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求助电路图MOS的作用

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发表于 2015-3-17 12:11 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 tlyyy1314 于 2015-3-17 13:17 编辑
3 Y6 G0 C4 [" s6 d8 Y1 A+ H3 p1 h: y" @1 G- J. L
1、电路中的MOS的作用,是如何导通的。
8 S* X1 v: A7 q- V6 B! i' R2、电容C387的作用?  v" r4 X2 q- g# Z) l, ^6 {
* q) K1 Q0 I' `
0 B0 }# ]" D+ W7 ~
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发表于 2015-3-17 20:48 | 只看该作者
本帖最后由 yangcanhui07 于 2015-3-17 20:50 编辑
: V  _( p7 Z  a6 s! V9 b
+ {/ o7 V5 w: {3 yC387的用途,当然是为了软启动,减缓上升沿,不过,增加缓启动的原因一般有两种情况:
7 P2 l9 ?; P; B  @  p! ^1 E' b第一种情况是开关后面的负载在启动瞬间会从电源吸收一个大电流(浪涌电流?有些器件如LCD会明确标识出这个参数并附上测试条件,测试原理图和测试结果),由于开关电源的动态响应特性和电流补给是需要一个时间的,这个浪涌电流轻则在电源上产生一个小尖峰(举例如见下图),严重的,浪涌电流如果超过开关管的current Limit会使得开关电源暂时性保护(电压瞬间跌落较多).从这个电源动态特性图基本上可以看出,电流从0增加到3A,只在电源上产生了100mV左右的尖峰,并且在200us以内重新恢复正常.应该说这颗电源芯片的性能还是不错的.如果说在3.3V上产生100mV的尖峰不算多大个事,把这个电压换成1.1VCPU内核供电,可能谁也不敢忽视了.所以,在接通或断开大电流负载时,尽可能让负载电流平滑.个人的经验值是1ms,仅供参考.注意这个时间不宜过长,否则会引起负载时序紊乱或上电异常6 E' y; P. ?( x) q, D
c:\电源动态特性.JPG
$ I+ \7 V! M0 n& v  R第二种需要缓启动的情况,负载电流并不大,但是开关管后面有个大电容!这个问题相比第一种情况产生的后果更严重.举个例子,假设一个3.3V主开关电源滤波电容是10UF,后面接一个MOS开关,开关后面接一个电容容量也是10UF,那么,当开关打开瞬间,如果你有示波器,你会发现,电压直线下降一半,然后再逐步上升重新回到3.3V.为什么会直接下降一半?因为开关打开的时候,就相当于把一个充了3.3V的10UF电容跟一个没有充电的10UF电容直接并在一起,结果就是两个电容都只有一半电压了....然后,悲剧发生了,系统复位了--不复位那才叫怪呢.
, ~0 P0 p% _) ?7 L& S) X$ {看起来楼主的图上这两种情况都存在,虽然只是充电电路,而不是内核或主电源,从设计角度来说,减小冲击是对的,因为电源入口产生的尖峰也同样会转移到各路输出端,只是幅度会有所减弱而已.& M2 e  i+ ?; i( @# \1 w- M: X- a- t

电源动态特性.JPG (107.94 KB, 下载次数: 0)

电源动态特性.JPG

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高手!  详情 回复 发表于 2015-3-18 21:21
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发表于 2015-3-17 12:55 | 只看该作者
不就一开关电路么,0 x  k  |- ~: u" i  P( S+ n
另外C462在哪里?

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C387  详情 回复 发表于 2015-3-17 13:11

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发表于 2015-3-17 12:59 | 只看该作者
PMOS管:OTG-ID置低时,三极管导通;对于mos,此时Vgs小于0V或者说阈值,MOS打开。电容?位号没看到
- p: l+ v9 h! E$ d3 w

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电容标错了 是那个C387  详情 回复 发表于 2015-3-17 13:11

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 楼主| 发表于 2015-3-17 13:11 | 只看该作者
yujingfa 发表于 2015-3-17 12:59
4 V" F) d' l; i% T! |( [7 fPMOS管:OTG-ID置低时,三极管导通;对于mos,此时Vgs小于0V或者说阈值,MOS打开。电容?位号没看到

5 Q( d" Z4 f: _电容标错了  是那个C387
/ d0 B' D. K6 H( p, `( I" ~

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 楼主| 发表于 2015-3-17 13:11 | 只看该作者
fallen 发表于 2015-3-17 12:556 L7 f1 F) u) y2 c
不就一开关电路么,3 ~/ d' v6 [* p& [0 k: u" i+ i
另外C462在哪里?

6 @9 O# C" ]) q: a6 t9 w7 G" Z7 |C387: q; U$ S+ }9 _4 w& n

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C387就是增大GS的电容,跟GS电容并联目的就是软启动,减缓上升沿,降低器件的应力。  详情 回复 发表于 2015-3-17 13:53

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发表于 2015-3-17 13:47 | 只看该作者
C387用来延迟Q32的导通与关断,拿个软件仿真一下就知道了

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发表于 2015-3-17 13:53 | 只看该作者
tlyyy1314 发表于 2015-3-17 13:118 S0 i6 q; q) \+ ~; B+ ], x
C387
# x! f  g- x4 R5 n5 h' f6 |1 E
C387就是增大GS的电容,跟GS电容并联目的就是软启动,减缓上升沿,降低器件的应力。
$ p% d! q( e3 j1 x0 `6 g

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发表于 2015-3-17 16:52 | 只看该作者
MOS作用——开关
: \9 j! n$ z$ k4 L( _OTG-ID为高的时候,Q17导通,Q32的G极低于VBUS,Q32开通。5 F' ^# e. m4 D. ]4 w% W' `
OTG-ID为高的时候,Q17关闭,Q32的G极等于VBUS,Q32关断。
& ~7 T& P5 N2 z为什么能开通,请查阅PMOS的特性。
( H$ R# N% h. a3 M9 F. k% ^' |6 O
不要痴迷于阅读成功人士的传记,从中寻找经验,这些书大部分经过了精致的包装,没有人会随随便便成功。更不要痴迷哥,哥还没成功!

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发表于 2015-3-17 17:46 | 只看该作者
电容作用就是充放电功能,就在VBU0上电是,R42为C378充电,Pmos 就会在充电时导通,

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发表于 2015-3-17 22:00 | 只看该作者
正解,PMOS是开关,OTG_ID控制开关的导通,电容和电阻一起是为了缓冲

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 楼主| 发表于 2015-3-18 19:03 | 只看该作者
感谢各位的回答

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发表于 2015-3-18 21:21 来自手机 | 只看该作者
yangcanhui07 发表于 2015-3-17 20:48
+ K/ L0 I3 w! B# L" u" s8 h4 |C387的用途,当然是为了软启动,减缓上升沿,不过,增加缓启动的原因一般有两种情况:7 }" A4 {5 }4 Y; C+ e& J% Z, ^
第一种情况是开关后面的 ...

, p  N- O1 G0 E7 D9 f' p9 U高手!

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发表于 2015-3-19 08:50 | 只看该作者
yangcanhui07分析的比较详细,
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