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敷铜连接方式疑和晶体电容位置的疑问

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发表于 2017-8-18 11:27 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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1.敷铜连接方式疑问. 哪种更好些?; n6 }+ F+ H- }# u8 Q
  十字型连接或者直接相连.如下图所示这两种。/ C' T# j. V1 n& ^: _* Z
   哪种更好,对于贴片是否有影响?我只知道第二种手工焊接的话GND焊盘很难上锡。, ?; j' f& e3 h9 y8 n
   9 m9 g6 ?* {4 q/ p' ~8 }$ A' [
2.就是上图中晶体的电容放置的位置,是放置在如图所示电容末端,还是放置在电容前端更好? 谢谢指教。  p4 S1 I( n1 H4 r
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发表于 2017-8-18 12:18 | 只看该作者
1、电流不大的前提下,还是十字连接好些。不然散热太快,不好焊接* ?' X5 {! U4 P
2、电容最好放在晶体前端,以防stub

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发表于 2017-8-18 13:11 | 只看该作者
本帖最后由 yihafewu 于 2017-8-18 13:12 编辑 % Y/ ?0 ]5 _$ D. x0 p0 W

/ |' W$ p, R7 _7 d+ \8 t- ?" R同意楼上
2 C, U1 B: W  a1、手工焊不好焊,回流焊易立碑0 _& }/ l+ n9 {# q4 L
2、另外,电容地最好就近接IC地脚。这块地与系统地最好做分割,只在IC地脚相连。晶振底下不要走信号线,我说的是上面那几条。

点评

同意你说的,但是不知道为什么,村田给的推荐电路是电容在外侧。 [attachimg]130601[/attachimg]  详情 回复 发表于 2017-9-12 14:18

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 楼主| 发表于 2017-8-18 14:38 | 只看该作者
谢谢!% R: G- R& _/ ?& I0 u. p" t
1. 如果器件较大 0603 是不是无所谓。 我问过同事 他说贴片没问题...
' o5 S* D* {6 T+ G; d# c9 P2.这个是PIC单片机,8MHz. 量产的就是这么设计,我之前看过评审建议电容放前端,因此有疑问,那么下一版如果是我负责就改过来

点评

就是该放前面,而且焊盘必须放在走线上  详情 回复 发表于 2017-8-18 18:41
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发表于 2017-8-18 18:41 来自手机 | 只看该作者
本帖最后由 WattleHua 于 2017-8-18 18:44 编辑 8 M9 c. S  s2 h8 S$ j& D# o
lize314 发表于 2017-8-18 14:38
) q3 A0 n# J% _谢谢!
+ u0 G7 y- ]1 t! H" ^$ r7 @8 f1. 如果器件较大 0603 是不是无所谓。 我问过同事 他说贴片没问题...
( [( f5 h5 P3 A& n7 |- D. m2.这个是PIC单片机,8MHz.  ...
: @6 q2 c4 V  {/ c  n. ]4 {3 d
我目前只要没有特殊要求,6层以板子全部都是直接连的,不用十字。
& }  ?9 c8 |! R) M5 C8 W$ t0 B1 H9 T电容应该放在晶振和单片机之间,而且焊盘必须放在走线上。不然你就放背面,和晶振管腿只隔一个阻焊桥。

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发表于 2017-9-12 14:18 | 只看该作者
yihafewu 发表于 2017-8-18 13:117 |0 ]2 d% E3 j' X5 u! ]! |3 R* C& f
同意楼上
8 e+ Y% j% T7 D* q) o5 `8 R; s% w1、手工焊不好焊,回流焊易立碑. a# ~* T7 c) }3 J8 ~7 f
2、另外,电容地最好就近接IC地脚。这块地与系统地最好做分割, ...
% V0 r7 z  c6 g. E( G
同意你说的,但是不知道为什么,村田给的推荐电路是电容在外侧。
1 I8 g5 Y7 r* A- g, f7 Y1 i 6 g' ^0 N5 X, X+ v

点评

我个人的看法是,负载电容的位置,在内侧、在外侧、在晶振两侧等都不是问题,问题在于相对于工作频率的Xin和Xout走线长度,尽量短。当然在频率较低时较长的走线长度也是允许的,但是使Xin和Xout走线最短这个原则是没  详情 回复 发表于 2017-9-13 09:41

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发表于 2017-9-13 09:41 | 只看该作者
疾风飘流 发表于 2017-9-12 14:18
% @, z, R$ o, {0 r同意你说的,但是不知道为什么,村田给的推荐电路是电容在外侧。

* `7 e0 j2 L9 C3 x" U我个人的看法是,负载电容的位置,在内侧、在外侧、在晶振两侧等都不是问题,问题在于相对于工作频率的Xin和Xout走线长度,尽量短。当然在频率较低时较长的走线长度也是允许的,但是使Xin和Xout走线最短这个原则是没错的,条件允许的情况下越短越好。
* j* F. Q' ^: s. X第二个问题是,避免出现stub,对于高速信号来说(即上升沿下降沿很陡的信号),会导致信号反射。第三个问题,各自信号到负载电容的走线要尽量一样,至少误差不能太大。针对这两个问题,将电容放内侧,并使信号线直接走到电容焊盘再到晶振,即避免了stub的出现,又使各自信号到负载电容的走线一样长。, W& o( t! ^5 V+ k

2 r  \$ I; {0 G
6 P5 |) L0 f5 Z" b0 ~  P) b* K5 f7 U其实我也是根据厂家推荐的方式来布局晶振,也没有太多的理论知识,因此上述看法仅供参考。! J, y' ]: e% {$ d% F4 L" o! `
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