PMOS几个参数有点不理解

zhanweiming2014

  在选型PMOS过程中
5 ]8 o9 L8 `8 D' ?! q  i1，第一份手册，
    switching parameters  一栏
    ★   在关闭和开启时间旁边有个测试条件是这样子描述： VGS=-10V,VDS=-15V,RL=0.82Ω，Rgen=3Ω. 这里的 Rgen是如何理解?
    ★    body diode reverse recovery time用来描述内置肖特基反应时间(IF=-18A,dI/dt=100A/us测试条件)
2，第二份手册   
/ o7 T+ \% t' U! }7 C0 K    switching parameters  一栏
   ★  在关闭和开启时间旁边有个测试条件是这样子描述： Vdd=-15V,ID=-15A, VGS=-10V，Rgen=6Ω.
   ★  DRain source diode forward current      -65A。 这个65A不知道如何得出这个值？


那么就有几个问题出来了
4 z8 M4 m. C2 ^8 E% w4 e1） 内置肖特基特性，那个参数更能反映优劣性能？个人觉得, dI/dt=100A/us
) g+ c7 i5 A5 _2） VDD和VDS两个电压是有差别的， 出现在手册里面，对VDS理解较容易， VDD呢？和ID关系呢？
7 Q" b5 z1 J( @' }/ G+ B: v

1 v0 N* l7 _) n( R4 S因为最近有几款大功率驱动需要做，所认真读了下手册，竟然很多内容不能加以理解。请高人加以指点，在此谢过！！！！

zhanweiming2014

# ~/ j9 [) ?/ \- [2 x这里对MOS一些参数汇总一下，算是对自己总结下
% r5 x: b* z( t! q) R! R, Q8 O1，UGS--手册里面提到的一般是阈值，-20V~+20V，但是温度的改变，又会导致这个值得变动，且往小处变，变化系数-5mV/℃，在实际中，MOS温度达到80℃是经常的事情
+ v5 q$ v! X6 `7 s* ^* V* d2 y  a0 }2，正向传导系数yfs，这个参数我在选用中，真的考虑很少，甚至没有想到过。是这样子描述的：单位VGS变化所引起漏极电流的变  化，看到这个，再看看第一点，很快就明白了，MOS莫名其妙电流变大
' A+ M; ~) g: J; I! E8 E1 N3，漏极/原极导通电阻，导通电阻越大，这开启状态时损耗越大，也就是PWM信号占空比了，其实这里有两个关键字，“导通”，“开启”，用示波器观察过DS波形的人，都知道联系到这两个关键，怎么样去确定到底导通了多久，还得去仔细观察，况且这个值还会随着温度升高而增加，至于这个功耗就简单了PT=I2R(DS)
4，内部容量，也就是栅极，漏极，原极之间存储能量

8 k; R# l' U) g$ C+ e* r. ? 这个参数，我也一直没有真正去考量过，只是大约估算着，输入的频率
( \0 a# C- X$ ~  x. N7 Y" K5 s5，内部二极管反向恢复时间

' s6 s4 j9 I; O& O; e说真的，这个参数，在我心里好像是一个魔术，知道这么回事，却不知道如何去贴近实际理解6，连续漏极电流
定义为芯片在最大额定结温TJ(max)下，管表面温度在25℃或者更高温度下，可允许的最大连续直流电流。该参数为结与管壳之间额定热阻RθJC和管壳温度的函数
+ Y1 H  M; M# z; ^9 iPD=ID(2)R(DSON)

以上参数都是，网上摘录下来的。只是加入些个人理解
6 I4 S2 g8 a9 @* G* H: }

8 [% l- e2 j% W
# Y# A# Z4 Z8 G9 R7 Y0 B
- L% t- e5 o, F, D. Q. j; \, n

zhanweiming2014

- y# T+ {4 M7 r) G8 m/ `# @
6，Ciss ：输入电容
: d( g0 f" n. T2 q将漏源短接，用交流信号测得的栅极和源极之间的电容就是输入电容。Ciss是由栅漏电容Cgd和栅源电容Cgs并联而成，或者Ciss = Cgs +Cgd。当输入电容充电致阈值电压时器件才能开启，放电至一定值时器件才可以关断。因此驱动电路和Ciss对器件的开启和关断延时有着直接的影响。
0 T6 n4 \/ ^4 c2 I7，Coss ：输出电容
将栅源短接，用交流信号测得的漏极和源极之间的电容就是输出电容。Coss是由漏源电容Cds和栅漏电容Cgd并联而成，或者Coss = Cds +Cgd对于软开关的应用，Coss非常重要，因为它可能引起电路的谐振
+ ]8 r; b. C: r6 m( F# P( B8，Crss ：反向传输电容
0 d4 p' M% Q7 J! W- g. b. |* I& ?6 W在源极接地的情况下，测得的漏极和栅极之间的电容为反向传输电容。反向传输电容等同于栅漏电容。Cres =Cgd，反向传输电容也常叫做米勒电容，对于开关的上升和下降时间来说是其中一个重要的参数，他还影响这关断延时时间。电容随着漏源电压的增加而减小，尤其是输出电容和反向传输电容---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
3 t4 w% r5 `8 H6 r0 r/ ^5 z5 V! W以上三个参数，与实际应用计算却不知道了，有待....
! Z$ y, f( a4 C5 ]

