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NRF51822 ADC检测,关机后耗电大,请做过的朋友建议

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发表于 2018-3-6 10:51 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 超級狗 于 2018-3-6 21:51 编辑 ) y2 V4 G5 |" Y. {1 U

, t! \( P- ]1 W' m* U3 UNRF51822  ADC检测电池,原本用100K/200K分压。嵌入式觉得电压检测不准,直接改成10K/20K,那么带来了新问题,就是关机功耗大。
; I8 J$ q3 U5 [7 S9 _3.7V/30K=123ua,51822内部也分流,导致实际关机功耗200ua+,大大超出计划,请问做过的朋友有何见解?) o, f2 M7 I3 B+ X7 T2 L
) N" R- l5 P- R

: z$ z9 q5 _  ]! x9 @/ Z
9 j+ m  l( s5 \2 A1 b4 f  d0 N . O6 P: I2 Y1 }

nRF51822_PS_v3.1.pdf

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洋人的圖晚上給樓主!^_^  发表于 2018-3-6 15:51
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发表于 2018-3-8 20:35 | 只看该作者
本帖最后由 超級狗 于 2018-3-8 22:53 编辑 ( j6 e/ n4 S1 s& @4 _$ L; }! x
hwz2824262 发表于 2018-3-8 09:58
+ [# d$ d0 I: o请问版主Q1的B基不加限流的电阻OK吗?这样会不会烧坏MOS?

4 o0 D3 r, |! s# hMOSFET 電晶體閘極電阻Gate Resistance的功用( K7 {/ V, `; L* _3 c5 z. X$ i
MOSFET 電晶體會在閘極Gate)管腳串接一顆電阻,這顆電阻被稱為閘極電阻GateResistor通常被標記為 Rg rg
$ ^( n1 ~' A9 Y8 W
: Z+ g# u; e# e# b+ Q) a
閘極電阻GateResistor的功用於防止 MOSFET 開關時產生振鈴Ringing)現象,閘極Gate)本身有寄生電容Parasitic Capacitance),若閘極Gate)的控制走線帶有過大的電感,LC 會產生振盪。
9 u9 Y7 `- V) f7 [
  t) g/ P0 Y1 W# ]
振鈴Ringing)現象會讓 MOSFET 電晶體,處於要開不開、要關不關的異常狀態,電晶體會因此消耗不必要的功率而發燙,嚴重時可能導致電晶體過熱而燒毀。閘極電阻GateResistor有點類似數字電路中的阻尼電阻DampingResistor能衰減振鈴Ringing)的強度而這種設計常見於的電源供應器上的 Power MOSFET IGBT 電晶體的控制電路。

9 k& K# B/ X/ S8 z* `- Y! d0 m# Q' e  d

% G1 y1 }1 w& @+ ?3 F7 a' P5 R

Gate Resitance.jpg (14.25 KB, 下载次数: 4)

Gate Resitance.jpg

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Ringing.jpg

Gate Resistance v.s. Ringing.jpg (38.16 KB, 下载次数: 4)

Gate Resistance v.s. Ringing.jpg

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谢谢版主的指导,那为了保护电晶体吗,应该需要加电阻才是咯?,这个电阻的取值为100R就好?还是有其他的推荐值,本人是小白,还请版主多指点  详情 回复 发表于 2018-3-9 08:35
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 楼主| 发表于 2018-3-8 15:35 | 只看该作者
超級狗 发表于 2018-3-7 11:31
8 R5 `+ L* V4 i9 l$ i( Q系統如果沒耗很大的電流,電平波動幅度不大,沒有電容應該是還好,不過放是好習慣。

* ]) k; d6 W  z5 E( m0 ~6 @我昨天做试验,发现在100K/200K分压下,不放电容,ADC测量时电压塌陷0.3V,放了电容就稳定了,应该还是电容的问题。所以就好奇洋大人这个470M/470M分压不放电容,是不是算法上做了补偿优化?: G+ a; ]) |  l7 e8 D
. t! L+ }7 q6 c

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不必太過認真,洋人給的是示意圖,不是原理圖。 再則他也只說功能沒問題,有沒有做過詳細測試未知。  详情 回复 发表于 2018-3-8 16:32

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发表于 2018-3-6 15:17 | 只看该作者
不要将电压检测直接加在电源端,通过一个N管加一个P管和一个IO口来控制,当输入高电平才检测电压值,这样就不会一直耗电

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发表于 2018-3-6 15:42 | 只看该作者
本帖最后由 超級狗 于 2018-3-6 15:45 编辑 1 \, D' V# t) T+ e5 ^2 C
3 g1 C9 i1 U* L
如果關機時只把電源芯片關掉,電池電壓還是會從沒電的 NRF51822 ADC 管腳灌入,漏電也有可能造成開機後 ADC 功能異常。- V8 `; l+ [/ N  V- n8 N5 l9 a' D1 Q3 o
$ p# V9 D! E' m, G
網路上有人說,他用 NRF51822 搭配兩個外接 470M 分壓電阻偵測電池電壓沒問題,但他的架構是用一個開關,關機時就把電池切掉。
2 Q3 I; P8 ]+ ]8 g" U- p
8 g+ G- S, C' o
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发表于 2018-3-6 17:02 | 只看该作者
我是用MOS管开关,定时测一下,待机的时候直接关断 MOS用开漏引脚控制

