PMOS几个参数有点不理解

zhanweiming2014

  在选型PMOS过程中
1，第一份手册，
, c& z9 s) s2 P( l& J. \4 h    switching parameters  一栏
  O9 m6 t, V. n3 W8 R    ★   在关闭和开启时间旁边有个测试条件是这样子描述： VGS=-10V,VDS=-15V,RL=0.82Ω，Rgen=3Ω. 这里的 Rgen是如何理解?
    ★    body diode reverse recovery time用来描述内置肖特基反应时间(IF=-18A,dI/dt=100A/us测试条件)
2，第二份手册   
) O! b$ K1 {) V- p. d' o- |; J! r  t    switching parameters  一栏
   ★  在关闭和开启时间旁边有个测试条件是这样子描述： Vdd=-15V,ID=-15A, VGS=-10V，Rgen=6Ω.
   ★  DRain source diode forward current      -65A。 这个65A不知道如何得出这个值？


, F3 {) g1 d1 A2 T4 I; ?那么就有几个问题出来了
2 [2 U( o- e% C( ~1） 内置肖特基特性，那个参数更能反映优劣性能？个人觉得, dI/dt=100A/us
# l; N( `4 f3 ~5 d# f2） VDD和VDS两个电压是有差别的， 出现在手册里面，对VDS理解较容易， VDD呢？和ID关系呢？
' K( [% |( L" _
* s: N% J6 Y7 Q$ P4 {& ~, B  }
: k0 \7 q9 ?) `4 r  D/ k6 C8 h% \/ x因为最近有几款大功率驱动需要做，所认真读了下手册，竟然很多内容不能加以理解。请高人加以指点，在此谢过！！！！

zhanweiming2014

7 H; {5 |9 Q% x
! a& P! Q: [' ?; F! w5 T3 j这里对MOS一些参数汇总一下，算是对自己总结下
1，UGS--手册里面提到的一般是阈值，-20V~+20V，但是温度的改变，又会导致这个值得变动，且往小处变，变化系数-5mV/℃，在实际中，MOS温度达到80℃是经常的事情
2，正向传导系数yfs，这个参数我在选用中，真的考虑很少，甚至没有想到过。是这样子描述的：单位VGS变化所引起漏极电流的变  化，看到这个，再看看第一点，很快就明白了，MOS莫名其妙电流变大
/ |& W6 i6 _; |: {. B: L% i4 }- {1 W3，漏极/原极导通电阻，导通电阻越大，这开启状态时损耗越大，也就是PWM信号占空比了，其实这里有两个关键字，“导通”，“开启”，用示波器观察过DS波形的人，都知道联系到这两个关键，怎么样去确定到底导通了多久，还得去仔细观察，况且这个值还会随着温度升高而增加，至于这个功耗就简单了PT=I2R(DS)
; s+ M" }* f9 ]% V0 V4，内部容量，也就是栅极，漏极，原极之间存储能量
( ?0 a' N8 e, v, I
这个参数，我也一直没有真正去考量过，只是大约估算着，输入的频率
5，内部二极管反向恢复时间

5 [; `% ?) G7 K5 j4 V7 e5 [+ H说真的，这个参数，在我心里好像是一个魔术，知道这么回事，却不知道如何去贴近实际理解6，连续漏极电流
; ^9 l8 Q9 `) R: S7 @) N$ z定义为芯片在最大额定结温TJ(max)下，管表面温度在25℃或者更高温度下，可允许的最大连续直流电流。该参数为结与管壳之间额定热阻RθJC和管壳温度的函数
PD=ID(2)R(DSON)

以上参数都是，网上摘录下来的。只是加入些个人理解
; P2 k! N/ d+ o$ E$ N8 S. l3 K3 k

* C9 H# e# N% G7 {" F. ^7 h

2 y* @6 L1 z) r% _* K" B9 ^7 g

zhanweiming2014

6，Ciss ：输入电容
将漏源短接，用交流信号测得的栅极和源极之间的电容就是输入电容。Ciss是由栅漏电容Cgd和栅源电容Cgs并联而成，或者Ciss = Cgs +Cgd。当输入电容充电致阈值电压时器件才能开启，放电至一定值时器件才可以关断。因此驱动电路和Ciss对器件的开启和关断延时有着直接的影响。
" `' ^, o/ s3 }7，Coss ：输出电容
将栅源短接，用交流信号测得的漏极和源极之间的电容就是输出电容。Coss是由漏源电容Cds和栅漏电容Cgd并联而成，或者Coss = Cds +Cgd对于软开关的应用，Coss非常重要，因为它可能引起电路的谐振
# Y, {8 i& x. i& w) X* q5 g8，Crss ：反向传输电容
$ ?. K$ G& p( X& Z+ c2 `' f在源极接地的情况下，测得的漏极和栅极之间的电容为反向传输电容。反向传输电容等同于栅漏电容。Cres =Cgd，反向传输电容也常叫做米勒电容，对于开关的上升和下降时间来说是其中一个重要的参数，他还影响这关断延时时间。电容随着漏源电压的增加而减小，尤其是输出电容和反向传输电容---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
以上三个参数，与实际应用计算却不知道了，有待....
7 s+ v! w8 A. y4 f

