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10月份培训,杜老师详细讲解了盲埋孔和高密度板方面的设计,这也是我第一次接触盲埋孔和高密度板方面的设计。
3 P: F7 B" i) [6 x j老师说了,做高密度板一定要静心、耐心和细心,其实我们做任何事情都应该是这样的。成大事者,必先修身养性。
8 v. h8 Y5 k* W0 n好了,不多说了,笔记与大家一起分享,共同学习、共同进步。
4 I* r2 k1 o: {7 G+ ^3 ^; o1 H O' a7 [. s5 i3 p
HDI项目:HDI:高密度互连
. O5 c: A+ `. G7 i7 M5 L5 f( a三心:静心+耐心+细心
3 l+ k3 l! [9 k" l+ Q二毅:毅力+意图 理解项目的设计意图! C1 D2 A. N" R7 D* r6 [5 r
% f0 x# v( V2 {( n2 S采用微过孔(150um/6mil)进行互连
6 R8 {$ |' T" j最小线宽:<=4/4mil
: b- ?1 ?' R. d最小焊盘直径
0 Y" x {; F2 t, H8 |. I
$ V# f# f+ i" W! K0 p; P8 h/ t2 |盲埋孔优点:
0 e0 g+ q0 r( B线宽更小、间距更近,可以放置更多的元器件
$ x$ s: Y/ u, `2 M* F允许在标贴焊盘上打孔
& N& T/ o8 Z: ~孔径更小,寄生电容小; B! w: p% u1 I+ `4 d
小的几何尺寸可以获得更快的信号传输速度
7 |4 s1 K: ~6 l& C无via stub,降低反射,提高信号质量" n$ j7 H d# i0 m9 [ b Y. c# u
$ @: w9 r0 ^# P6 X& F% d+ y盲埋孔应用领域:( [4 _1 T9 z U% M- ~
手机 智能终端 数码相机摄像机- w( L- M9 h- u: V, N, A; a5 ]0 ]
, u2 V4 T, T* A2 h) h( h: ?机械钻针最小4mil/ m$ Y+ r8 o' K2 C1 v7 ^- \! Z+ t
5 C+ t$ q3 l' e! z& s( w8 z
同网络盲埋孔孔壁间距:6mil
* w( w; Z) \1 s7 y* P+ l2 L不同网络盲埋孔孔壁间距:10mil
/ n. w0 j% K) C- m# |4 b1 H) a' m+ x. r" Z( \2 S& a, U
盲孔命名:BVIA***2 r5 m4 ^! Q+ _! ^( D3 g
: h3 b' _5 O! G: y/ B
盲孔设计尽量设计成低阶,能用一阶不用二阶。
2 f( @, F( e# f6 }# ?任意阶盲埋孔国内没有加工能力,目前日本有任意阶的加工能力。阶数越大成本越高 E6 I3 X- f2 F2 ^/ ~# K2 D0 M- ^
常见叠层:1+6+1 2+4+2( e9 o; ]: ^; Q! t7 P# d5 r
; G- J9 T4 V7 `1 ~4 [7 c: i, c
0.4mmPictch及以下BGA,孔打在焊盘上# g+ u8 K# J1 v* o9 s) y
4 H8 K3 U& \3 UBGA过孔平行打孔出线
4 `% H) z& h, X7 o) Q. I; _/ p0 c
5 s7 ?0 k# R! _/ r: I尽量大部分线从第二层就出来
6 J' z) Q& o* R- c0 L' W
& D8 V( A. h. T1 y. } x做原理图要画一个功能框图,给自己和画PCB的人看% _4 w+ ]/ y3 h5 I
; j: N8 N" W( q s1 kMCP:memery+Flash+lpddr+ d; u6 ]! v% m' h, U
! E j/ t2 z; { m
主地概念:至少保留一个完整的GND层' z5 L% G0 R0 u1 f1 c
手机项目或者高密度设计一般不单独设置电源层
c4 B. z' V- B% u0 u
; | o' I0 r. V2 q* u( Z; |$ v半截板等形状比较怪异的板子以及 两面都有器件对着的板子最好做8层板& @& }" n: q0 i
/ n! b7 A, s1 `. n) g/ {盲埋孔项目层厚孔径比不能超过1:1
) W) N' ^5 U9 Z* K5 B( V1 ^
* m1 Q q$ [# p, K2 Dclk/DQS外层尽量短,走线应在最佳走线层,且立体包地6 }- V; o0 s& d3 M4 y
' b1 s G* q) n* ~- O* r( v7 R如果线足够短,不构成传输线就不需要做等长和阻抗控制
6 I, V- \! e, g- m* C, _
- V( O$ Q" U+ u! K9 s埋孔、通孔的相互距离大于10mils,形成电源通道
5 S& t/ i" E$ D! `! Y# ?( ?
6 n# _9 j5 u" U2 d% e8 _关键信号上下左右包地保护; M" l7 t6 E8 B( B% s; A
4 u3 y H* q6 h- D6 N' r
串扰:同组/类信号可2w间距走,不同组/类之间GND隔开
- \% P, D/ L7 _' j% C重要信号不要与电源上下层走线) Q/ b# m. @/ ?+ i4 }, I
* _8 z% s( e9 M6 Y, xBGA的4mil出线尽量短,扇出后变为常规线宽
0 ]- E$ y# d6 ~" v6 d/ Q
( Q0 [# q) H5 _; J% I* X' p0 Q1.找DEMO设计 一般比较高难度的BGA都会有参考扇出设计
6 I0 A' }" V* J; ?. K1 c# O2.与制版供应商一起协商工艺方案9 O8 g; p5 I+ b" @1 w" j
3.耐心+细心
4 E2 H* }! Q6 B3 L g5 _) x: k' J( E: z- M7 T7 N
时贺原 霍宁宁 李军 李晓林
( v0 n" B: n( N# Q& f) A9 K |
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