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WCDMA ACLR(邻道泄漏比)受到那些因素影响

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发表于 2015-1-28 15:34 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
   在测试WCDMA频道的手机模块时,发现线损的补偿值不正确时,ACLR的指标很差,基本都不合格,然后拿了标准模块进行对比,修正了补偿值,将补偿值由-1.5dB调整为-3.3dB,这是ACLR的指标就很好。9 y# R- |2 ^6 d) `$ l9 F
   我怀疑ALCR是不是受到输出功率影响,之前由于补偿值较小,实际上此时模块的输出已经超出了要求范围,相当于起控了,导致ACLR指标变差,对这样机制原理还不是很清楚,请大神帮忙解答,谢谢!
2 p2 {0 p- @7 J4 E

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发表于 2015-3-8 16:32 | 只看该作者
本帖最后由 criterion 于 2015-3-8 16:42 编辑 - V+ F; L, Q( h$ ~% f
/ D3 L6 j8 ?3 ~+ z2 o
ACLR肯定是受输出功率影响啊" c0 R" s( g4 q, N( p. L( {

+ R+ f: {: T# k5 T8 t6 b
  C3 [  j4 b3 f. ^- w. ?" U, S  F) p8 i+ b8 S

& p2 l+ A4 |& k

! j( U8 E9 u! e5 k' {
1.     当你输出功率太大   会使PA操作在饱和区  产生非线性效应
# Q4 V. S0 r) q6 C$ U$ P7 j1 V
& ]/ f" h) E* |
& [! q. G0 a, ?( V/ L  U: l- O2 Q- J- r) b
. r$ W( _; y) t! b8 i( m
4 [3 k! F3 f3 P8 \5 h

1 \9 S. v. q, C: Y, a2 C7 K  S
而非线性效应,会衍生许多噪声,例如 DCOffset,谐波,以及IMD(InterModulation),如下图 :
2 o: B1 w. t! k" {# t0 ~5 X* f; \& ]6 L) N: `; f: |
- H0 T. ~9 P' G2 K% f8 q

, X& r% Z  E- U, P- q
而三阶的IMD,即IMD3,其带宽会是讯号的三倍 因此会使两旁频谱上涨9 b2 s2 h2 Z4 b  ^- c, c

' y4 H# C$ O% C2 e3 N2 c/ r" {0 U# x4 a) f8 X# r
2 G: b9 @6 k6 I( _, ]

) Z+ ]! }' ?- u# m
而IMD3   又牵扯到IIP3   IIP3越大   其产生的IMD3就越小  
所以简单讲  ACLR就是TX电路IMD3的产物
测ACLR  等于是在测你TX电路端的IIP3

( s2 x5 I  [- D: j
1 U9 P/ v9 e7 l2 ?! p7 V

" u- m" d3 i7 o( o# T/ }- e
由上式可知  如果输入功率小   使PA操作在线性区
或是这颗PA的IIP3够大   那么ACLR就可以压低' i6 \. _8 s% O  f
' C! c/ e5 @  w7 l% L9 i: h
" @0 I! v/ x: `3 j+ W8 E2 B' }( K

2 \7 s9 c$ }! p0 Y
5 h$ \2 }8 I' i+ }5 y: q, t# Y

5 I* R. i: P! x: I4 [2 i0 k
6 I5 m* Q; v* o5 U- g9 w7 a5 b3 e& _2 u

+ ~  Q: [5 Q# t1 z
2.      
另外  厂商多半会有PA的Load pull图

3 s4 z; |. }7 {0 {$ k! `( {

8 y7 Z: {" w0 b6 w( H9 q: u4 |9 v3 T5 A# u
% S2 Q' s6 y- _& l" F
由上图可知  ACLR跟耗电流是Trade-off
这是因为PA的线性度与效率  是反比的
你ACLR要低  那就是IIP3要高  线性度要好  因此效率就低  耗电流就大
反之  你要耗电流小  那就是牺牲线性度  ACLR就会差
所以一般而言  调PA的Load-pull时  多半就是调到最常用的50奥姆
以兼顾ACLR跟耗电流

) t* M! [, M& o# W. x

' V7 J* D# m  Z' W& }# d
& k6 M% `$ w* J. g
3.     WCDMA的TX是BPSK调变   非恒包络
因此其PA须靠Back-off   来维持线性度
   当然  Back-off越多  线性度越好(但耗电流也越大); P$ i4 O. [# k, ~% O! b0 R3 n8 j/ V
; m: g/ V( C; X