zhanweiming2014

我总结一下，这几个月我使用PMOS经历
1，RDS不仅仅决定了功耗，还有输入电容
    一开始选择MOS时候，我差不多都是以RDS为标准，当然是在电压和电流满足前提下，可是后来选用了一款RDS很低的MOS ,测量发现，功耗并没有减少，然后仔细一看，发现Ciss要比之前的大很多
2，通常情况下，电流特性相对于电压特性，更重要些，当然是针对DC低压供电情况
3，负载的匹配，太重要了，可是一直是靠着实验方式去验证，比较费劲，效果也不错
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  现在也有些问题，一直模糊着
2 Z5 ~  b+ C& J 1，MOS功耗是由RDS和开关频率共同决定的，至少对我的感性负载是这样子，且有些杂散的波形，这之间关系如何去调配，当然是理论前提
2，负载匹配，我一直都是按照谐振频点去靠近，当然最后是实验，我不知道实际工程，是否有更加可靠的计算方式

fallen

Rgen是串联在GATE的那个电阻。
- M$ [5 m8 N4 |* `" z# o65A如果是平均值，那么是按照热阻计算出来的。
3 E) @$ |; m) i/ y$ }VDD通常代表器件的对GND的电压。

zhanweiming2014

fallen 发表于 2015-12-2 17:21
: L6 |0 T1 ^8 @! ?( IRgen是串联在GATE的那个电阻。
  S/ F( [1 d* v# H/ L+ E" U( {4 X65A如果是平均值，那么是按照热阻计算出来的。
VDD通常代表器件的对GND的 ...

: ~* H/ g  I% J2 g谢谢解答
7 F) R- [, o! e7 p5 {" w
平均电流是，热阻算出来？
# \- p* ?# E; S+ d! g! {3 `5 R如何理解？
+ P( y* n5 Q% t6 C

fallen

zhanweiming2014 发表于 2015-12-2 17:37
8 D" a$ k8 D: s9 ~/ Q+ ^. z谢谢解答
9 w" }$ S  h+ s
平均电流是，热阻算出来？

  v* ^8 C4 C2 E% l; u% M# vSORRY,那个65A的话我收回，我看错了，我以为是D-S的电流，原来是体二极管的正向电流。
里面体二极管的正向电流不清楚。
0 k% d8 I  E# I! W% D' w! |

zhanweiming2014

fallen 发表于 2015-12-2 18:28
) j) s+ K4 f" \1 I) BSORRY,那个65A的话我收回，我看错了，我以为是D-S的电流，原来是体二极管的正向电流。
里面体二极管的正 ...

3 z- W/ ~* k5 K9 U- W" q1 Z- T    还是谢谢你的解答其实我把体二极管列出来，是有两个意思
' s( @* d" i- r% s
1，这里 体二极管应该是 用来释放MOS关闭时能量，为什么使用平均电流？
, n& K$ i$ Y" I5 K# T- r
2，由于开关频率关系，按理说，我需要的是di/dt这个斜率才对

fallen

zhanweiming2014 发表于 2015-12-4 09:19
还是谢谢你的解答其实我把体二极管列出来，是有两个意思
, D, U4 R+ Z% B( K2 W
3 {: N" R) V$ [& y1 g  X3 Z/ _1，这里 体二极管应该是 用来释放MOS关闭 ...

; T4 h  f$ H' w6 ~8 a0 f. y% G释放MOS关闭的能量------不太认同。因为只有对于感性电路才有要求释放能量。而这体二极管应该是工艺多导致的。
如果看开关频率的关系，应该是要看反相回复时间。
# F# f% v+ E, }1 d3 ?' q0 E

超級狗

# Z+ B9 p+ v* S/ `; `( }R_gen 的作用是 MOS 管在做開關測試時，需要產生上升（Rising）或下降（Falling）時間。

( M1 }; J$ {+ u0 O- W由於不同型號的 MOS 管，被設計出來時的寄生電容（Parasitic Capacitance）都不一樣，所以 R_gen 搭配脈波產生器（Pulse Generator）的值各有不同。芯片資料只是告訴你，做此項測試時所搭配的電阻值大小。
  }: n$ r* }# w8 x4 M2 E4 }
" \( l& g, w. O4 x- K
5 [* I2 B9 c9 g! q  r

超級狗

關於 UIS（Unclamped Inductive Switching）測試，請考 JEDEC JESD24-5 規範內容。
. q( w. i" C  R

zhanweiming2014

fallen 发表于 2015-12-4 10:25
9 _5 U" \3 b/ o释放MOS关闭的能量------不太认同。因为只有对于感性电路才有要求释放能量。而这体二极管应该是工艺多导 ...

9 e3 j4 t9 j' f1 t2 e, R- ^    哦，这里我把体二极管看成是，内置二极管。的确实感性负载
: x& J$ W+ b6 O) i8 f

zhanweiming2014

$ @' r/ `# C, x% K* f# V* I
' |* l  m9 R9 m' u- C- p2 }一开始使用MOS时候，第一时间想到的是，额定电压，额定电流，RDS，三个参数，其它参数都是“走马观花”式的，随着应用越来越多，功率越来越大，渐渐关注了其它参数，
第一时间反映过来的是，功耗。粗若估计，发现电源应用效率偏低，也就考虑到了MOS上面。

zhanweiming2014

8 h7 t- A) N4 ?' g! l' ^+ \) B
9 @4 h+ S/ u; A( {热阻，我在实际工作中，很少仔细计算过这个，一般是由散热器，仿真分析散热
2 Z( V3 x; E. n- }- ^

RDS(on)是指在特定的漏电流（通常为ID电流的一半）、栅源电压和25℃的情况下测得的漏-源电阻。这是来自互联网解释，不知对错了
, Q. U* Q' B8 B5 V+ v
( g- `: }7 K* Y

xxzhu163

赞一个！我感觉很多运用中，根本没有理解也没有认真去看这些参数的。只有真正的高手，才会去关注这些参数，他们设计出来的电路也更加稳定。