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DDR3的这些NC的到底要不要?

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发表于 2017-3-26 23:02 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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$ p6 P* E8 G- F. X: _- k9 S. ]/ L如图,参考的资料里面J1,J9,L1,L9,M7有两种不同的接法,问下这两种有什么区别?+ v3 e- Z, ?; Z/ @4 c; t
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发表于 2017-3-27 08:51 | 只看该作者
兼容画法而已。你注意一下原理图中的DDR3容量就知道了。
- y  G4 ^8 e: G' A& X% `比如说128x16bit用不到那些NC脚,但是256X16bit就能用到了

点评

您好 你说的很对是为了兼容8Gb而留,我对比了下三星的2Gb和4Gb跟8Gb规格书,貌似只有8Gb(512MX16)才需要接这几个脚,2Gb(128MX16)和4Gb(256MX16)的可以NC不接。8Gb(512MX16)的毕竟相比多了ODT 、片选 、ZQ 和  详情 回复 发表于 2017-3-27 10:11

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发表于 2017-3-27 08:52 | 只看该作者
如果没看错是美光的颗粒,资料写的很清楚,不连,你说的第二种接法我也想学习一下看看到底是用来干啥的。

nc.jpg (23.7 KB, 下载次数: 0)

nc.jpg

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发表于 2017-3-27 09:48 | 只看该作者
  • ODT1CS1N 是為了雙顆粒封裝DDP︰Dual Die Package)預留的。
  • A15 是為了加大容量預留的(多了一根地址線容量變大)。
  • CKE0 是為了不同封裝管腳定義預留的,因為 Pin K9 也是 CKE0,推測是某種封裝的 CKE0 會在 J9。
    8 a: b$ p: g7 Y, i3 R4 U0 P
' F$ W" \2 b$ v+ E  x

: Z0 u* A6 O: ?+ L1 z$ Y" i$ D9 T- c) a( D$ y

点评

谢谢版主 ,8Gb可以理解为是2颗4Gb的DDR3组成的是吧  详情 回复 发表于 2017-3-27 10:16
哈士奇是一種連主人都咬的爛狗!

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发表于 2017-3-27 09:51 | 只看该作者
路过,顺便看下。

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當心被流彈波及,有時候看熱鬧也會出事!^_^  发表于 2017-3-27 09:57

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 楼主| 发表于 2017-3-27 10:11 | 只看该作者
myiccdream 发表于 2017-3-27 08:512 W) r' X, R" a  \$ v4 H/ \; g6 X
兼容画法而已。你注意一下原理图中的DDR3容量就知道了。' @: ~" x( l# b
比如说128x16bit用不到那些NC脚,但是256X16bit就 ...
- |7 h$ S( \/ }9 k
您好 你说的很对是为了兼容8Gb而留,我对比了下三星的2Gb和4Gb跟8Gb规格书,貌似只有8Gb(512MX16)才需要接这几个脚,2Gb(128MX16)和4Gb(256MX16)的可以NC不接。8Gb(512MX16)的毕竟相比多了ODT 、片选 、ZQ 和高低位之分# e# [7 {" @1 {  I6 l! X# N, _. X% l

7 q% ~* e1 K/ `: o7 L0 C1 e* x+ B Datasheet_K4B2G1646F-BYMA [2G_F_DDR3_1 35V_x16 only_Samsung_Spec_Rev0 5 Oct15].pdf (696.2 KB, 下载次数: 2) Datasheet_K4B4G1646Q-HYK0 [1.35V_x16 only_4G_Q_DD.pdf (1.41 MB, 下载次数: 1) Datasheet_K4B8G1646D-MYK0 [8G_D_1.35V_DDP_x16_DDR3_Samsung_Spec_Rev0.0_Sep.15].pdf (928.14 KB, 下载次数: 1) 7 V: {' ~; A" {( ]

0 u3 ^; C  ~4 N* k( i% O4 H) D& g) R; |
9 Z# R9 n! }2 i% Z& \0 s' A

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一般是兼容设计预留用  详情 回复 发表于 2017-4-1 09:24

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 楼主| 发表于 2017-3-27 10:16 | 只看该作者
超級狗 发表于 2017-3-27 09:48
  • ODT1 和 CS1N 是為了雙顆粒封裝(DDP︰Dual Die Package)預留的。
  • A15 是為了加大容量預留的(多 ...
  • " ]5 \1 \: |! m* U) p8 x
    谢谢版主 ,8Gb可以理解为是2颗4Gb的DDR3组成的是吧
    % Z' t! V3 a: f! P/ X2 b+ p! B3 l

    点评

    多數半導體在初期,大容量顆粒的良率都較不好。有些應用需要大容量,並且要求空間小,雙顆粒封裝(DDP︰Dual Die Package)的做法就會出現。過些時日技術成熟了,單顆粒封裝(SDP︰ Single Die Package)就會取而代  详情 回复 发表于 2017-3-27 13:27

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    发表于 2017-3-27 13:24 | 只看该作者
    一般是兼容设计预留用

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    发表于 2017-3-27 13:27 | 只看该作者
    Aubrey 发表于 2017-3-27 10:16
    8 W: N4 T, g5 c9 u6 X) M) Z9 e谢谢版主 ,8Gb可以理解为是2颗4Gb的DDR3组成的是吧

    3 `1 o1 @( [" u; k/ T0 W- R多數半導體在初期,大容量顆粒的良率都較不好。有些應用需要大容量,並且要求空間小,雙顆粒封裝DDPDual Die Package)的做法就會出現。過些時日技術成熟了,單顆粒封裝SDP Single Die Package)就會取而代之。
    9 Y9 t; \8 K' }; o
    , r. W5 X; `( v% x兩個 4Gb 的顆粒,等於一個 8Gb 顆粒,算法上是沒錯,但要注意封裝的方式。9 q! a; @, ^9 h1 f/ ~* `
    ; f  h$ }4 U3 o, t0 d1 N8 W  o
    • 有的是用 CS0 和 CS1 讓你容量增加。(Data Bus 並接)
    • 有的則是共用同一個 CS,讓 Data Bus 增寬一倍。(CS 並接,例如 16 bit -> 32 bit)4 e# b& g( E6 H& [8 L, l

    4 I4 K$ x8 r; Z* a' |5 {- Z$ I3 F" U, h: P+ [8 Q- J  P7 E
    哈士奇是一種連主人都咬的爛狗!

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    发表于 2017-3-27 17:16 | 只看该作者
    版主研究的好细致,学习了。

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    发表于 2017-4-1 09:24 | 只看该作者
    Aubrey 发表于 2017-3-27 10:11+ F. S3 p! @/ [- ]
    您好 你说的很对是为了兼容8Gb而留,我对比了下三星的2Gb和4Gb跟8Gb规格书,貌似只有8Gb(512MX16)才需 ...

    4 T' C" d  F  b0 a一般是兼容设计预留用( _& S. M- I/ \

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    发表于 2017-4-4 13:41 | 只看该作者
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