i.mx6ull与DDR3校正不通过的问题

gwei_0210

各位大神有用过Freescale IMX6ULL芯片嘛，我们用的是1个DDR3芯片，就是跑不起来，哪位大神用过请指教一下啊
% r6 Q. O0 Y5 p( u) V! s  F

Aubrey

生成script前按照说明填的参数是正确的吗  本身DDR 2G改成1G DDR3的吗？是否有参考的开发板？

gwei_0210

天的参数是正确的，百分之三十的样机可以跑起来；DDR3是1G的 DDR3-1066，IMX6与DDR3之间的走线就是开发板上的复制过来的，PCB由4层变成6层的

gwei_0210

( Q* F5 S# p: O, MDDR Freq: 396 MHz
4 n$ a  e7 t9 N$ O, o
ddr_mr1=0x00000000
Start write leveling calibration...
- B. l$ ~7 y$ prunning Write level HW calibration
1 r9 }1 D' z1 d; J/ q- RWrite leveling calibration completed, update the following registers in your initialization script
- Y! v1 u$ C" l& L    MMDC_MPWLDECTRL0 ch0 (0x021b080c) = 0x00030007
    MMDC_MPWLDECTRL1 ch0 (0x021b0810) = 0x00080008
Write DQS delay result:
4 @. Z( |3 M5 g9 l. ^  ~, ]   Write DQS0 delay: 7/256 CK
/ n- o9 t$ ^* t2 j   Write DQS1 delay: 3/256 CK

Starting DQS gating calibration
. HC_DEL=0x00000000     result[00]=0x00000011
+ Q. s. }0 f3 T9 \( x, N/ M# F. HC_DEL=0x00000001     result[01]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000002     result[02]=0x00000011
; b; P& @6 J5 w  T* H3 o: q. HC_DEL=0x00000003     result[03]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000004     result[04]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000005     result[05]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000006     result[06]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000007     result[07]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000008     result[08]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000009     result[09]=0x00000011
. HC_DEL=0x0000000A     result[0A]=0x00000011
1 I8 G, j7 p# s6 c+ }1 C. HC_DEL=0x0000000B     result[0B]=0x00000011
* p8 q& c+ I! I! r4 y, e9 I. HC_DEL=0x0000000C     result[0C]=0x00000011
. HC_DEL=0x0000000D    result[0D]=0x00000011
' W; ?5 B  c4 x# kERROR FOUND, we can't get suitable value !!!!
dram test fails for all values.

. U7 N2 j4 t9 E# x$ Z7 XError: failed during ddr calibration
2 d" {% n$ k" }: P: I& u

Aubrey

4层改6层DDR阻抗控制做了吗？DDR尝试把频率降低再校准下

kele1983

可以试试更改ODT设定寄存器后再进行Calibration，一般ODT可以尝试60/120ohm。

gwei_0210

kele1983 发表于 2017-8-21 10:41
" z1 I- Q1 V  |可以试试更改ODT设定寄存器后再进行Calibration，一般ODT可以尝试60/120ohm。

$ L: \9 u8 c  H- b9 M试过，也不行

gwei_0210

Aubrey 发表于 2017-8-18 16:01
生成script前按照说明填的参数是正确的吗  本身DDR 2G改成1G DDR3的吗？是否有参考的开发板？

