CN3762充电时烧毁MOS管

c001

% H" Z8 H% Y+ D* J
6 u4 k. C6 a  U) V% Q如图所示，充电电流250mA左右，在充电过程中，MOS管Q5容易出现被击穿的现象（DS出现短路），请教一下是什么原因导致的？
  ~) Z& c5 v, I' Q3 w
4 Q1 D5 R, c" }3 f该现象不是必现，有的板子正常，有的板子在运行一两天后就很容易出现
; E9 t# \9 u/ n- m& o9 h

c001

kings9527110 发表于 2017-8-7 11:58
+ \& i# J' P% l$ @& H( L1  拆掉Q5 上电24V测量DRV幅值是否是16~17V
2  拆掉D16 然后在该处串电流表测电流

1. 拆掉后DRV确实是16~17V
2. 不拆掉D16，测RCS两端电压为120mV，说明电流为250mA左右
0 j3 N) J# I7 z

c001

fyangp 发表于 2017-8-31 10:50
VDS只有30V，而L26会产生负压，所以可能会损坏Q5，你选择一个VDS更大的测试一下

谢谢！
问题找到了，把电阻R170换成0R，并把充电电流降低到原来的一半，就可以了...，主要是以前mos管发热太大了
; r& g3 H$ A7 y1 f0 _

kings9527110

c001 发表于 2017-8-7 16:04
( ?: \; s& N9 x' D+ F& a1. 拆掉后DRV确实是16~17V
" v' C9 r/ m6 h2. 不拆掉D16，测RCS两端电压为120mV，说明电流为250mA左右

数据看起来都是正常的，你这个应该是个buck电路，我记得buck电路没有D16，或者D16可以放在C164之后使用。
) H5 ~. X; E  t

渔樵江渚2015

表示不懂，但是这份资料或许有些用处，希望能帮到你。

lfc1203

你的MOS选型不好Rds太大  你看一下mos的SOA区  如下图

c001

lfc1203 发表于 2017-8-1 20:58
4 q7 e$ z' B/ g你的MOS选型不好Rds太大  你看一下mos的SOA区  如下图

9 y1 `3 C( R' m+ |6 D, I看不懂，这个是什么意思？

c001

lfc1203 发表于 2017-8-1 20:58
你的MOS选型不好Rds太大  你看一下mos的SOA区  如下图

换了FDC658AP，Rds=44mR，同样会烧
* g. @: `# Q" }# T8 R

alias

VGS的值超过限了

c001

alias 发表于 2017-8-2 15:30
: W8 z( f& n5 w, n8 L3 AVGS的值超过限了

: ?  a2 y* d  l; j% I5 C0 aCN3762手册里说，G极电压会被钳为在VIN-7V左右，所以VGS不会超过20V
, B0 f' ]( V- D) j- P/ O

lfc1203

c001 发表于 2017-8-2 09:50
% i% K. |: ^/ S- F7 g; F换了FDC658AP，Rds=44mR，同样会烧

: N& N: |% B( D8 ~7 r4 l你测量一下，Vds正常工作的电压，对应SOA区，在VDS多大电压时同多大电流的时间，如果那个时间短，就会烧坏MOS

c001

充电时，由外接电源给负载供电，此时电池只充电，不供电

c001

lfc1203 发表于 2017-8-2 21:54
& s' z4 p! Z5 h你测量一下，Vds正常工作的电压，对应SOA区，在VDS多大电压时同多大电流的时间，如果那个时间短，就会烧 ...

充电时，Vd=22V，Vs为锯齿波，最大为8V
# X3 t/ t( N: T+ V

kings9527110

' K! z$ [/ J2 l; Z' X, O" Q你的MOS管G极串的1K电阻是干嘛用的？为什么要串这么大？你把它换成50欧或者短路试试

c001

kings9527110 发表于 2017-8-7 11:11
+ L( C, z6 ?8 F7 v, u: Y) ?你的MOS管G极串的1K电阻是干嘛用的？为什么要串这么大？你把它换成50欧或者短路试试

换成0欧也一样会烧

kings9527110

c001 发表于 2017-8-7 11:28
, O6 L8 l% p& ]7 @- N0 n9 d$ t2 ~换成0欧也一样会烧

1  拆掉Q5 上电24V测量DRV幅值是否是16~17V
2  拆掉D16 然后在该处串电流表测电流

$ E2 t, n/ }1 j# ^6 A. j( _