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mos管电路的用法 看不懂 请大家探讨

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发表于 2016-3-30 18:24 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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如图,这个电路24v输入,为什么能输出12v。 该电路是成熟电路,实际搭出来的确是能测得接近12v电压? 请问怎么分析输出电压的产生。
  p5 ^/ u) a" C6 {7 H: H* j

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发表于 2016-4-1 09:11 | 只看该作者
PTC,按1A*0.7,也最多是0.7V的压降,那还剩下11.3V呢,1欧的电阻跟谁并联都是小于1欧的,PTC限制了回路总电流,如果最大电流只能过1A,那11.3V压降从哪里来呢
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发表于 2016-4-1 19:36 | 只看该作者
在下也發表一下個人看法* V* w' l4 k  q" `- x$ d6 [( w
如版主圖所示,Q1不會工作在飽和區(右側水平線),而是工作在電阻(線性)區(左側斜線)' c" U% P9 w+ e3 f' S8 H  r
通電後,Gate電壓固定24*(51/(22+51)=16.76V,Source電壓開始上升。Vgs越來越小,使Q1脫離飽和區進入電阻區,預期Vgs=16.76-12=4.76時會到達穩態,如此轉出12V
3 A. ?' o; l3 f* q6 z9 A0 F如上面先進所述,PD12是一顆zener diode, 使用Vz=12V的二極體會比較合理$ \7 j6 o( h' v* Z+ ]
R26功能在下也不清楚。樓主電路板上是有上件的嗎?比較能夠避免功率問題的說法應該是該R26與Q1是並聯電路,如果Q1在電阻區的阻值遠低於R1, 那電流就會分流在Q1上。如此負載應要在數十安培才有可能。$ _! ?7 T1 k% g$ @

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 楼主| 发表于 2016-12-13 22:04 | 只看该作者
隔了快一年多再次看到这个帖子,感谢各位的回答,这个电路如今已经搞清楚了,R26是预留!!!!   作为12v与24v系统的备选;当12v系统时,R26贴上,Q1\R27\R28不贴; 24V系统时 Q1\R27\R28贴,R26不贴,mos工作与可变电阻区,vgs对应一个Vds,使得vds有12v左右的电压,后面有接LDO(LDO允许的输入范围是9~33v,电流是200ma),LDO设计时用来产生12->5V,电流是100ma左右,主要热量在mos处;感谢各位!

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发表于 2016-3-30 22:59 | 只看该作者
我也看不懂

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发表于 2016-3-30 23:14 | 只看该作者
書到讀時方恨多!: S2 d" X, l/ S9 p. E
. R2 ~8 m5 f0 C" i7 x7 i9 S& D- J% h
2 Q) H* N8 a" b1 a' e  ]1 H& q

& ]2 Q. M9 ^1 A9 y( X$ z
0 S# u0 K- R' H7 m' Z0 W$ Z

AUIRF3205 Id vs Vds.jpg (66.74 KB, 下载次数: 1)

AUIRF3205 Id vs Vds.jpg

Output Characteristics of a Depletion Mode MOSFET.jpg (102 KB, 下载次数: 1)

Output Characteristics of a Depletion Mode MOSFET.jpg

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版主大哥,小弟结合两张图没看懂  详情 回复 发表于 2016-3-31 09:16
哈士奇是一種連主人都咬的爛狗!

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发表于 2016-3-30 23:36 | 只看该作者
应该是一个NMOS的驱动电路吧,不像常用的电平转换电路。

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发表于 2016-3-30 23:36 | 只看该作者
应该是一个NMOS的驱动电路吧,不像常用的电平转换电路。

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发表于 2016-3-31 00:27 | 只看该作者
该电路没有分析的价值,完全靠特定的条件下得到12V.并没有适用性,想这种不靠谱的电路少用.

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支持!: 5.0
fallen版主,这个电路很疑惑,所以发帖求助,结合狗版主贴的两张图。您的特定条件是指给id一个特定的电流吗?  详情 回复 发表于 2016-3-31 09:15
我记得以前有个人发了一个19种电平转换电路,这个应该完全靠增强型NMOS本身管子参数的特性做的电路,吧.  详情 回复 发表于 2016-3-31 08:34
支持!: 5
想得出來、敢用,單憑兩點還是比我強!^_^  发表于 2016-3-31 08:06

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发表于 2016-3-31 08:34 | 只看该作者
fallen 发表于 2016-3-31 00:27
) f2 g* d, ?) M' s- F1 M4 X该电路没有分析的价值,完全靠特定的条件下得到12V.并没有适用性,想这种不靠谱的电路少用.
: i8 |/ g8 f, o; ~/ h6 M1 O3 `
我记得以前有个人发了一个19种电平转换电路,这个应该完全靠增强型NMOS本身管子参数的特性做的电路,吧.
1 o2 w) a# ?# |: |6 h4 l# _; f

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 楼主| 发表于 2016-3-31 09:15 | 只看该作者
fallen 发表于 2016-3-31 00:27
' V/ P5 Q7 k4 Z. G. A5 g6 M" m' X- V该电路没有分析的价值,完全靠特定的条件下得到12V.并没有适用性,想这种不靠谱的电路少用.

