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DDR3的这些NC的到底要不要?

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发表于 2017-3-26 23:02 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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0 h8 L, Q/ B, A4 _$ R: _
如图,参考的资料里面J1,J9,L1,L9,M7有两种不同的接法,问下这两种有什么区别?: ?. |9 y) U( z
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发表于 2017-3-27 08:51 | 只看该作者
兼容画法而已。你注意一下原理图中的DDR3容量就知道了。7 U6 R  O) \4 u; q* r% Y
比如说128x16bit用不到那些NC脚,但是256X16bit就能用到了

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您好 你说的很对是为了兼容8Gb而留,我对比了下三星的2Gb和4Gb跟8Gb规格书,貌似只有8Gb(512MX16)才需要接这几个脚,2Gb(128MX16)和4Gb(256MX16)的可以NC不接。8Gb(512MX16)的毕竟相比多了ODT 、片选 、ZQ 和  详情 回复 发表于 2017-3-27 10:11

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发表于 2017-3-27 08:52 | 只看该作者
如果没看错是美光的颗粒,资料写的很清楚,不连,你说的第二种接法我也想学习一下看看到底是用来干啥的。

nc.jpg (23.7 KB, 下载次数: 0)

nc.jpg

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发表于 2017-3-27 09:48 | 只看该作者
  • ODT1CS1N 是為了雙顆粒封裝DDP︰Dual Die Package)預留的。
  • A15 是為了加大容量預留的(多了一根地址線容量變大)。
  • CKE0 是為了不同封裝管腳定義預留的,因為 Pin K9 也是 CKE0,推測是某種封裝的 CKE0 會在 J9。
    6 b6 t$ {( u6 H7 d' f) z1 A! h
! }3 n& f7 o" M& w# I
, U3 W  v, |/ h$ Y( ~" _
4 X5 ]/ @1 @! K3 N1 P/ X

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谢谢版主 ,8Gb可以理解为是2颗4Gb的DDR3组成的是吧  详情 回复 发表于 2017-3-27 10:16
哈士奇是一種連主人都咬的爛狗!

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发表于 2017-3-27 09:51 | 只看该作者
路过,顺便看下。

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當心被流彈波及,有時候看熱鬧也會出事!^_^  发表于 2017-3-27 09:57

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 楼主| 发表于 2017-3-27 10:11 | 只看该作者
myiccdream 发表于 2017-3-27 08:51
7 K$ |1 h+ L" r; l兼容画法而已。你注意一下原理图中的DDR3容量就知道了。- {! x2 e9 y: Z% U, p3 f
比如说128x16bit用不到那些NC脚,但是256X16bit就 ...
* O0 B0 d0 W7 T& d
您好 你说的很对是为了兼容8Gb而留,我对比了下三星的2Gb和4Gb跟8Gb规格书,貌似只有8Gb(512MX16)才需要接这几个脚,2Gb(128MX16)和4Gb(256MX16)的可以NC不接。8Gb(512MX16)的毕竟相比多了ODT 、片选 、ZQ 和高低位之分
7 Y# l3 H# u8 a
* L" {, J' n2 ]- d Datasheet_K4B2G1646F-BYMA [2G_F_DDR3_1 35V_x16 only_Samsung_Spec_Rev0 5 Oct15].pdf (696.2 KB, 下载次数: 2) Datasheet_K4B4G1646Q-HYK0 [1.35V_x16 only_4G_Q_DD.pdf (1.41 MB, 下载次数: 1) Datasheet_K4B8G1646D-MYK0 [8G_D_1.35V_DDP_x16_DDR3_Samsung_Spec_Rev0.0_Sep.15].pdf (928.14 KB, 下载次数: 1) * t4 |; u; q- _  G$ z. M6 l( [7 J2 U

* d; f! u8 j+ g, g
& p+ w, A+ l( V
7 l/ Z6 T) m2 S

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一般是兼容设计预留用  详情 回复 发表于 2017-4-1 09:24

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 楼主| 发表于 2017-3-27 10:16 | 只看该作者
超級狗 发表于 2017-3-27 09:48
  • ODT1 和 CS1N 是為了雙顆粒封裝(DDP︰Dual Die Package)預留的。
  • A15 是為了加大容量預留的(多 ...

  • + g. p( R* k* @  b9 P. ~谢谢版主 ,8Gb可以理解为是2颗4Gb的DDR3组成的是吧
    , X( N2 L4 ?0 z$ z- f

    点评

    多數半導體在初期,大容量顆粒的良率都較不好。有些應用需要大容量,並且要求空間小,雙顆粒封裝(DDP︰Dual Die Package)的做法就會出現。過些時日技術成熟了,單顆粒封裝(SDP︰ Single Die Package)就會取而代  详情 回复 发表于 2017-3-27 13:27

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    发表于 2017-3-27 13:24 | 只看该作者
    一般是兼容设计预留用

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    发表于 2017-3-27 13:27 | 只看该作者
    Aubrey 发表于 2017-3-27 10:16
    " p6 x* L- i1 y1 @! \7 Z2 M谢谢版主 ,8Gb可以理解为是2颗4Gb的DDR3组成的是吧

    - m3 X! Z5 t: Y1 B& m) U多數半導體在初期,大容量顆粒的良率都較不好。有些應用需要大容量,並且要求空間小,雙顆粒封裝DDPDual Die Package)的做法就會出現。過些時日技術成熟了,單顆粒封裝SDP Single Die Package)就會取而代之。: R, x" ^* ~9 J1 w6 J
    . X# t4 H  I+ U6 ~* @% v  y  l
    兩個 4Gb 的顆粒,等於一個 8Gb 顆粒,算法上是沒錯,但要注意封裝的方式。
    6 j; E* w& f$ i& I6 A1 R% ~" P* q1 N  @' t8 y( N
    • 有的是用 CS0 和 CS1 讓你容量增加。(Data Bus 並接)
    • 有的則是共用同一個 CS,讓 Data Bus 增寬一倍。(CS 並接,例如 16 bit -> 32 bit)
      ( `! q: Z) q2 B% Z

    / O# P$ F# j! o6 B
    ; C# m' e( P4 k  ~7 y$ q. s4 Z
    哈士奇是一種連主人都咬的爛狗!

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    发表于 2017-3-27 17:16 | 只看该作者
    版主研究的好细致,学习了。

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    发表于 2017-4-1 09:24 | 只看该作者
    Aubrey 发表于 2017-3-27 10:113 t) E, y' e8 @3 ^& J% j$ o
    您好 你说的很对是为了兼容8Gb而留,我对比了下三星的2Gb和4Gb跟8Gb规格书,貌似只有8Gb(512MX16)才需 ...

    ! _5 B3 R) b% X一般是兼容设计预留用1 |% W7 H, s9 [3 v# C

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    发表于 2017-4-4 13:41 | 只看该作者
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