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电压检测.png

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如果關機後 VCC_Batt 還在,電壓還是會透過 R21 往 PMOS 控制管腳灌。最好還是透過 OD 門或 OC 門控制。^_^  发表于 2018-3-6 20:48

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发表于 2018-3-6 17:10 | 只看该作者
电池电测,分压一般用M级的吧。

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发表于 2018-3-6 17:14 | 只看该作者
一般用的M级的。

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小电容补偿IC读信号时候的电流补偿。  详情 回复 发表于 2018-3-6 17:15

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yidanshuxuexi 发表于 2018-3-6 17:14/ v. R( ^* l) O9 z$ L6 q
一般用的M级的。
+ T* C5 Q- q) \0 t# f+ w
小电容补偿IC读信号时候的电流补偿。

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请问 小电容是如何做电流补偿的??能不能详细解释一下,谢谢; 我感觉是不是因为电阻太大了,产生的白噪声有点大,才加了个小电容降噪?  详情 回复 发表于 2018-3-9 08:40

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本帖最后由 超級狗 于 2018-3-6 20:41 编辑
' n( c: @. x) P% v
+ l. x9 g; q7 S( J  z有洋人說他這樣接沒問題,但他關機時是用開關把所有的電都斷乾淨。! h. g8 a/ `8 r& f2 h
: e1 y: U' F4 A% g: ~) d- R% A

6837_1.png (40.34 KB, 下载次数: 0)

6837_1.png

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版主和洋人走的很近嘛!470M分压,如果分压后没有一个0.1uf电容到GND话,洋人能测的准确不?或者根据规律做了补偿?  详情 回复 发表于 2018-3-7 09:45
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发表于 2018-3-6 21:03 | 只看该作者
系統關機後如果 VBAT 電源還存在,這樣的做法較妥當!* P6 E1 c/ B0 S" C
6 u' i% u3 r) H+ b
) O* }; q6 ^) G8 \: M" {

VBAT Switch.jpg (17.26 KB, 下载次数: 0)

VBAT Switch.jpg

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请问版主Q1的B基不加限流的电阻OK吗?这样会不会烧坏MOS?  详情 回复 发表于 2018-3-8 09:58

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 楼主| 发表于 2018-3-7 09:45 | 只看该作者
超級狗 发表于 2018-3-6 20:39
' m# K1 a( l: V) Q% H4 h* n有洋人說他這樣接沒問題,但他關機時是用開關把所有的電都斷乾淨。
' O6 j) T8 W% r3 h+ j' i
版主和洋人走的很近嘛!470M分压,如果分压后没有一个0.1uf电容到GND话,洋人能测的准确不?或者根据规律做了补偿?

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系統如果沒耗很大的電流,電平波動幅度不大,沒有電容應該是還好,不過放是好習慣。  详情 回复 发表于 2018-3-7 11:31

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meng110928 发表于 2018-3-7 09:457 E8 Z" t5 \3 W6 o. {
版主和洋人走的很近嘛!470M分压,如果分压后没有一个0.1uf电容到GND话,洋人能测的准确不?或者根据规律 ...
8 r7 C' n; t7 I. v$ \
系統如果沒耗很大的電流,電平波動幅度不大,沒有電容應該是還好,不過放是好習慣。
! V. P, L, a- ]: P. o1 F4 k) k- P8 o' a

6 Q5 _  A6 \9 j% k  k

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我昨天做试验,发现在100K/200K分压下,不放电容,ADC测量时电压塌陷0.3V,放了电容就稳定了,应该还是电容的问题。所以就好奇洋大人这个470M/470M分压不放电容,是不是算法上做了补偿优化?  详情 回复 发表于 2018-3-8 15:35
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超級狗 发表于 2018-3-6 21:03. n/ e5 \1 [+ P: i& V2 u: g
系統關機後如果 VBAT 電源還存在,這樣的做法較妥當!
( z8 U/ o- ^$ l, @# m1 V% o
请问版主Q1的B基不加限流的电阻OK吗?这样会不会烧坏MOS?
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MOSFET 電晶體閘極電阻(Gate Resistance)的功用 MOSFET 電晶體會在閘極(Gate)管腳串接一顆電阻,這顆電阻被稱為閘極電阻(GateResistor),通常被標記為 Rg 或 rg。 閘極電阻(GateResistor)的功用於防止 M  详情 回复 发表于 2018-3-8 20:35
这是MOS,电压控制。  详情 回复 发表于 2018-3-8 15:31

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hwz2824262 发表于 2018-3-8 09:580 i' b& }( q" b- t+ y% R. g
请问版主Q1的B基不加限流的电阻OK吗?这样会不会烧坏MOS?

! G8 h. v3 ^2 H# }( \$ U) H- X/ h这是MOS,电压控制。
: i9 K% |+ Z+ F; c6 d% M

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meng110928 发表于 2018-3-8 15:35
7 E( Q& X) ]3 }; l7 S7 G我昨天做试验,发现在100K/200K分压下,不放电容,ADC测量时电压塌陷0.3V,放了电容就稳定了,应该还是电 ...

7 b3 u/ B  I* S( e9 }2 w不必太過認真,洋人給的是示意圖,不是原理圖。
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再則他也只說功能沒問題,有沒有做過詳細測試未知。
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