本帖最后由 超級狗 于 2017-9-18 17:58 编辑 6 s+ b: t. D: u
" j8 e3 {$ x8 p5 w3 ?8 l( G) Y小弟只能做錦上添花的工作！
- N* q9 R0 ?8 H% E: j由於電子（Electron）的移動率（Mobility）比電洞（Hole）高，因此對於降低電阻，n 型雜質（n-Type Impurity）的效果會比 p 型雜質（p-Type Impurity）來得好。
9 ] [: H! T. }! Y* q: S
然而提高雜質濃度（Impurity Concentration），並非降低半導體電阻的萬靈丹。電子學也提到，當雜質濃度（Impurity Concentration）超過極限後，過多的載子（Carrier）移動時發生嚴重碰撞，反而會使移動率（Mobility）下降，這時半導體的電阻不減反增。 3 U/ J+ k2 F0 P% P
若要維持同樣的阻值，所需要的 p 型雜質（p-Type Impurity ）濃度會比 n 型雜質（n-Type Impurity）濃度高很多。因此使用 p 型雜質（p-Type Impurity），會比 n 型雜質（n-Type Impurity）更容易達到飽和濃度。
& L6 x, q$ T( o0 k' L2 V" s9 w" B* LP Channel MOSFET 並不是做不到耐 VDS 高壓的規格，而是做出來的 RDS(on) 會讓你不想去用它。RDS(on) 過高，除了功率損耗（Power Loss）大之外，也讓半導體更容易發熱，壽命跟著縮短。
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发表于 2017-9-15 17:49
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发表于 2017-9-17 22:49
