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发表于 2017-6-5 17:09 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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如图中,VBUS前段Q1,Q2电路起什么作用,直接输入不就行了吗,为什么加这部分电路起什么作用
/ \1 X$ F# b: K5 K2 R) H& p

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发表于 2017-6-10 10:08 | 只看该作者
本帖最后由 超級狗 于 2017-6-10 10:09 编辑 ' J& t7 L+ M- H: t" S* c' l
yangyuan 发表于 2017-6-6 17:43& X& s2 a( F* P/ s, j2 h8 o! D
感觉很有道理。那为什么门限选在2.4V呢,这个有什么考虑吗
( D+ O/ [# l- h' P7 `; X/ H1 L/ M
  • SI2312DS VGS 在 1.8V 就會導通,2.5V 時渠道能通過 4.4A 的電流。
  • SI2312DS  VGS 只能承受 +/-8V 的電壓,你不分壓讓 17V 灌進來,莫死MOS)管就往生了!
    1 _  {! X5 _# r* W

9 g, K+ r' [  X9 x& D& {5 v* Z# y( t4 K, f* D8 F

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SI2312 Vgs.jpg

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  发表于 2017-6-14 08:53
Q1的D、S的方向……  发表于 2017-6-13 17:12
用两个MOS管,是增加暖启动?不然一个PMOS管就能搞定了  详情 回复 发表于 2017-6-11 10:47
哈士奇是一種連主人都咬的爛狗!

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发表于 2017-6-6 11:13 | 只看该作者
这应是防止电流倒灌的保护电路,是利用(Q2)SI2312DS的0.65v的开关门限,只要输入电压小于2.4V,就关断Q1,防止电池电流的倒灌。

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0.65V的门限是从哪看出来的?输入小于2.4V 也不对,这个参数算出来应该是小于3.9V Q2截至掉  详情 回复 发表于 2017-6-11 10:38
感觉很有道理。那为什么门限选在2.4V呢,这个有什么考虑吗  详情 回复 发表于 2017-6-6 17:43

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发表于 2017-6-5 17:19 | 只看该作者
应该是保护和缓启动的作用。

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具体分析下啊  详情 回复 发表于 2017-6-5 21:49

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发表于 2017-6-5 21:49 | 只看该作者
maxnnw 发表于 2017-6-5 17:198 I  P3 Y# m4 @, T8 t, i
应该是保护和缓启动的作用。

6 ~" W+ ?6 y/ }& G( S6 K( s具体分析下啊

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 楼主| 发表于 2017-6-6 17:43 | 只看该作者
ksvhxd 发表于 2017-6-6 11:13
% q/ N0 {2 y  R. L9 k这应是防止电流倒灌的保护电路,是利用(Q2)SI2312DS的0.65v的开关门限,只要输入电压小于2.4V,就关断Q1 ...
, s: N- O5 D$ y: ]! c5 N: O
感觉很有道理。那为什么门限选在2.4V呢,这个有什么考虑吗; u- r4 L( v$ G# Y* u

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[*]SI2312DS V 在 1.8V 就會導通,2.5V 時渠道能通過 4.4A 的電流。 [*]SI2312DS V 只能承受 1.8V 的電壓,你不分壓讓 17V 的電壓灌進來,莫死(MOS)管就往生了!  详情 回复 发表于 2017-6-10 10:08
怎么说 ,提高MOS管的开关偏置电压好处的,1防止输入端有干扰电压(大于0.65)时,直接导MOS管导通,电池进而倒灌、2,这里还有点像软启动的作用,只有适配器电压建立了2.4V之后,整个充电电路才开始工作。Ps:聚合物  详情 回复 发表于 2017-6-8 09:14

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发表于 2017-6-8 09:14 | 只看该作者
yangyuan 发表于 2017-6-6 17:43
- g& j# T+ D, P8 Q2 v0 |% z感觉很有道理。那为什么门限选在2.4V呢,这个有什么考虑吗
6 ], k% ~% }% V: y9 ~
怎么说 ,提高MOS管的开关偏置电压好处的,1防止输入端有干扰电压(大于0.65)时,直接导MOS管导通,电池进而倒灌、2,这里还有点像软启动的作用,只有适配器电压建立了2.4V之后,整个充电电路才开始工作。Ps:聚合物电池电压正常工作在3.0~4.25V之间,低电压保护在2.7~2.9V之间。/ b' m, w+ R2 w0 q) u

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  发表于 2017-6-12 10:12
受教了。十分感谢!  详情 回复 发表于 2017-6-8 19:21

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 楼主| 发表于 2017-6-8 19:21 | 只看该作者
HengliangYau 发表于 2017-6-8 09:14
! D  C, W. s, g- x怎么说 ,提高MOS管的开关偏置电压好处的,1防止输入端有干扰电压(大于0.65)时,直接导MOS管导通,电池 ...

: J/ X" ?0 p" Z0 F) D; \受教了。十分感谢!

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发表于 2017-6-11 10:38 | 只看该作者
本帖最后由 xhy_hard 于 2017-6-11 10:41 编辑 ! v. u$ n  ]# X) B5 d
ksvhxd 发表于 2017-6-6 11:13
$ ^/ [6 ]0 I" y% u. a) a9 j这应是防止电流倒灌的保护电路,是利用(Q2)SI2312DS的0.65v的开关门限,只要输入电压小于2.4V,就关断Q1 ...
" |$ u4 ?0 b2 N2 p" m
8 q% x; j/ T# ?+ D& R

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发表于 2017-6-11 10:47 | 只看该作者
超級狗 发表于 2017-6-10 10:08
  • SI2312DS V[sub]GS[/sub] 在 1.8V 就會導通,2.5V 時渠道能通過 4.4A 的電流。
  • SI2312DS  V[sub ...

  •   _: V9 b# P) e# N# F" Q8 l6 b9 |/ I用两个MOS管,是增加暖启动?不然一个PMOS管就能搞定了
    , b) O/ L+ u9 {, m2 q

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    一个做不了防倒灌的作用  发表于 2017-6-12 10:16

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    发表于 2018-1-25 09:54 | 只看该作者
    防倒灌的
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