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NPN的c接地E接电源用

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发表于 2017-6-19 15:38 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
! \6 W( L2 Z( J2 I0 p
前辈留下来的原理图
/ F2 p" e7 j! }4 `& d( O) w( V三极管c接地E接电源
+ v, X9 r- n/ ^( _4 @: C' q+ m% W- _实测可以用
& v1 G+ F) V6 q9 V( S, w/ \' |4 {' l6 K* Z0 O7 p

) v9 q4 I  Y/ X; S# N/ G
# ]) g! S5 ~! [2 t+ T% M

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又是一個爛攤子,圖改一改吧!^oo^  发表于 2017-6-20 07:50
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听党指挥,能打胜仗,作风优良

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发表于 2017-6-20 09:06 | 只看该作者
一看楼主确认的就是继电器控制电路,再看看狗版主的回复,豁然开朗

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這麼神奇!@_@  发表于 2017-6-22 10:05

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发表于 2017-6-20 15:35 | 只看该作者
本帖最后由 超級狗 于 2017-6-21 08:19 编辑 2 W; V9 N/ e; c$ h' O( A
flywinder 发表于 2017-6-20 09:26
3 _/ ?  i2 _, _  G- n/ P* m' p特意百度翻译了一把
- Q7 R0 T& U7 h% ?; |
我有繁中翻譯,是你自己不問的。5 x1 V; y2 Z, d+ J9 e, i
$ R1 Z. u" ~) H/ X- \

( _1 q! ?+ o8 X5 W  U  Y% v& P$ R( Q0 |, f' M( P
雙載子電晶體(BJT)如果射極(Emitter)和集極(Collector)反過來用會怎樣?8 ?5 J2 c9 u& t( `- y# B! j

2 \( b$ T( d1 U. \雙載子電晶體BJT:Bipolar Junction Transistor)的射極Emitter)含有比集極Collector)擁有更多的載子Carrier),如果射極Emitter)和集極Collector)反過來用,被稱為 Reverse Active,會有下列的影響:. A; e7 d& O: b/ a
& j; R% I# I8 w- n/ s, d% a
  • β 增益會變小,需要花更多的電流來驅動。
  • 射極Emitter)到基極Base)的耐壓會比集極Emitter)到基極Base)的耐壓低。
  • Reverse β 增益,會比原來的 Forward β 增益更大一些。(原來的 Forward β 變成 Reverse β 了!)" g3 m4 q7 }  v5 R9 w! j, S5 a& ~9 ^
9 D0 W7 A! K! D! r/ A& s: Y# E
附註:
9 X3 W' x# U: s8 |! E; QReverse β 增益,就是雙載子電晶體BJT:Bipolar Junction Transistor)射極Emitter)和集極Collector)反過來用的β增益值,一般 Datasheet 不會標示這個數據。# F. ?; T7 k0 T. \$ M' \) T

- W- h4 X% ?4 V8 V4 {; c

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幸好见不着,不然说不定会被打,这么拉仇恨真的好么!!!我刚辛辛苦苦看完,发现有中文版的。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。  发表于 2017-7-22 09:59
………………………………  详情 回复 发表于 2017-6-20 16:35
哈士奇是一種連主人都咬的爛狗!

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发表于 2017-6-19 17:38 | 只看该作者
本帖最后由 超級狗 于 2017-6-19 17:44 编辑
7 h2 u, u4 \! X$ y. _6 \. ~( c6 s: x4 E1 T3 S% M! C$ s# F) e
What will happen if I bias the collector and emitter of an NPN Transistor inversely?% E2 }: }6 h' J# d. r
If you use the transistor in reverse, the emitter becomes the collector and the collector becomes the emitter, and its quite simple to see what happens:, ?2 N/ r% u! v5 ~0 O$ o# ]
! N; _+ A, c1 K. s4 n
  • As the collector doping is less than the emitter doping, the hole current in the collector (now the emitter) increases, leading to lower beta.
  • The voltage withstand capability goes down, as now the BE junction is reverse biased, and the emitter is not constructed for high withstand voltage.
  • The effect of the thin basis remains. For that reason, if the forward beta is high, then the reverse beta will also be higher.
    ' {, a1 k1 q' s6 z, Q
4 x; a7 t( n4 v' c5 z, k
貼個洋文兒嚇唬人一下!
) ~3 h$ C. J; X; q1 V( A3 H" s% ?8 n- `- v+ D

. r/ |  [- ~# T. x  {5 B

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so. what happened? 大神已经作了证明  发表于 2017-6-27 09:18
大神用证据教育小白了  发表于 2017-6-27 09:15
特意百度翻译了一把  详情 回复 发表于 2017-6-20 09:26
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发表于 2017-6-19 16:02 | 只看该作者
NPN 和 PNP 反過來是什麼???$ j9 p8 \+ {4 M" S

* X2 \( x& E6 w7 r
, U6 E. _. B- B( Z; F

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三极管是可以反着用的,只是电流放大系数会变小,这个和两极的掺杂浓度差异有关(发射极的浓度高于集电极?),对吧,版主?  详情 回复 发表于 2017-6-19 16:30
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超級狗 发表于 2017-6-19 16:025 ]' u( T& F+ w, `8 G( u0 }
NPN 和 PNP 反過來是什麼???
0 d% U; K: C: w* ]
三极管是可以反着用的,只是电流放大系数会变小,这个和两极的掺杂浓度差异有关(发射极的浓度高于集电极?),对吧,版主?( x6 n5 c2 P# M( ?0 d) }

