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发表于 2017-6-5 17:09 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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如图中,VBUS前段Q1,Q2电路起什么作用,直接输入不就行了吗,为什么加这部分电路起什么作用
+ J# z4 D  b! T

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发表于 2017-6-10 10:08 | 只看该作者
本帖最后由 超級狗 于 2017-6-10 10:09 编辑
, {  A$ Y1 d7 V1 v5 S3 j
yangyuan 发表于 2017-6-6 17:439 _9 m( y2 z% V6 d+ }2 ^+ c
感觉很有道理。那为什么门限选在2.4V呢,这个有什么考虑吗

& W# N- P1 r* g+ L/ g  a
  • SI2312DS VGS 在 1.8V 就會導通,2.5V 時渠道能通過 4.4A 的電流。
  • SI2312DS  VGS 只能承受 +/-8V 的電壓,你不分壓讓 17V 灌進來,莫死MOS)管就往生了!
    / _2 X1 _) X  o7 @; t
5 d/ \, m: r6 Y: h  g. t. q$ q
6 S- Q; Z& q" K) l; N; h

SI2312DS Drain Current.jpg (21.35 KB, 下载次数: 1)

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  发表于 2017-6-14 08:53
Q1的D、S的方向……  发表于 2017-6-13 17:12
用两个MOS管,是增加暖启动?不然一个PMOS管就能搞定了  详情 回复 发表于 2017-6-11 10:47
哈士奇是一種連主人都咬的爛狗!

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发表于 2017-6-6 11:13 | 只看该作者
这应是防止电流倒灌的保护电路,是利用(Q2)SI2312DS的0.65v的开关门限,只要输入电压小于2.4V,就关断Q1,防止电池电流的倒灌。

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0.65V的门限是从哪看出来的?输入小于2.4V 也不对,这个参数算出来应该是小于3.9V Q2截至掉  详情 回复 发表于 2017-6-11 10:38
感觉很有道理。那为什么门限选在2.4V呢,这个有什么考虑吗  详情 回复 发表于 2017-6-6 17:43

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发表于 2017-6-5 17:19 | 只看该作者
应该是保护和缓启动的作用。

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具体分析下啊  详情 回复 发表于 2017-6-5 21:49

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发表于 2017-6-5 21:49 | 只看该作者
maxnnw 发表于 2017-6-5 17:19
5 ~! Y& X0 [( Q" h' ?应该是保护和缓启动的作用。
) n" W# h( a+ a* m
具体分析下啊

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 楼主| 发表于 2017-6-6 17:43 | 只看该作者
ksvhxd 发表于 2017-6-6 11:13+ Z9 ^; [1 W+ `# v, [
这应是防止电流倒灌的保护电路,是利用(Q2)SI2312DS的0.65v的开关门限,只要输入电压小于2.4V,就关断Q1 ...
. I, ~9 k# c8 u; R' c
感觉很有道理。那为什么门限选在2.4V呢,这个有什么考虑吗- ^+ d$ I. N0 I8 W) Q3 J+ p% L

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[*]SI2312DS V 在 1.8V 就會導通,2.5V 時渠道能通過 4.4A 的電流。 [*]SI2312DS V 只能承受 1.8V 的電壓,你不分壓讓 17V 的電壓灌進來,莫死(MOS)管就往生了!  详情 回复 发表于 2017-6-10 10:08
怎么说 ,提高MOS管的开关偏置电压好处的,1防止输入端有干扰电压(大于0.65)时,直接导MOS管导通,电池进而倒灌、2,这里还有点像软启动的作用,只有适配器电压建立了2.4V之后,整个充电电路才开始工作。Ps:聚合物  详情 回复 发表于 2017-6-8 09:14

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发表于 2017-6-8 09:14 | 只看该作者
yangyuan 发表于 2017-6-6 17:43
8 S7 Y# A6 @0 w感觉很有道理。那为什么门限选在2.4V呢,这个有什么考虑吗
& M  I- H, y; [# k! s9 b8 N
怎么说 ,提高MOS管的开关偏置电压好处的,1防止输入端有干扰电压(大于0.65)时,直接导MOS管导通,电池进而倒灌、2,这里还有点像软启动的作用,只有适配器电压建立了2.4V之后,整个充电电路才开始工作。Ps:聚合物电池电压正常工作在3.0~4.25V之间,低电压保护在2.7~2.9V之间。; _( {2 {  K& M! v

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  发表于 2017-6-12 10:12
受教了。十分感谢!  详情 回复 发表于 2017-6-8 19:21

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 楼主| 发表于 2017-6-8 19:21 | 只看该作者
HengliangYau 发表于 2017-6-8 09:14* y! q! d, I) Q# }: I8 M! c9 i
怎么说 ,提高MOS管的开关偏置电压好处的,1防止输入端有干扰电压(大于0.65)时,直接导MOS管导通,电池 ...

) `: `3 \% c% e% O# f5 j  Y: Z! `1 N受教了。十分感谢!

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发表于 2017-6-11 10:38 | 只看该作者
本帖最后由 xhy_hard 于 2017-6-11 10:41 编辑
* b/ H, Z) }& i2 f4 |$ V
ksvhxd 发表于 2017-6-6 11:13& y* G6 C+ O; Q+ z
这应是防止电流倒灌的保护电路,是利用(Q2)SI2312DS的0.65v的开关门限,只要输入电压小于2.4V,就关断Q1 ...
5 l. h+ `# V( G

( e2 F' g1 X6 M( t

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发表于 2017-6-11 10:47 | 只看该作者
超級狗 发表于 2017-6-10 10:08
  • SI2312DS V[sub]GS[/sub] 在 1.8V 就會導通,2.5V 時渠道能通過 4.4A 的電流。
  • SI2312DS  V[sub ...
  • % {2 A1 U$ N  c) }$ t) V
    用两个MOS管,是增加暖启动?不然一个PMOS管就能搞定了2 t% a* H. ]% O

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    一个做不了防倒灌的作用  发表于 2017-6-12 10:16

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    发表于 2018-1-25 09:54 | 只看该作者
    防倒灌的
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