, w  O0 B( ]. X, N0 E5 R7 K+ zfallen版主,这个电路很疑惑,所以发帖求助,结合狗版主贴的两张图。您的特定条件是指给id一个特定的电流吗?; I2 p* i+ i; C

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 楼主| 发表于 2016-3-31 09:16 | 只看该作者
超級狗 发表于 2016-3-30 23:147 q6 A# u1 ^3 U3 ^% n. `0 N+ [
書到讀時方恨多!
1 g# W0 v$ _- B
版主大哥,小弟结合两张图没看懂
, P( K0 W* B+ P1 ^

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[*]第一張圖是 AUIRF3205 V v.s. I 的特性 。 [*]第二章圖示一般 MOSFET 特性曲線的解讀。 [*]V = V [*]I = I + I 懂了嗎? 小弟的能耐只到這裡!  详情 回复 发表于 2016-3-31 09:37

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发表于 2016-3-31 09:37 | 只看该作者
本帖最后由 超級狗 于 2016-3-31 09:39 编辑   o" I% n+ x' u2 M
muyidou 发表于 2016-3-31 09:16& V" B  o0 ^: W6 T' ~
版主大哥,小弟结合两张图没看懂
7 H" w4 H. A5 s" h% q% q- U
  • 第一張圖是 AUIRF3205 VDS v.s. ID 的特性 。
  • 第二張圖是一般對 MOSFET VDS v.s. ID 特性曲線的解讀。
  • VDS = VR26
  • ILoad = ID + IR26
    ' _) c3 T, Y3 c3 W5 X9 S

; P6 V. H/ n& u2 c( C4 Z+ }懂了嗎?4 C+ y# w. C' S# P$ W; K; ~, |2 d  q; z8 ~

& ~& c" X+ Y) S# A小弟的能耐只到這裡!9 z$ l( G. V# z& }! a
' S% v4 Q% o, N: N0 h9 x

, T1 _6 ?" J. R' H

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版主大哥,我和楼下有相同的疑惑,1206的1欧姆电阻能挨得上12v电压吗?  详情 回复 发表于 2016-3-31 14:39
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发表于 2016-3-31 13:46 | 只看该作者
我表示看不懂啊,狗大解释一下,MOS管跟R26并联,1欧的电阻,1206的封装,12V的压降,意思说通过电阻的电流12A,这不科学啊

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家裏沒大人?輪得到 R26 說話嗎?  详情 回复 发表于 2016-3-31 16:52
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 楼主| 发表于 2016-3-31 14:39 | 只看该作者
超級狗 发表于 2016-3-31 09:37
  • 第一張圖是 AUIRF3205 V[sub]DS[/sub] v.s. I[sub]D[/sub] 的特性 。
  • 第二張圖是一般對 MOSFET  ...

  •   e$ B& \7 ?) P( ]3 J' K8 d 版主大哥,我和楼下有相同的疑惑,1206的1欧姆电阻能挨得上12v电压吗?
    " b9 u$ D& |8 I) G6 z! u5 s0 S0 z  z

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    发表于 2016-3-31 16:52 | 只看该作者
    skatecom 发表于 2016-3-31 13:46
    6 U+ Q" |4 v" o* X7 x  _& q我表示看不懂啊,狗大解释一下,MOS管跟R26并联,1欧的电阻,1206的封装,12V的压降,意思说通过电阻的电流 ...
    / m7 l, l2 ]2 D! A
    家裏沒大人?輪得到 R26 說話嗎?
    + m- g5 P4 ?  v6 u8 x
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    发表于 2016-3-31 17:42 | 只看该作者
    这个电路有点不是很明白,R26的电阻是选择性的上吗?出12V时,R26不上?

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    发表于 2016-3-31 17:44 | 只看该作者
    如果R26不上件,特定条件下输出12V可以理解,但是R26如果上件,输出12V,必须靠保险丝和R26的串联来顶到12V,耗散功率保险丝根本就顶不住。
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