Q 求助MOS管充电原理

tianpu0501

求助MOS管充电原理
3 ]: d/ V/ [2 |: [- E6 X5 |

jacklee_47pn

Q2+Q3 背對背接法是防止反向漏電
2 c- o! n6 X' Z. R! y8 f- R
" M; \8 d; |/ Z3 S7 v& d5 O當DC_IN有電的時候 Q2+Q3 導通，Q4 關閉。
2 X$ \9 x4 K- g# |+ v: A6 Q當DC_IN消失的時候，Q4導通，Q2+Q3 關閉。

tianpu0501

jacklee_47pn 发表于 2015-5-29 18:36
1 ^4 u1 d5 O! t7 hQ2+Q3 背對背接法是防止反向漏電

# q; ?4 W; |8 i當DC_IN有電的時候 Q2+Q3 導通，Q4 關閉。

" o2 a; ]2 e# h: n; s$ O$ nQ2+Q3同时怎么个原理能同时导通，P MOS管 G<S才能导通两个S级连在一起，电流怎么流的？

jacklee_47pn

tianpu0501 发表于 2015-6-2 13:59
3 M: r. {0 V' ^Q2+Q3同时怎么个原理能同时导通，P MOS管 G

增強型的金氧半場效電晶體（EnhancementMOS）也有四隻腳，理論上D與S是可以互換的。但是在實際製作過程會產生寄生二極管，造成使用上有單方向漏電(或說是保護MOS管)。

" }8 H& N* p, \4 z

當交換D和S的時候，在設定MOS管偏為壓導通的狀況下，Rds(ON)壓降會遠小於寄生二極管VF。在MOS管偏壓為截止的狀況下，會有漏電的存在(VF壓差) 。

# F, g. C; I9 T

tianpu0501

jacklee_47pn 发表于 2015-6-2 15:34
! @3 n& Z" T, z0 {增強型的金氧半場效電晶體（EnhancementMOS）也有四隻腳，理論上D與S是可以互換的。但是在實際製作過程會 ...

非常感谢！说得很详细。

liangkai520

Q1呢