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你讓我想起一個爛笑話︰ 有一個叫林玉琳的人,每次跟人家打賭都嗆︰「如果我說謊,名字讓你們倒過來唸!」  详情 回复 发表于 2017-6-19 17:54

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发表于 2017-6-19 16:35 | 只看该作者
没毛病,电压不高就好

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kobeismygod 发表于 2017-6-19 16:30
# ~* ^- |0 x" T# h- F+ @三极管是可以反着用的,只是电流放大系数会变小,这个和两极的掺杂浓度差异有关(发射极的浓度高于集电极 ...

* [+ _: a) }. _% l" h5 E* S! Z你讓我想起一個爛笑話︰. p1 R2 t2 z$ b

8 @5 `9 M; n1 P* t有一個叫林玉琳的人,每次跟人家打賭都嗆︰「如果我說謊,名字讓你們倒過來唸!」& K. q3 r) ]" D+ L: R: G! ?
2 p" W. R3 V: ~7 L
/ g/ }1 w) i. H8 B$ l( [$ r- V
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发表于 2017-6-19 18:18 | 只看该作者
本帖最后由 xynsy123 于 2017-6-19 18:23 编辑
/ f7 L; Y/ v0 }7 m
) ~% a" w, z" L5 a! o楼主这贴说的太含糊了,不知道是不是我理解能力差。! ~# F/ d- F4 A# l/ c
实测可以用,是可以实现什么功能?, P1 }  N' ]; Y! s4 C& q+ ^' n9 K
KK2控制电压是多少?' Y7 v, G' f0 ~) H0 V: P* Z% Z
VDD50我就当成5V对吧?  B: i& N: z' |
K2是接哪里?4 X) a+ p; y3 R9 A" r
PA1A又是什么东西,我猜是器件PA1的,PART-A,但是还是不知道是啥?' i, r0 w/ X/ x# J
我觉得要再说清楚一点才好分析吧。------------------------------
5 [, W9 a# \  S  d2 K. ?以目前的图来看,PA1A当成是一个负载,当KK2,两种状态的时候,Q2的2脚是悬空或者0V,不过0V的时候,电流的方向不对。! f% {  s5 Q; q3 i# K8 a' w5 F) t% j1 ^

( C# ]/ E! h# P- M6 R% G

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就是一个继电器控制电路  详情 回复 发表于 2017-6-19 20:03

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发表于 2017-6-19 20:03 | 只看该作者
xynsy123 发表于 2017-6-19 18:18
3 ?$ ]# W" y4 g/ V9 T楼主这贴说的太含糊了,不知道是不是我理解能力差。
( E+ q2 j2 x5 ~0 `: R实测可以用,是可以实现什么功能?4 S5 C1 _4 @; }$ i
KK2控制电压是多 ...
( E: R. j) ?. V5 I7 X1 i/ s4 O
就是一个继电器控制电路% C2 ]0 n& O. b; E  N- D

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发表于 2017-6-19 23:37 | 只看该作者
是一个继电器驱动电路,认为还是达林顿形式更好些!

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 楼主| 发表于 2017-6-20 09:26 | 只看该作者
超級狗 发表于 2017-6-19 17:387 n, M, I! F: ?; o' j8 X
What will happen if I bias the collector and emitter of an NPN Transistor inversely?. R1 m# }; g  p" l: u5 W7 M
If you use the ...
; ]% k6 u' |: A: P  J, Y8 b, K
特意百度翻译了一把
5 |* i) F: A# D5 ?: P

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我有繁中翻譯,是你自己不問的。 雙載子電晶體(BJT)如果射極(Emitter)和集極(Collector)反過來用會怎樣? 雙載子電晶體(BJT:Bipolar Junction Transistor)的射極(Emitter)含有比集極(Collec  详情 回复 发表于 2017-6-20 15:35
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 楼主| 发表于 2017-6-20 16:35 | 只看该作者
超級狗 发表于 2017-6-20 15:35
0 C% Q9 _. ]0 E3 N; k& I我有繁中翻譯,是你自己不問的。
$ c1 F: Z3 p( w  l. m
………………………………3 I, X6 A2 g% c- i, N

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哎呀,看错啦,想点个赞的  详情 回复 发表于 2017-6-22 09:31
支持!: 5
不就是一個菜英文做的翻譯,沒拿到需要這麼生氣嗎?^00^  发表于 2017-6-20 21:14
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 楼主| 发表于 2017-6-22 09:31 | 只看该作者
flywinder 发表于 2017-6-20 16:35, }2 R5 c. W: ~8 w: N- f8 O1 N
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4 o8 p' z7 r% l) b+ A/ N# m) `& @哎呀,看错啦,想点个赞的
9 H' |, |# ]3 P( q5 ?7 W4 [  P. K
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发表于 2017-6-22 15:56 | 只看该作者
用PNP吧,这里做反相器用。KK2为高时,输出为低,导通灯是吧。不过灯那边也应该加限流电阻啥的
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