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WCDMA之ACLR劣化之因素

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发表于 2015-3-8 16:55 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
本帖最后由 紫菁 于 2017-9-29 14:34 编辑
1 j3 ?/ g% X. S9 e* ?
. e5 L3 a$ H- {8 E
1.     当你输出功率太大   会使PA操作在饱和区  产生非线性效应
* \3 G& M  H/ p  n

: k' K' ~/ ^. ^

: e+ ?- r% j2 Z1 Q
而非线性效应,会衍生许多噪声,例如 DCOffset,谐波,以及IMD(InterModulation),如下图 :

5 P9 r' P; P0 z, q! R. D7 W
* s8 Q, G2 B: M+ n4 }1 g& ^
而三阶的IMD,即IMD3,其带宽会是讯号的三倍 因此会使两旁频谱上涨

) q; ^& S, r5 \: A6 c$ Z

  {0 D, k  m! ^( e" [+ n
IMD3   又牵扯到IIP3   IIP3越大   其产生的IMD3就越小  
所以简单讲  ACLR就是TX电路IMD3的产物
测ACLR  等于是在测你TX电路端的IIP3

( P9 W& t/ Q, \8 h" f
( P3 ?8 q3 a& F) s
. k5 t1 Z3 n" Z6 F9 d( \) `
由上式可知  如果输入功率小   使PA操作在线性区
或是这颗PA的IIP3够大   那么ACLR就可以压低, j! o( `4 L4 [' H% u3 r! e/ o3 Z
' o; S; C8 I! h
* p: i+ D6 W1 t! M5 Q
2.      
另外  厂商多半会有PA的Load pull图

& d5 `2 C, |6 W5 K7 a9 H0 l* ^- ^4 Y% O: O# b& v# ?- F" q$ {

  Y9 A: O1 c9 K* ^) f8 k
. j) o, s4 t. \0 C
由上图可知  ACLR跟耗电流是Trade-off
这是因为PA的线性度与效率  是反比的
你ACLR要低  那就是IIP3要高  线性度要好  因此效率就低  耗电流就大
反之  你要耗电流小  那就是牺牲线性度  ACLR就会差
所以一般而言  调PA的Load-pull时  多半就是调到最常用的50奥姆
以兼顾ACLR跟耗电流. k! [/ Q$ g. z8 H! r
) ]: R. ^7 Q) Z. f* F
) m! p; I0 x' R  F* L! A1 U
3.     WCDMA的TX是BPSK调变   非恒包络
因此其PA须靠Back-off   来维持线性度
   当然  Back-off越多  线性度越好(但耗电流也越大)
! Y/ o! L8 A3 m9 P# @0 d# x
游客,如果您要查看本帖隐藏内容请回复
当然,有些平台,在PA前端,是没加SAW Filter的。* K1 c8 n& F- y8 ]* n0 ?. M
而拿掉SAW Filter之后,其ACLR也不会比较差。
: z$ q2 g! i% F, C" h3 x

. {! H0 E9 s  v

5 j# z' t0 ~3 C0 r& W8 A
这是为什么呢? ' L1 x) T8 v8 q
其实由以上分析可以知道,PA前端的SAW Filter,之所以能改善ACLR,$ J3 W9 {, }. b* n" [
主要原因是抑制Transceiver所产生的Outband Noise(包含谐波)。
! I; \: L9 m: ?
换言之,倘若Transceiver的线性度够好,所产生的Outband Noise很小,
其实PA前端是可以不用加SAW Filter的,
7 W+ G/ C9 u; \6 K
+ z+ N, x4 L' W# l& {
但要注意  虽然PA前端的SAW Filter可抑制带外噪声,改善ACLR
但若其PA输入端SAW FilterInsertion Loss过大   
意味着DA需打出更大的输出功率  以符合PA的输入范围
(若低于下限   则无法驱动PA)   如下式 :

4 g& O8 }- F5 A8 `

7 r/ }# c( u# y8 _, {) y$ o

7 m8 X' V' T: ]9 f, ~
而不管是PA, 还是DA, 若输出功率越大,则ACLR越差, 如下图 :
/ z5 k7 N: k/ O

2 y6 T( B8 E; p8 }0 l; P* c
DA输出功率大   使得PA输入端的ACLR
那么PA输出的ACLR  肯定只会更差
当然   若用FBAR  既可抑制带外噪声 Insertion Loss又小  是个风险低的方案
但成本不低

. `  P6 J/ C1 H- |. s
! v) Q+ g8 L' O8 G2 d4 |- D

5 p+ r9 r6 w7 h7 q$ w
6.     由下图可知  Vcc越小   其ACLR越差

2 ?( P% F7 W7 Y- q0 E1 K8 c9 m7 L
( s9 R/ T/ q; \. g( @; {' S: h
这是因为  放大器在闸极与汲极之间,会存在一个既有的寄生电容,
又称为米勒电容,即Cgd, 如下图 :

7 ]& V3 M: R0 L# m

, U( m3 U1 J2 u9 W3 ?  x
' z# u. S$ N6 N+ O1 O
而当电压极低时,其Cgd会变大。
3 b: k. r" g! X  ~
                        