填的参数是正确的，百分之三十的样机可以跑起来；DDR3是1G的 DDR3-1066，IMX6与DDR3之间的走线就是开发板上的复制过来的，PCB由4层变成6层的

gwei_0210

DDR Freq: 396 MHz

ddr_mr1=0x00000000
Start write leveling calibration...
5 B2 R" s! Q- A* o0 krunning Write level HW calibration
Write leveling calibration completed, update the following registers in your initialization script
. @+ Y! |2 c1 ?    MMDC_MPWLDECTRL0 ch0 (0x021b080c) = 0x00030007
( @( r6 Z5 k, W5 R    MMDC_MPWLDECTRL1 ch0 (0x021b0810) = 0x00080008
1 J- G& x" A  b% Z9 [Write DQS delay result:
1 S+ A4 v* Y. X3 |5 O7 `   Write DQS0 delay: 7/256 CK
   Write DQS1 delay: 3/256 CK
/ _" x, W5 r4 ~. [
: G; Y8 b5 }$ {0 U2 Q9 k9 ]2 hStarting DQS gating calibration
. HC_DEL=0x00000000     result[00]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000001     result[01]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000002     result[02]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000003     result[03]=0x00000011
" u! x7 ]7 W, \" m2 N2 `2 c. HC_DEL=0x00000004     result[04]=0x00000011
8 ^, F% t& D& l% T4 V( z: q. HC_DEL=0x00000005     result[05]=0x00000011
4 T: H1 _3 ^# f+ @2 V' b* G. HC_DEL=0x00000006     result[06]=0x00000011
( G! g9 k8 Y9 F& C: L* z+ c. HC_DEL=0x00000007     result[07]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000008     result[08]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000009     result[09]=0x00000011
. HC_DEL=0x0000000A     result[0A]=0x00000011
% d; k- a9 s5 J, B% c! x& W. HC_DEL=0x0000000B     result[0B]=0x00000011
. HC_DEL=0x0000000C     result[0C]=0x00000011
. HC_DEL=0x0000000D    result[0D]=0x00000011
ERROR FOUND, we can't get suitable value !!!!
dram test fails for all values.
0 X7 L7 N$ a7 D- c- _
Error: failed during ddr calibration

kele1983

gwei_0210 发表于 2017-8-21 13:10
试过，也不行

我遇到过一次是把ODT从60改到120ohm就能做校正了。当然你也可以更改芯片驱动能力试一下。
  g( R: v8 ~8 R5 B还遇到过一次板子不稳定，有时能启动，有时不能启，是因为DDR容量比原来翻倍之后，没有更改内存刷新时间，自刷新时间太短造成的不稳定。
- e) i  B. d# M% ~- [0 _3 Z9 W我觉得还是内存参数哪一块没有配置正确，你可以参考一下。

+ ?- N& [+ C) k% D& P. }

超級狗

挨打沒死六討論版有一個跟你有同樣問題的人，有人做如下的建議。

https://community.nxp.com/thread/365106
" ^% [6 _8 a0 \! _6 S

  U1 n% I- ]( |0 A& P8 D

• Verify the PCB design using "MX6 DRAM Bus Length Check" sheet in "HW Design Checking List for i.Mx6DQSDL Rev2.7.xlsx"
  ) Y: p: p1 ^4 \& whttps://community.freescale.com/docs/DOC-93819
• Try using different drive strength for DRAM signals for both  i.MX6 and DRAM part.
• Try different DDR_SEL options  (11 or 10).
  10 : LPDDR2
  . k! A& x: }  A8 b, i" ~; E8 [11 : DDR3
  . Q7 W" Q5 U) D/ H# P

/ C8 `0 T7 e7 j. v+ i

超級狗

gwei_0210 发表于 2017-8-21 13:10
填的参数是正确的，百分之三十的样机可以跑起来；DDR3是1G的 DDR3-1066，IMX6与DDR3之间的走线就是开发板 ...

走線不變、但層數變了，銅皮夾層的厚度也會跟著改變，阻抗有可能會受到影響。
8 z- V0 m) G( ~3 n9 A0 g
5 O/ R, I6 s: z. p+ V% D4 N如 10 樓所言，可以嘗試調整驅動能力（Driving Strength）看看。

: b" _2 b2 Z: l+ J  I! d4 m
- ?# ^  ^, k; J( `, H5 _

duzz

狗版主，这么翻译飞卡要气死

gwei_0210

已经解决了。原来焊接的芯片是从市场买的；我们从新焊接了新的1Gb的ddr3，就可以通过校正了

zxk

路过，学习一下 mark