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本帖最后由 cousins 于 2015-3-9 15:14 编辑 ' ~. j: i+ n) {
7 A7 t6 a' z. E3 s1.via的估算* L! a% u# ~& o f: i: \" u
Lvia / BGA pairs% Z$ c- }9 P/ z) T g
Lvia = 0.032*Length/ （pi*Log(2 * B / OD)）
- p8 ^. s6 ]7 m! ~5 N/ FB为电源孔与地孔的中心距; S9 q# }! m$ p# T
OD为钻孔外径
- [' i+ u9 G _" | dLength为过孔长度
; I' Y5 J7 N' q5 ] f8 m, wpi为3.14: r8 c, y: h! t8 } d$ l7 w
3 C7 V/ W; V3 c; e6 v) H7 E! Z2.扇出线的L估算为0.02nH
# D( r& j X" `: R$ P8 A) M5 g) V: x" j
3.电容的esl依照封装对应估算为* |2 s4 j# h" @; V* }3 \0 b$ K) ]
0201 0.2nH
' T, y' v f/ o) g, a# ~5 ]. R0402 0.3nH* m9 H$ R* S- g7 T: v
0603 0.4nH
, k* l( H" H/ t) W0805 0.6nH1 a* v# {3 p- }3 I
1206 1nH
$ _( }( p* \, H; d W3 r( Q电解电容 1nH以上
7 } }% R; Q& t0 Z( x# Z
. |5 Y2 p! B9 W) S( z
; R* b8 Q1 F9 G) i- ]8 Z- b: Z接下来就是估算整个电容对应的阻抗
E) a3 P/ o0 F- E环路的loop inductance为 扇出L+BGA的过孔L+电容焊盘L+电容过孔L+电容自身寄生L0 s8 h; U$ _# a$ Y0 Y
若电容的过孔和bga的扇出过孔是同一个过孔则只需算一个过孔L对就可以。9 G0 h' x* N9 u9 z1 B& W5 \0 N
然后阻抗就是r+j*omega*L+(1/j*omega*c)的估算桥段，可以看出C越大阻抗越小，然而C越大目前的工艺来讲L也会越大，同时，还会有电容直流耐压的可靠性设计要求，因此你要在其中选择一个均衡值，满足避开谐振的要求，同时又要满足直流耐压需求，另外还有一个成本的控制。当然电容并联使得esl减小是个不错的办法，但是要注意实际情况下，0402可靠的并联是6颗，更多的数量并联对esl的减小不再是明显的线性减小。0 O! } Y9 f+ x+ {8 f
2 ], E+ N6 r9 K: K至于r，在1GHz以下环路的电阻相对于L的感抗很小，主要的电阻来源于VRM的esr，只关心1MHz以上的话，可以忽略，你一定要算，就算入环路走线带趋肤效应的esr+过孔的esr就好，个人觉得，估算没必要那么较真。除非你想自己编写前仿真函数库。* h8 k4 Y+ @& ~& S, p, O
9 Z1 C9 O9 U2 q2 m) l: n
?" `' B. J7 t, y& i# E |
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发表于 2015-3-9 11:09
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发表于 2015-3-9 13:53
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