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本帖最后由 alexwang 于 2018-7-3 09:38 编辑
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0.5mm pintch QFN封装如何优化Crosstalk?这里有解决方案! 4 _7 i ~$ v3 a0 l. a& D' X
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一、引言 随着电路设计高速高密的发展趋势,QFN封装已经有0.5mmpitch甚至更小pitch的应用。由小间距QFN封装的器件引入的PCB走线扇出区域的串扰问题也随着传输速率的升高而越来越突出。对于8Gbps及以上的高速应用更应该注意避免此类问题,为高速数字传输链路提供更多裕量。本文针对PCB设计中由小间距QFN封装引入串扰的抑制方法进行了仿真分析,为此类设计提供参考。 9 `3 c) j8 e# ]5 k$ B7 a" T
二、问题分析
; L( w$ F/ }2 S% [$ Q) I7 ~& l 在PCB设计中,QFN封装的器件通常使用微带线从TOP或者BOTTOM层扇出。对于小间距的QFN封装,需要在扇出区域注意微带线之间的距离以及并行走线的长度。图一是一个0.5pitch QFN封装的尺寸标注图。 图一 0.5 pitch QFN封装尺寸标注图
6 q- P5 q" z; G( H8 R4 y5 B4 {图二是一个使用0.5mm pitchQFN封装的典型的1.6mm板厚的6层板PCB设计: 图二 QFN封装PCB设计TOP层走线
! h" P. H4 q& y B3 Y, `& B差分线走线线宽/线距为:8/10, 走线距离参考层7mil,板材为FR4. / D. T) w0 i. @ @
图三 PCB差分走线间距与叠层
; Z2 o6 {& y: ?) a% ^从上述设计我们可以看出,在扇出区域差分对间间距和差分对内的线间距相当,会使差分对间的串扰增大。 图四是上述设计的差分模式的近端串扰和远端串扰的仿真结果,图中D1~D6是差分端口。
- x( _3 d6 X$ k图四 差分模式端口定义及串扰仿真结果
: u, J1 e1 Z3 R2 k0 Z+ j/ k从仿真结果可以看出,即使在并行走线较短的情况下,差分端口D1对D2的近端串扰在5GHz超过了-40dB,在10GHz达到了-32dB,远端串扰在15GHz达到了-40dB。对于10Gbps及以上的应用而言,需要对此处的串扰进行优化,将串扰控制到-40dB以下。
( y- J$ U6 O9 R$ I0 i三、优化方案分析3 P- y8 ~- [" |0 e: i
对于PCB设计来说,比较直接的优化方法是采用紧耦合的差分走线,增加差分对间的走线间距,并减小差分对之间的并行走线距离。 图五是针对上述设计使用紧耦合差分线进行串扰优化的一个实例: 图五 紧耦合差分布线图 2 j' _! F; s7 R+ {
图六是上述设计的差分模式的近端串扰和远端串扰的仿真结果: 图六 紧耦合差分端口定义及串扰仿真结果 ' a! k* n, ]* r" s+ p! D4 C( S
从优化后的仿真结果可以看出,使用紧耦合并增加差分对之间的间距可以使差分对间的近端串扰在0~20G的频率范围内减小4.8~6.95dB。远端串扰在5G~20G的频率范围内减小约1.7~5.9dB。
$ j$ B, N0 [ |7 \- j, X表一 近端串扰优化统计
' K7 }( p" b. k表二 远端串扰优化统计 : N7 c' @* l# w3 v7 i" p* r
除了在布线时拉开差分对之间的间距并减小并行距离之外,我们还可以调整差分线走线层和参考平面的距离来抑制串扰。距离参考层越近,越有利于抑制串扰。在采用紧耦合走线方式的基础上,我们将TOP层与其参考层之间的距离由7mil调整到4mil。
: H W) m- J2 ]$ A$ ?图七 叠层调整示意图
6 M/ ^( V' O. S根据上述优化进行仿真,仿真结果如下图: 图八 叠层调整后串扰仿真结果
5 E' w, x) B% _) Y+ l: ^2 p 值得注意的是,当我们调整了走线与参考平面的距离之后,差分线的阻抗也随之发生变化,需要调整差分走线满足目标阻抗的要求。芯片的SMT焊盘距离参考平面距离变小之后阻抗也会变低,需要在SMT焊盘的参考平面上进行挖空处理来优化SMT焊盘的阻抗。具体挖空的尺寸需要根据叠层情况进行仿真来确定。 图九 叠层调整后QFN焊盘阻抗优化示意图 ; O7 a& i3 _" W: i- t- ~! c+ B& ?
从仿真结果可以看出,调整走线与参考平面的距离后,使用紧耦合并增加差分对之间的间距可以使差分对间的近端串扰在0~20G的频率范围内减小8.8~12.3dB。远端串扰在0~20G范围内减小了2.8~9.3dB。 表三 近端串扰优化统计
3 \- t! e2 Z' u' E表四 远端串扰优化统计 四、结论: b: Q e; V2 n" j/ m
通过仿真优化我们可以将由小间距QFN封装在PCB上引起的近端差分串扰减小8~12dB,远端串扰减小3~9dB,为高速数据传输通道提供更多裕量。本文涉及的串扰抑制方法可以在制定PCB布线规则和叠层时综合考虑,在PCB设计初期避免由小间距QFN封装带来的串扰风险。 TI公司的产品DS125BR820、DS80PCI810等芯片都采用了体积小并且利于散热的QFN封装。您可以在 www.ti.com/sigcon查询更多应用于server、storage以及telecom等领域的高速数据传输的repeater和retimer产品。
# Y. D4 c# S, b: u1 {; A其他相关资源 · TI的DS125BR820 40GbEQSFP+信号调理参考设计 · TI的DS80PCI810PCIe-Gen3卡参考设计 · TI的在线仿真设计工具InterfaceWEBENCH® Designer 2 u, U3 e/ p# ?- W3 _. B
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