1 j/ H2 x$ j$ C: [0 Z- T
) o9 z$ K" n1 G: o- C
上式是Cgd的容抗,
Cgd变大时,则容抗会变小,
因此部分输入讯号,会直接透过Cgd,由闸极穿透到汲极,即上图中的Feedthrough现象,
导致输出讯号有严重的失真
简单讲  低压会让PA线性度变差
因此若Vcc走线太长或太细   会有IR Drop  使得真正灌入PAVcc变小
那么ACLR就会差
当然  除了PA电源   收发器的电源也很重要
否则若DA的电源因IR Drop而变小    使得PA输入端的ACLR变差
PA输出端的ACLR   只会更差
4 l3 z- L7 n7 E) O5 ?2 t  T9 s
+ w* O0 y+ h8 O$ s& U2 q) k7 j; ?
. n5 h: s  L9 k0 G1 W
7.     在校正时   常会利用所谓的预失真   来提升线性度
$ p# p. ^* M& D) n$ e

+ x; n) D4 W. P6 ?
- C5 G: E8 W. I, f2 V5 s3 W
而由下图可知  做完预失真后   ACLR明显改善许多
(因为提升了PA的线性度)
, M2 Q0 a8 F  H; m
2 T  u9 r5 a* u$ F3 `0 l( p+ q
因此当ACLR差时   不仿先重新校正一下8 Y8 C6 \# E, u  E* e

# x8 Q3 ^# z  C+ K9 i- T& Y. j4 R- s$ x" I$ T0 J1 m
8.     一般而言  PA电源  是来自DC-DC Converter  
其功率电感与Decoupling电容关系如下 :
( X4 X$ q! g2 `' |
; u+ e+ k8 j! N  ]
由于DC-DCConverterSwitchingNoise   会与RF主频产生IMD2
座落在主频两侧
7 H$ }" n$ a1 q* W  ]0 w
- X4 C0 t& v  M
: t/ r0 [- V$ p( k+ h1 G7 y3 ^% u
虽然IMD2的频率点  只会落在主频左右两旁1MHz之处
理论上不会影响正负5MHzACLR
但因为一般而言  DC-DC ConverterSwitching Noise
其带宽都很宽   大概10MHz
因此上述IMD2的带宽  分别为5MHz15MHz
(WCDMA主频频宽为5 MHz)
换言之  上述的IMD2  是很宽带的Noise   
故会影响左右两旁正负5MHzACLR
因此   如果能有效抑制DC-DC ConverterSwitching Noise
便可抑制其IMD2,进一步改善ACLR
故可利用磁珠或电感   来抑制DC-DC ConverterSwitching Noise
如下图 :
8 _' k; ?- j$ ^! l: |* @$ K% @% U
  L4 {4 p! `, J) G1 d
我们作以下6个实验

: f7 p" H% w1 ^

" Z" j2 }8 k9 k' [9 ^8 g  \
- w9 }% @8 x0 D0 a7 n. i# u
就假设DC-DCSwitching Noise1MHz
我们可以看到  Case2, Case3,  Case4
1MHzInsertionLoss都变大  
这表示DC-DCPA的稳压电容之间   插入电感或磁珠
对于Switching Noise  确实有抑制作用
而由下图可知   WCDMAACLR   也跟着改善
由于Case3InsertionLoss最大   因此Case 3ACLR也确实改善最大

# d9 k" y  F% Q
, k/ o; ^/ b: f! I/ q
3 @7 Y& g1 Q& j, |

" f- X+ r" A6 y5 a3 I0 d, _- G& o" f2 I# X

( n: [/ Q. J- `6 f% U; z: C
  Q1 L; e2 M# f# Z

. r" F/ t; M6 r+ n
9.     承第8点  DC-DCConverter的稳压电容   与PA的稳压电容
绝不可共地   因为该共地   对DC-DC Switching Noise而言
是低阻抗路径   若共地
则DC-DC Switching Noise   会避开磁珠或电感
直接灌入PA  产生IMD2  导致ACLR劣化
换言之   共地会使第8点的磁珠或电感   完全无抑制作用
& a- q7 f: ?. O4 I* r2 U. F
而功率电感, 磁珠或电感的内阻   也不宜过大   否则会产生IR Drop
使PA线性度下降  ACLR劣化
% n. s. e& U# f" k  k5 x' P! Y" b: Z9 |' c0 z+ [0 s
. f! m- X/ ?  T7 P
: G1 k. M" \7 o" I/ }) C
- p$ q0 `" a( R- t5 h6 `
因此总结一下   ACLR劣化时   可以注意的8个方向
1.     PA输出功率
2.     PA Load-pull
3.     PA Post Loss
4.     PA的输入阻抗
5.     PA输入端的SAW Filter
6.     Vcc的IR Drop
7.     校正
8.     DC-DC converter Switching Noise

$ v1 C0 A- j# i' z' `
4 U! H% V" v' W- r& T; Z. a0 B  B. H4 B: i

# }$ p$ x+ k* M) R$ f; M9 M. S2 ~9 F& d" ~1 P
其他详细原理   可参照  
' A# s% p: x7 J! r" W) s7 @ EDA365藏经阁 上集_磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制上 ...
  Q0 j4 W6 a  w. D) Y! F# Q
EDA365藏经阁 中集_磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制上 ...  
- s# J# k7 ]% {5 O$ w1 PEDA365藏经阁 下集_磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制上 ...9 F7 Q+ O0 \' l  T6 Q$ ?. I
射频微波/天线技术 WCDMA零中频发射机(TX)之调校指南与原理剖析2 t5 a3 F* C9 x/ ?# b
0 I% x" Z: {' }8 W9 U6 L5 Q" D
  在此就不赘述

2 ]5 c* ?- K3 T8 |
$ O0 e; @" ~' Q- {

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好资料啊 谢谢楼主慷慨分享!

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