求助：为什么HFSS仿真中lumped port集总端口尺寸大小会影响仿真结果？

小螺号

5 `) P5 L" V  m( P. Y7 S; _$ P
我使用HFSS设置集总端口lumped port 时，把lumped port尺寸设置为两种不同的大小时，发现两种情况仿真出来的结果（阻抗）有明显的区别，这是为什么呢？这两种情况是：（1）lumped port大小只接触到传输线和参考地边界；（2）lumped port大小覆盖传输线端口面，但只接触到参考地边界。下面为两种端口设置图：图1和2分别为情况一和情况二，图片右边导体为参考地。有哪位知道，帮忙解答一下，先谢谢啦！
( ?( [4 b; U- H' q) A5 P- }

cousins

yangjinxing521 发表于 2016-7-18 10:24
0 h% O9 Z3 F( w9 z8 R为什么？？？

6 P9 H' m- @3 {# ]7 q6 O了解二端口网络计算原理的你就会清楚。
; X' f4 X( S  f4 N. FS11和负载阻抗，传输线特征阻抗，相位 有较大的关系，而这三个因素在实际测试时都有误差，你无法绝对保证和仿真的条件完全拟合，所以最终仿真的结果与测试的结果在幅度，相位角度上一定会有偏差。
4 e1 H( J& @5 i& @( x2 O- W$ W

咚次哒次

1.首先，要注意的是在设置集总端口激励时，两种求解类型（模式驱动、终端驱动）所对应的设置方式是不同的。目测你应该是应用的模式驱动求解类型。
+ G/ T# _8 n) p: [0 q4 `2.模式驱动求解类型下，集总端口设置的几个tips：
（1）需要设置端口阻抗，作为在端口处计算S参数时的参考阻抗；
9 P9 c  x% t, S" a0 @（2）集总端口面宽度与微带线宽度相同即可；
（3）集总端口面上下边缘，分别与微带线和参考地相接即可，不要覆盖或重叠；
/ F5 s! k" ~! W) M2 `# ?（4）积分路径的起点和终点分别是微带线上下边缘的中点。
以上是我知道的，希望可以帮到你。

hanqianq123

cousins 发表于 2016-7-14 17:15
& h% A( S# h! f6 i: {覆盖的字面意思是：端口的面和导体的面重叠了。。。
端口与导体面相切是仅仅一条边。
这样好理解了么？ ...

soga~~,懂了，谢谢~~最近在仿真一个滤波器的模型，结果发现，同一个模型，利用两种加端口的方式，得出来的结果，S21基本重合，但S11相差就比较大，其实曲线起伏大概都是一样的，但是具体的值就不一样，也不知道到底是什么问题，所以在寻找答案过程中，，能帮我看看么

欧北_ale

有深度的讨论

nonpariel

) X2 F- p3 B# g. \那么波端口和集总端口提出的Z参数应当一样吧？

cousins

带宽宽用插值算法。
0 P9 m* ]! R% ~! f- [waveport的大小影响频偏是很正常的，大小设置参考阿笨的走进port

hanqianq123

cousins 发表于 2016-7-22 10:12
" s0 ^9 m6 |  S  ^9 P( Z造成这种差异有几个方面：
1.扫频的拐点频率，步长设置是否与VNA一致
2.看你和实际制版工艺/材质频变特 ...

这是实物和仿真之间的频移的原因吗？我想问同一种模型，两种端口设置下仿真结果也有频移的情况出现是什么原因，不过我的HFSS仿真时宽带设置的是比较宽，会不会和这个有关系
7 `2 A( f; C5 A2 f8 B0 n

cousins

hanqianq123 发表于 2016-7-22 09:54
3 d6 h8 D) V8 ~那在通带内，S11d的峰值处，每个大概有100MHz的带宽偏移也是正常的吗？

造成这种差异有几个方面：
& Q% K" ?2 H* L: ], H7 b, ~1.扫频的拐点频率，步长设置是否与VNA一致
2.看你和实际制版工艺/材质频变特性的差异性
; Z; t, e& x; ?7 g7 J, n
9 Q' k. y: Q5 a; M2 c如果你扫的是大宽带又存在工艺材质误差，频偏100MHz很正常。
+ H1 ?- n+ p. A

hanqianq123

cousins 发表于 2016-7-18 10:16
S11相差大正常的，带宽近似，趋势相近就可以了。

" c+ c3 }' @. v# `) Y; M$ b那在通带内，S11d的峰值处，每个大概有100MHz的带宽偏移也是正常的吗？

yangjinxing521

cousins 发表于 2016-7-18 10:16
- h( @8 F4 b8 e! p, sS11相差大正常的，带宽近似，趋势相近就可以了。

为什么？？？

cousins

S11相差大正常的，带宽近似，趋势相近就可以了。
& O: Q$ M. g  x! x

cousins

hanqianq123 发表于 2016-7-13 14:24
什么叫不要覆盖导体，我没有懂，比如说，在一个微带线横截面加一个集总端口，除了宽度与微带线宽度一致， ...

+ ?; n' p3 B; w覆盖的字面意思是：端口的面和导体的面重叠了。。。
端口与导体面相切是仅仅一条边。
# r+ ?; d* z4 Y: ~! H* R这样好理解了么？
3 {; ], M& o0 g" z

hanqianq123

cousins 发表于 2016-3-27 07:14
) F6 U8 a+ K6 t! z- Clumped设置任何一个边都不要覆盖导体。电磁波在介质中传播和在导体中传播特性是不一样的。下端口要有一种 ...

, \# l4 v' P6 F1 @0 z' d什么叫不要覆盖导体，我没有懂，比如说，在一个微带线横截面加一个集总端口，除了宽度与微带线宽度一致，高度是一边接触到地，另外一边是接触微带线的下表面（端口不覆盖导体），还是上表面（端口覆盖导体）？求解答~~

小螺号

cousins 发表于 2016-3-27 07:14
lumped设置任何一个边都不要覆盖导体。电磁波在介质中传播和在导体中传播特性是不一样的。下端口要有一种 ...

原来是这样，谢谢！
8 P) D5 F: V0 [# r$ ]; m# D# {

cousins

小螺号 发表于 2016-3-26 23:57
8 n9 A1 z8 ?5 z那如何设置才是正确的呢？

6 Y# N# u+ f4 n9 b% {- a/ Z; S5 }# B4 Vlumped设置任何一个边都不要覆盖导体。电磁波在介质中传播和在导体中传播特性是不一样的。下端口要有一种猜想，我会以这么大的位置引入对应的电场，电磁波传播的方向与这个面垂直，同时磁场与电场正交。