i.mx6ull与DDR3校正不通过的问题

gwei_0210

各位大神有用过Freescale IMX6ULL芯片嘛，我们用的是1个DDR3芯片，就是跑不起来，哪位大神用过请指教一下啊

Aubrey

生成script前按照说明填的参数是正确的吗  本身DDR 2G改成1G DDR3的吗？是否有参考的开发板？

gwei_0210

天的参数是正确的，百分之三十的样机可以跑起来；DDR3是1G的 DDR3-1066，IMX6与DDR3之间的走线就是开发板上的复制过来的，PCB由4层变成6层的

gwei_0210

DDR Freq: 396 MHz
2 G* d/ P+ c8 L0 A& t* K
ddr_mr1=0x00000000
Start write leveling calibration...
: |: U6 p* y" N0 [2 r. C1 zrunning Write level HW calibration
9 W, L- Z' M" EWrite leveling calibration completed, update the following registers in your initialization script
( z$ @* x' G! q2 \    MMDC_MPWLDECTRL0 ch0 (0x021b080c) = 0x00030007
5 t& c/ K+ S. Y1 {" d    MMDC_MPWLDECTRL1 ch0 (0x021b0810) = 0x00080008
3 J6 b8 w# S  Z+ w; h# [. kWrite DQS delay result:
) i; L) ?/ _  E- V   Write DQS0 delay: 7/256 CK
   Write DQS1 delay: 3/256 CK
# u% y$ b7 |8 x0 b( m, i
Starting DQS gating calibration
3 m+ M8 O" F9 H. HC_DEL=0x00000000     result[00]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000001     result[01]=0x00000011
5 p+ p' y" f' g7 t+ S8 u. HC_DEL=0x00000002     result[02]=0x00000011
' ]$ v# F: N0 ]! e. HC_DEL=0x00000003     result[03]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000004     result[04]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000005     result[05]=0x00000011
; s; v# ~/ U$ |* O. H* m. HC_DEL=0x00000006     result[06]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000007     result[07]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000008     result[08]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000009     result[09]=0x00000011
! ]* ]& l/ x9 t* U1 `, r' C4 f1 W. HC_DEL=0x0000000A     result[0A]=0x00000011
. HC_DEL=0x0000000B     result[0B]=0x00000011
! |3 Y* \' L1 \. HC_DEL=0x0000000C     result[0C]=0x00000011
. HC_DEL=0x0000000D    result[0D]=0x00000011
ERROR FOUND, we can't get suitable value !!!!
! O9 n7 M& S- d6 |2 q! O) adram test fails for all values.

4 j, V- h% ?, c  ~& qError: failed during ddr calibration

& L; j& K8 v, B1 W/ v# r! N

Aubrey

4层改6层DDR阻抗控制做了吗？DDR尝试把频率降低再校准下

kele1983

可以试试更改ODT设定寄存器后再进行Calibration，一般ODT可以尝试60/120ohm。

gwei_0210

kele1983 发表于 2017-8-21 10:41
可以试试更改ODT设定寄存器后再进行Calibration，一般ODT可以尝试60/120ohm。

2 C2 P0 P( n" F7 n试过，也不行
0 E" w# T8 b$ y8 E, n  _

gwei_0210

Aubrey 发表于 2017-8-18 16:01
生成script前按照说明填的参数是正确的吗  本身DDR 2G改成1G DDR3的吗？是否有参考的开发板？