zhanweiming2014

我总结一下，这几个月我使用PMOS经历
1 N- i$ F+ h' P) X( j1，RDS不仅仅决定了功耗，还有输入电容
# p1 s' P) p" m' ?" @, R# l+ u    一开始选择MOS时候，我差不多都是以RDS为标准，当然是在电压和电流满足前提下，可是后来选用了一款RDS很低的MOS ,测量发现，功耗并没有减少，然后仔细一看，发现Ciss要比之前的大很多
2 {5 u, a. b& l* w) p5 L! s* b2，通常情况下，电流特性相对于电压特性，更重要些，当然是针对DC低压供电情况
3，负载的匹配，太重要了，可是一直是靠着实验方式去验证，比较费劲，效果也不错
1 }& W) J. I- [! S& i----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
  现在也有些问题，一直模糊着
1，MOS功耗是由RDS和开关频率共同决定的，至少对我的感性负载是这样子，且有些杂散的波形，这之间关系如何去调配，当然是理论前提
# b0 A+ d9 i4 I+ P$ }2，负载匹配，我一直都是按照谐振频点去靠近，当然最后是实验，我不知道实际工程，是否有更加可靠的计算方式

fallen

Rgen是串联在GATE的那个电阻。
  X" ]) a6 O' P  G65A如果是平均值，那么是按照热阻计算出来的。
VDD通常代表器件的对GND的电压。

zhanweiming2014

fallen 发表于 2015-12-2 17:21
+ t% F0 V6 U( G" ~& A0 RRgen是串联在GATE的那个电阻。
65A如果是平均值，那么是按照热阻计算出来的。
VDD通常代表器件的对GND的 ...

谢谢解答
/ x6 j# s& a  v* V
平均电流是，热阻算出来？
: q* o. \# b. y  z. Q如何理解？

fallen

zhanweiming2014 发表于 2015-12-2 17:37
% E6 _* b! |1 x9 Q& C: c谢谢解答

0 D% c3 v7 F4 ~- Y9 c) c平均电流是，热阻算出来？

SORRY,那个65A的话我收回，我看错了，我以为是D-S的电流，原来是体二极管的正向电流。
$ y$ i( q4 V) U里面体二极管的正向电流不清楚。
5 b; g- j- h2 M  C$ {- u6 j

zhanweiming2014

fallen 发表于 2015-12-2 18:28
( D+ k3 D0 K# e6 W& X, oSORRY,那个65A的话我收回，我看错了，我以为是D-S的电流，原来是体二极管的正向电流。
/ k" ~5 p7 E" S, X; t# f( u& R- W5 U里面体二极管的正 ...

    还是谢谢你的解答其实我把体二极管列出来，是有两个意思

1，这里 体二极管应该是 用来释放MOS关闭时能量，为什么使用平均电流？

2，由于开关频率关系，按理说，我需要的是di/dt这个斜率才对

fallen

zhanweiming2014 发表于 2015-12-4 09:19
还是谢谢你的解答其实我把体二极管列出来，是有两个意思
" ]1 l1 p, c: I! W( c( P
0 K2 K2 Q, i# i4 |3 I1，这里 体二极管应该是 用来释放MOS关闭 ...

释放MOS关闭的能量------不太认同。因为只有对于感性电路才有要求释放能量。而这体二极管应该是工艺多导致的。
" ?& e% J; M9 m' h7 [+ p如果看开关频率的关系，应该是要看反相回复时间。

超級狗

R_gen 的作用是 MOS 管在做開關測試時，需要產生上升（Rising）或下降（Falling）時間。

由於不同型號的 MOS 管，被設計出來時的寄生電容（Parasitic Capacitance）都不一樣，所以 R_gen 搭配脈波產生器（Pulse Generator）的值各有不同。芯片資料只是告訴你，做此項測試時所搭配的電阻值大小。


" V+ L% [0 x9 p; f
+ i: r+ \/ y$ m) o8 n0 r% N

超級狗

關於 UIS（Unclamped Inductive Switching）測試，請考 JEDEC JESD24-5 規範內容。
( ?! P9 H9 I9 `/ }7 I" _: V" \
6 ~$ C1 @+ f' n, k& T7 j$ w, b- ~

zhanweiming2014

fallen 发表于 2015-12-4 10:25
% W5 \# x* I- K: f, B4 u8 h! W4 h释放MOS关闭的能量------不太认同。因为只有对于感性电路才有要求释放能量。而这体二极管应该是工艺多导 ...

* \9 E5 Q2 f2 u; S  j    哦，这里我把体二极管看成是，内置二极管。的确实感性负载

zhanweiming2014

一开始使用MOS时候，第一时间想到的是，额定电压，额定电流，RDS，三个参数，其它参数都是“走马观花”式的，随着应用越来越多，功率越来越大，渐渐关注了其它参数，
: x! K) D+ O9 x, y第一时间反映过来的是，功耗。粗若估计，发现电源应用效率偏低，也就考虑到了MOS上面。
! _' p8 z+ L' H/ J, M

zhanweiming2014

: |  H+ W! @) v1 H/ o! c
( f! O- I/ V' x5 E* x' S热阻，我在实际工作中，很少仔细计算过这个，一般是由散热器，仿真分析散热

/ d- |: N8 D4 q2 p  a: ~  z+ A
RDS(on)是指在特定的漏电流（通常为ID电流的一半）、栅源电压和25℃的情况下测得的漏-源电阻。这是来自互联网解释，不知对错了
) ~9 E2 m  L6 i% s* _. |
8 T- L1 Q8 e0 J0 f# O5 u- r1 U

xxzhu163

赞一个！我感觉很多运用中，根本没有理解也没有认真去看这些参数的。只有真正的高手，才会去关注这些参数，他们设计出来的电路也更加稳定。