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分感性和容性$ x) ^ u3 Y% l
Cm/Cg+Cm
% Y( J# w" N! I h9 l4 o& W( ULm/Lg
+ G: G4 Y# p" {- G/ `! _0 }Cm,Lm 为互容互感. Z9 W9 }$ w" z+ I# v3 b
Lg,Cg为自感自容/ s/ {! M$ |3 u$ G
7 n1 c7 X- s$ o2 o2 l) ILm=v*dt/di7 b4 C; k7 p7 I; O' M0 ~3 P
Cm=i*dt/dv
; |- T6 ]; @ ?5 {' K% C: ~
7 H' p+ D) L8 C3 r( j4 G5 G: U你这里给出的条件不充分，还要介质厚度。
* Y4 x! d- ` pX与介质厚度决定Lg,Cg
6 e, R, y' V. {: m: E9 {; JY决定Lm,Cm8 _7 i f# d/ X/ ^0 E0 p, l4 G3 [
其中Lm=miu*线积分(dL1*dL2/R)/4*pi d- { U% ?2 t3 ]4 G7 i/ m
R为磁回路半径，这里近似为介质厚度。L1,L2为两个回路的长度。
: R' o& M* j% V: G9 J! F# GCm的话，很好求,Cm=effective epsilon*A/d# P& j0 X3 m/ V/ ?7 O
A为耦合面积，d为距离。( F* k$ S, a: p! U Z* Z
还有，端口不同，体现出来的奇偶模特性不同，因此Lm,Cm将对不同端口，不同形式电压造成不同的耦合影响。
# ^! L: A5 `* c1 e# Y% P. ]4 L+ Z |
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发表于 2015-4-19 19:56
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发表于 2015-4-20 09:03