填的参数是正确的，百分之三十的样机可以跑起来；DDR3是1G的 DDR3-1066，IMX6与DDR3之间的走线就是开发板上的复制过来的，PCB由4层变成6层的

gwei_0210

DDR Freq: 396 MHz

% m- W/ }$ F- G4 D3 \ddr_mr1=0x00000000
, `9 u$ f9 @% G5 wStart write leveling calibration...
5 ]8 l+ Z  u8 @running Write level HW calibration
Write leveling calibration completed, update the following registers in your initialization script
0 \) v# Q, v/ ]# F! |    MMDC_MPWLDECTRL0 ch0 (0x021b080c) = 0x00030007
    MMDC_MPWLDECTRL1 ch0 (0x021b0810) = 0x00080008
  ]0 e; }$ `8 c4 X, jWrite DQS delay result:
* D0 I1 f" v# G7 m  f; q) ^9 \   Write DQS0 delay: 7/256 CK
% ~6 J; r' M. l: r! A: E3 t   Write DQS1 delay: 3/256 CK
3 _6 z, i- D$ c: v6 O+ e0 q& s
Starting DQS gating calibration
# h" p2 w! J' e6 V. HC_DEL=0x00000000     result[00]=0x00000011
: i  x  D  D( {( F& v3 M. HC_DEL=0x00000001     result[01]=0x00000011
+ e' m* p$ h( ]$ M$ i. HC_DEL=0x00000002     result[02]=0x00000011
3 m7 g% i# ?  J! N) l. e2 m. HC_DEL=0x00000003     result[03]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000004     result[04]=0x00000011
! H1 S) ^/ ^. U. HC_DEL=0x00000005     result[05]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000006     result[06]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000007     result[07]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000008     result[08]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000009     result[09]=0x00000011
& q4 q' _# t8 s( L. HC_DEL=0x0000000A     result[0A]=0x00000011
' S4 L- f& A7 z. HC_DEL=0x0000000B     result[0B]=0x00000011
# l: _+ M% H+ \( {$ X. HC_DEL=0x0000000C     result[0C]=0x00000011
0 M! u" m0 y2 y; ]( E4 k! y. HC_DEL=0x0000000D    result[0D]=0x00000011
! ^. ]: j$ r8 A( ]/ k' kERROR FOUND, we can't get suitable value !!!!
dram test fails for all values.
" {2 Z+ [. Q% B* E* M& ]
% r' S" U6 L6 f3 {$ |3 [( uError: failed during ddr calibration

kele1983

gwei_0210 发表于 2017-8-21 13:10
: m: S- k; C5 ~2 [1 y& A试过，也不行

我遇到过一次是把ODT从60改到120ohm就能做校正了。当然你也可以更改芯片驱动能力试一下。
  M! s8 V* }8 \7 N6 a还遇到过一次板子不稳定，有时能启动，有时不能启，是因为DDR容量比原来翻倍之后，没有更改内存刷新时间，自刷新时间太短造成的不稳定。
8 p4 r2 B" s$ k' G# D' r6 `我觉得还是内存参数哪一块没有配置正确，你可以参考一下。
/ y* ^" |6 [' b3 h1 R
- G; u4 U6 E& \( M3 s2 c8 g

超級狗

挨打沒死六討論版有一個跟你有同樣問題的人，有人做如下的建議。
% j& W1 A" o) f. @& p% J+ K
( i/ ?0 b' j8 U/ O4 Q, i# O0 ?$ Whttps://community.nxp.com/thread/365106
, j5 _- d9 j3 S* T) f, w* r
0 L, K  I$ I! W& P& y/ [! c
7 P) l* U' L& x7 }" w

• Verify the PCB design using "MX6 DRAM Bus Length Check" sheet in "HW Design Checking List for i.Mx6DQSDL Rev2.7.xlsx"
  https://community.freescale.com/docs/DOC-93819
• Try using different drive strength for DRAM signals for both  i.MX6 and DRAM part.
• Try different DDR_SEL options  (11 or 10).
  10 : LPDDR2
  11 : DDR3
  / s+ S+ W: y0 k

超級狗

gwei_0210 发表于 2017-8-21 13:10
填的参数是正确的，百分之三十的样机可以跑起来；DDR3是1G的 DDR3-1066，IMX6与DDR3之间的走线就是开发板 ...

9 ~* v7 q9 B# ^5 J 走線不變、但層數變了，銅皮夾層的厚度也會跟著改變，阻抗有可能會受到影響。

如 10 樓所言，可以嘗試調整驅動能力（Driving Strength）看看。

% D+ A1 U+ Q/ J! J
& g6 q1 `, p" ^2 k2 I! A/ O

duzz

狗版主，这么翻译飞卡要气死

gwei_0210

已经解决了。原来焊接的芯片是从市场买的；我们从新焊接了新的1Gb的ddr3，就可以通过校正了

zxk

路过，学习一下 mark