。  详情 回复 发表于 2018-6-14 21:24

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 楼主| 发表于 2018-6-14 21:24 | 只看该作者
bingshuihuo 发表于 2018-6-14 14:58! M( ~1 G/ M. K& o
传输线原理   反射
5 e( g' z# h3 q8 W' n7 a% N
假设接收端前面串联200欧姆的电阻,传输线阻抗是50欧姆,根据反射原理,反射系数是(200-50)/(200+50)=0.6,反射应该很大啊,应该是处于失配状态啊。% {" q3 _, N1 e( y$ c
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