求助电路图MOS的作用

tlyyy1314

: m2 a( D( v- i
9 w$ U! ]% r& N: U* n 1、电路中的MOS的作用，是如何导通的。
1 ]. y* B6 t4 K9 f2、电容C387的作用？
0 ]& j3 v& a' q) H8 j
4 Y1 k* q: R$ u
' `) U1 o3 E  M: Z% e

yangcanhui07

C387的用途,当然是为了软启动,减缓上升沿,不过,增加缓启动的原因一般有两种情况:
& u1 x9 `; \- N第一种情况是开关后面的负载在启动瞬间会从电源吸收一个大电流(浪涌电流?有些器件如LCD会明确标识出这个参数并附上测试条件,测试原理图和测试结果),由于开关电源的动态响应特性和电流补给是需要一个时间的,这个浪涌电流轻则在电源上产生一个小尖峰(举例如见下图),严重的,浪涌电流如果超过开关管的current Limit会使得开关电源暂时性保护(电压瞬间跌落较多).从这个电源动态特性图基本上可以看出,电流从0增加到3A,只在电源上产生了100mV左右的尖峰,并且在200us以内重新恢复正常.应该说这颗电源芯片的性能还是不错的.如果说在3.3V上产生100mV的尖峰不算多大个事,把这个电压换成1.1VCPU内核供电,可能谁也不敢忽视了.所以,在接通或断开大电流负载时,尽可能让负载电流平滑.个人的经验值是1ms,仅供参考.注意这个时间不宜过长,否则会引起负载时序紊乱或上电异常
c:\电源动态特性.JPG
- ?0 y9 s+ x3 K) ?" R第二种需要缓启动的情况,负载电流并不大,但是开关管后面有个大电容!这个问题相比第一种情况产生的后果更严重.举个例子,假设一个3.3V主开关电源滤波电容是10UF,后面接一个MOS开关,开关后面接一个电容容量也是10UF,那么,当开关打开瞬间,如果你有示波器,你会发现,电压直线下降一半,然后再逐步上升重新回到3.3V.为什么会直接下降一半?因为开关打开的时候,就相当于把一个充了3.3V的10UF电容跟一个没有充电的10UF电容直接并在一起,结果就是两个电容都只有一半电压了....然后,悲剧发生了,系统复位了--不复位那才叫怪呢.
看起来楼主的图上这两种情况都存在,虽然只是充电电路,而不是内核或主电源,从设计角度来说,减小冲击是对的,因为电源入口产生的尖峰也同样会转移到各路输出端,只是幅度会有所减弱而已.
  o; J% L* R, W" o$ F

fallen

不就一开关电路么，
  u, }  ^  }8 c5 _另外C462在哪里？

yujingfa

PMOS管：OTG-ID置低时，三极管导通；对于mos，此时Vgs小于0V或者说阈值，MOS打开。电容？位号没看到
& D' Y7 @: T$ v" ~4 b

tlyyy1314

yujingfa 发表于 2015-3-17 12:59
PMOS管：OTG-ID置低时，三极管导通；对于mos，此时Vgs小于0V或者说阈值，MOS打开。电容？位号没看到

5 `4 \5 m9 P2 b电容标错了  是那个C387

tlyyy1314

fallen 发表于 2015-3-17 12:55
( b7 L" y/ n. P: ?不就一开关电路么，
另外C462在哪里？

( O( B7 @& y4 ~C387

CStaller

C387用来延迟Q32的导通与关断，拿个软件仿真一下就知道了

fallen

tlyyy1314 发表于 2015-3-17 13:11
C387

' Y8 M4 D# _0 {8 [C387就是增大GS的电容，跟GS电容并联目的就是软启动，减缓上升沿，降低器件的应力。

北漂的木木

MOS作用——开关
OTG-ID为高的时候，Q17导通，Q32的G极低于VBUS，Q32开通。
& N0 y8 o& G7 u4 \OTG-ID为高的时候，Q17关闭，Q32的G极等于VBUS，Q32关断。
为什么能开通，请查阅PMOS的特性。

liaotingkang1

电容作用就是充放电功能，就在VBU0上电是，R42为C378充电，Pmos 就会在充电时导通，

戏出东方

正解，PMOS是开关，OTG_ID控制开关的导通，电容和电阻一起是为了缓冲

tlyyy1314

感谢各位的回答

gdpforfun

yangcanhui07 发表于 2015-3-17 20:48
# J, u1 r/ Z( t- s* BC387的用途,当然是为了软启动,减缓上升沿,不过,增加缓启动的原因一般有两种情况:
3 y, e" `5 N- q5 c第一种情况是开关后面的 ...

高手！

liangkai520

yangcanhui07分析的比较详细，