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主芯片推荐的过孔为:内径最小8mil 外径16mil 走线最小为5mil1 CLKP与CLKN为一组差分线,差分线传输线阻抗为100欧姆(并且要立体包地处理)
1 j( W8 D1 @0 ?0 w4 E9 A ? ^采用T型的拓扑结构,在支点处接50欧姆的上拉电阻
: Q3 C. l0 i, g0 q8 `1 D保证分支线最短,至少小于主干线的1/2长度
5 M4 f a4 S6 C. jCLKP与CLKN要严格等长,偏差范围为50mil, 长度不可以超过4000mil5 M8 \) i8 Q) m
2 DQS(Data Strobe Signal 数据选通信号),DQSP与DQSN为差分等长线,. `% e0 T# |; n3 ~
严格等长控制在50mil之内,以CLK为参考,允许的走线偏差范围在500mil.
" t7 M. m8 ~, R* A% rDQS差分阻抗要控制在100欧姆3 [& d1 a+ a0 V0 i% T6 K
3 DQ(0:7)走线以DQS0为标准,允许的走线偏差范围在50mil.8 W3 ^6 `1 F1 q2 Q8 M/ I3 M
DQ(8:15)走线以DQS1为标准,允许的走线偏差范围在50mil.
0 Q" ]- x7 f6 L. W7 n. }( U DQ16:23)走线以DQS2为标准,允许的走线偏差范围在50mil.
& l: ]: ?' V7 q+ [& b DQ(24:31)走线以DQS3为标准,允许的走线偏差范围在50mil.8 ^. m9 \# N0 o
4 DM0走线以DQS0为标准,允许的走线偏差范围在50mil.- N- T, D9 g0 @
DM1走线以DQS1为标准,允许的走线偏差范围在50mil.( G5 U. o4 s" |
DM2走线以DQS2为标准,允许的走线偏差范围在50mil.1 O# l i; L [5 n; f2 a, Y
5 ADDR(0:14)以CLK为标准,允许的走线偏差范围在100mil.* o/ l: n( z5 V" H F" A" F6 a q
6 控制信号线BA(0:2).DM,CKE,CSN,WEN,CASN,RASN,ODT以CLK为标准,允许的走线偏
" C: A$ S2 V/ o; w J 差范围在100mil.
9 K: y8 t! s7 }. d# Y6 V7 e' \2 E阻抗控制50欧姆,单端串联接33R& v7 q7 s) [' B5 T, y t
请问各位大神,是DDR3的阻抗线是否要求制版厂控制阻抗,还有DDR3仿真用的是什么软件?
4 m! M) x7 n* O W' V0 b
4 T0 [- ]$ L$ U( M$ l |
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