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比较下2款稳压管做的过压保护电路

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发表于 2015-12-15 23:49 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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比较下优劣
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 楼主| 发表于 2015-12-15 23:51 | 只看该作者
第一个图为小厂家,第二个图为大厂家。产品为竞争机型,均使用5V1A电源

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发表于 2015-12-16 09:14 | 只看该作者
图一多的两颗分压电阻分别对PNP的Veb和MOS管的Vgs起到一个保护作用,不知道理解的对不对

点评

因为MOS被击穿一般都是在G级悬空的情况下,由于寄生电容,可能管子会被击穿,但现在的管子一般内部做了保护电阻的,而且外部G级有一个到地电阻,这里的R5我觉得是三极管导通的时候给G级一个快速响应的确定态,从R5比  详情 回复 发表于 2015-12-17 15:53
不对  详情 回复 发表于 2015-12-17 15:45

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发表于 2015-12-16 18:55 | 只看该作者
第一个图电阻值很小。流过稳压管的电流应该会很大。 第一个图的R5 是预留的? 实际不焊接的吧?

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发表于 2015-12-17 15:29 | 只看该作者
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发表于 2015-12-17 15:45 | 只看该作者
bbw2131489 发表于 2015-12-16 09:14# }4 ^; u# u( {; p/ T* Z& _
图一多的两颗分压电阻分别对PNP的Veb和MOS管的Vgs起到一个保护作用,不知道理解的对不对

# x; f2 u* @7 E# p: U4 g; X  {不对
: N5 ~/ r& b2 M1 X

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发表于 2015-12-17 15:53 | 只看该作者
bbw2131489 发表于 2015-12-16 09:144 q) A8 C! E# K
图一多的两颗分压电阻分别对PNP的Veb和MOS管的Vgs起到一个保护作用,不知道理解的对不对

9 f1 Z/ [1 |' c+ Q0 P" r因为MOS被击穿一般都是在G级悬空的情况下,由于寄生电容,可能管子会被击穿,但现在的管子一般内部做了保护电阻的,而且外部G级有一个到地电阻,这里的R5我觉得是三极管导通的时候给G级一个快速响应的确定态,从R5比R4多了20倍不止就可以看出来1 o3 |( p/ n, E$ W6 i! N

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发表于 2015-12-17 15:55 | 只看该作者
第一个图三极管的分压电阻值可以值乘以10,现在的值太小会增加损耗
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