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[仿真讨论] HFSS PORT 终极解决方案(二)

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本帖最后由 alexwang 于 2018-7-2 15:23 编辑
# x. Z6 g9 `4 E3 W0 I) g( s* W7 {; K& J% J- F8 `
4 e& `  V7 t1 j9 @# ?0 l# t
本文大纲
) z% `4 J  P4 {- A3 a' @& W
本文章分三部分:
+ L9 B0 g: b) w0 k: z
(一)wave port与lumped port的理解
# I$ [( @8 c! Q& x6 x* @(二)两种port的仿真操作用法5 Z/ V, a$ r$ m" I0 ^) g
(三)S参数归一化的问题
) R+ @9 L0 D+ x3 u9 G; t6 |( Z% r8 T说明:这里说的port主要是针对Ansys的HFSS电磁场全波仿真器
1 \$ l' E1 T* }+ D3 `
6 @" L8 Q  Y, w' m( ~简单介绍下HFSS:
( C; u+ A0 h3 {! z* y+ `' ^ANSYS HFSS,是ANSYS公司推出的三维电磁仿真软件;是世界上第一个商业化的三维结构电磁场仿真软件,业界公认的三维电磁场设计和分析的电子设计工业标准。HFSS提供了一简洁直观的用户设计界面、精确自适应的场解器、拥有空前电性能分析能力的功能强大后处理器,能计算任意形状三维无源结构的S参数和全波电磁场。HFSS软件拥有强大的天线设计功能,它可以计算天线参量,如增益、方向性、远场方向图剖面、远场3D图和3dB带宽;绘制极化特性,包括球形场分量、圆极化场分量、Ludwig第三定义场分量和轴比。使用HFSS,可以计算:
) v  r! F8 g  A① 基本电磁场数值解和开边界问题,近远场辐射问题
& X! h$ a3 D5 m8 R1 w! w② 端口特征阻抗和传输常数
- X# T- @. m: v. W; J! A( r③ S参数和相应端口阻抗的归一化S参数9 c" P4 I4 u: ~
④ 结构的本征模或谐振解。
& {, v5 L; v, F而且,由ANSYS HFSS和ANSYS Designer构成的ANSYS高频解决方案,是目前唯一以物理原型为基础的高频设计解决方案,提供了从系统到电路直至部件级的快速而精确的设计手段,覆盖了高频设计的所有环节。现在最新的版本应该到了ANSYS HFSS 16.2 Z7 i  e0 s! b
ANSYS workbench# [2 k5 i. U+ u. Q1 |* a/ P+ W

+ @0 Z' T, X" ~$ }0 d2两种port的仿真操作用法
) U! f  f$ A* o1.微带线下wave port
. U+ a# \1 `5 l( K7 f4 I. H如图5所示,首先在背景的表面上画一个sheet,也就是长方形,长方形的高度需要为导体与参考平面的6-10倍,宽度大约为导体宽度的5倍左右,以保证wave port足够的大,能覆盖到导体周围的磁力线,减小仿真偏差,另外要保证port能够同时接触到参考平面和导体。9 t6 I* \' O5 m+ m5 z, v

5 B, F) m$ f; T3 p$ Y图5
: p+ d1 X' C; p% u  Z然后选中刚才所画的sheet,点击右键选中则“assign excitation”里的“wave port”然后在对话框里选好参考平面就OK了,见图6所示。, I* E. j8 K8 ~; Z
& s# M# Q$ S: ^6 Y( ~: m& E
图6
( W( V6 Q2 R% q$ b2.微带线下lumped port
: ]4 F) A& F6 l8 ~如图7所示,同样需要画一个sheet,不过这个sheet没有高度宽度要求,但是它需要一边接触导体,一边接触参考平面,注意下sheet不要接触到空气盒(airbox),不然仿真时可能会报错
/ p- b' p) Z+ C0 w+ J- R ; X, u) |# M. Z9 Q- L1 V: y
图7
' k% D$ @9 Z0 p0 I* J然后选中刚才所画的sheet,点击右键选中则“assign excitation”里的“lumped port”然后在对话框里选好参考平面就OK了,见图8所示# T9 `- e9 b7 K5 o) p
4 g; X, a. j! j; H7 _5 q/ `
图81 {. u8 @0 P/ N/ W- |$ o3 c
3.带状线下wave port0 e% c" w5 I1 _
如图9所示,首先在背景的表面上画一个sheet,长方形的高度需要为导体与参考平面的6-10倍,宽度大约为导体宽度的5倍左右,以保证wave port足够的大,能覆盖到导体周围的磁力线,另外要保证port能够同时接触到两个参考平面和导体。
# G* {1 Q0 J( ~. S
" o) T' p' D* A  y图9
# e6 U3 g; A2 K7 f% y# @  z0 r, q然后选中刚才所画的sheet,点击右键选中则“assign excitation”里的“wave port”然后在对话框里选好两个参考平面就OK了,见图10所示。
+ x. l" j6 p" f% D   _; |1 M8 U' |9 V1 R
图10
; k" a' L: U6 ]4.带状线下lumped port
& I! V  d4 x9 V3 v带状线下lumped port比较特殊点,因为有两个参考平面。最好下port之前将导体内缩一点以便下port,也就是说导体的边界比参考平面稍微短一点,然后在参考平面间画一个sheet,上下边必须要同时接触到两个参考平面 ,如图11所示,然后选中该sheet点右键选择“assign boundary”里的“Perfect E”设为理想电边界。
2 G6 R! s6 t0 [5 s/ V& F
6 _) G* u; Y7 k" y: L图11
' c  M) J3 E+ d/ R/ C% b" U接着类似于微带线下lumped port的做法,再画一个sheet,平行于参考平面,且垂直并接触导体和刚才设置的理想电边界,如图12所示。
- D# o1 _- Y$ f* O) D
4 r1 B: ]+ r* Q3 g! x- t+ @$ k图12
9 W$ ]/ e& \* P7 z0 R! g7 R% G选中刚才所画的sheet,点右键选中则“assign excitation”里的“lumped port”然后在对话框里选好参考平面(刚才设置的理想电边界)就OK了,如图13
$ m0 ?& K) C; I$ D. j" _' q( G
- B2 V- V4 f& f) Z. V8 |图13! ], B) K$ d  x: L
未完待续.....
7 K9 I( z) l/ B% r& x+ ^
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发表于 2017-3-15 16:22 | 只看该作者
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