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DDR3的终端电阻周边的电容问题

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发表于 2016-1-15 13:50 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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如图所示,一般情况下,我们会在DDR3的终端电阻周围会摆放一些0.1uF的小电容,也作为储能和滤波用。一般情况下,电容是对地的,这次见到这样一种设计,电容不是对地的,而是对1.5V供电电压的,不太明白为什么这么设计,还是说有什么特别的作用呢,希望大家给帮忙看看,谢谢大家了
+ V5 C- {, R# T5 v; Y: w

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 楼主| 发表于 2016-1-15 13:51 | 只看该作者
自己先顶一个

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发表于 2016-1-15 14:56 | 只看该作者
帮顶,也刚开始用DDR3

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 楼主| 发表于 2016-1-15 15:03 | 只看该作者
今天怎么没人呢,大神呢,杜老师呢

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发表于 2016-1-15 15:47 | 只看该作者
GND也不一定就是0V,1.5V也可以作为基准电平。/ a* Z3 P, T( I; \, \: l- R
所有的电压值都是相对的压差,只要有压差,电容就能起作用。

点评

嗯,明白了,还想问下杜老师,基准电压是选择GND好还是选择1.5V好呢,我的感觉是GND应该更稳定一些,不知您怎么理解  详情 回复 发表于 2016-1-15 16:04
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 楼主| 发表于 2016-1-15 16:04 | 只看该作者
dzkcool 发表于 2016-1-15 15:47. I' N' ?  N( w; c" _% d
GND也不一定就是0V,1.5V也可以作为基准电平。! _* \* G5 t0 R/ |, s
所有的电压值都是相对的压差,只要有压差,电容就能起作用 ...
1 }) y3 \- W5 H) A! K- S2 ?* K6 `
嗯,明白了,还想问下杜老师,基准电压是选择GND好还是选择1.5V好呢,我的感觉是GND应该更稳定一些,不知您怎么理解
/ a" {, T; P  i. [9 C

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发表于 2016-1-15 22:53 | 只看该作者
nighteif 发表于 2016-1-15 16:04
8 s2 f& _; ^6 O/ f嗯,明白了,还想问下杜老师,基准电压是选择GND好还是选择1.5V好呢,我的感觉是GND应该更稳定一些,不知 ...

8 h7 ?5 B7 T( r' `这个应该是两个电源平面间的滤波,有一个去耦和拉平电平的作用

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 楼主| 发表于 2016-1-16 20:54 | 只看该作者
菩提老树 发表于 2016-1-15 22:539 B8 b) h$ y: k( O% b
这个应该是两个电源平面间的滤波,有一个去耦和拉平电平的作用
3 `3 {* r( s; b$ T: l& }9 X" f% |
好的,谢谢了
; g! S' o, f! F% E) S4 E

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发表于 2016-1-20 17:29 | 只看该作者
可能DDR3控制线PCB走线参考的就是电源平面,这样滤波会更好些

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 楼主| 发表于 2016-1-23 15:11 | 只看该作者
esyintao 发表于 2016-1-20 17:29. f  P+ z2 g# i' s: B. `
可能DDR3控制线PCB走线参考的就是电源平面,这样滤波会更好些

$ ], d: d: C5 I6 A  \- r" K待我问问这么设计的人
3 Q7 g- s# i# g6 y/ u) n+ ^

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发表于 2016-2-1 09:41 | 只看该作者
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