* k6 g0 v+ `% W2 R6 M. P2 {$ K
) A. A) Y: c% h' d" g
而WCDMA的方块图如下

0 P9 ]# E% O: n. Z

3 h0 W5 D3 \) X$ r$ f* w$ |/ P
% H, D3 S/ T/ U  q/ \
PA输出端的Loss  例如ASM,Duplexer, Matching, 走线的InsertionLoss
统称为PostLoss
如果你要达成TargetPower(例如23.5dBm)
一旦PostLoss越大   意味着你PA的输出功率就越大  如下式跟下图 :

( `  _4 Q5 L) f2 o5 [1 g

; _% [0 x8 g, [1 p/ d2 _  j
4 B4 x/ A2 |; o( E2 v2 M5 [4 M

+ q. n* }; S& A% w& K' b! i0 h

3 E4 {- |% X- v- o1 A0 u
如果PA输出功率打越大   那就是Back-off越少  越接近饱和点   
当然其线性度也越差   其ACLR会跟着劣化4 W% y9 J* n( N! F9 ~

+ V, s2 B6 R6 Z& T, h6 u: O! ^, ^1 H/ G1 k4 T; r) D/ ^
" F# _# Z! _" N7 Q
9 k: |9 M$ ~6 G) ^! V
4 e5 S; X/ _1 ?. R& {
- y- c% S( S  e. T4 d+ @; Z; q
2 _  O- l% d1 t( c4 v
3 l- e) w; O/ q# s6 @  h" _
4.      

9 Z) K# T- ~! j* u; _2 D' K

0 X7 ?' p5 Z# ^$ }
由上图可知  PA的input  同时也是DA(Driver Amplifier)的Load-pull
如果PAinput的阻抗  离50奥姆太远
亦即此时DA的线性度不够好  ACLR就差
加上PA是最大的非线性贡献者
如果PAinput的ACLR已经很差   那么PA out的ACLR  只会更差
一般而言   一线品牌大厂,其PA输出端 正负5MHzACLR
都要求至少-40 dBc- Q! x/ q- |3 F( T6 j

) w) f2 [5 }- O: X* Z5 g1 Y

4 h9 o9 c, }  J, n. I
7 n" Z+ l' }( m. |0 T2 t7 l
亦即表示PAinput的ACLR  至少要小于-50 dBc
(由于DA的输出功率  远小于PA输出功率  因此ACLR也会来得较低
再次证明ACLR与输出功率有关)
1 |% a, N+ X4 k! J9 j, ~# b. P7 x
& o, a7 ^; G- {

) \5 }% k1 t6 C. g$ a- d
5.      
LO Leakage跟DA产生的2倍谐波,有可能会在PA内部,产生IMD3
进而使ACLR劣化。

; z0 I) A( S9 ]8 _

, d+ h: j; q3 \9 Q
所以若在PA前端,先用SAW Filter把2倍谐波砍掉,
可降低其IMD3
进一步改善ACLR。

; z. e, L: r9 v$ I* ?. o  W( \; B# W0 R0 \+ l* @% X7 V
若滤波器的陡峭度越好,则越能抑制带外噪声,
因此理论上,使用BAWACLR,会比使用SAW来得好。
0 f$ G1 P% m9 c

9 [- @$ l: B7 L* k2 v/ r
' a) @7 F' p2 W4 p
而FBAR的带外噪声抑制能力   又会比BAW来得好

7 H$ B# b3 f0 f* M! a+ z0 {
2 k* R) m( \9 \$ z3 ?

, C1 a: S8 C0 E' }4 G; Y) m
当然,有些平台,在PA前端,是没加SAW Filter的。  p) X" C( b. A) b
而拿掉SAW Filter之后,其ACLR也不会比较差。

/ y/ e- q# e) x& ]9 [, I

1 M; F) N& [  t, ?
' n( O& x8 ?8 ]  ~8 b/ y" w0 u  {
这是为什么呢? 其实由以上分析可以知道,- H! g1 ^% r# U7 E
PA前端的SAW Filter,之所以能改善ACLR,
主要原因是抑制Transceiver所产生的Outband Noise(包含谐波)。
4 D) X1 c! [! d' s# n! s; K* \
换言之,倘若Transceiver的线性度够好,所产生的Outband Noise很小,
其实PA前端是可以不用加SAW Filter的,
: a! {* ?; f! G1 ~% V# n

$ m( I3 `% E$ o1 E; V
: G) F; z6 h  s0 y2 n# P0 K! `) ~6 b) P+ R" ?, w

( g( H3 r0 \& r7 N3 \4 A( v! M  f. V1 p2 P

" K# t; W3 t9 d+ w
但要注意  虽然PA前端的SAW Filter可抑制带外噪声,改善ACLR
但若其PA输入端SAW FilterInsertion Loss过大   
意味着DA需打出更大的输出功率  以符合PA的输入范围
(若低于下限   则无法驱动PA)   如下式 :

6 i; Y. t; \' O7 b$ _9 M- W! T* q9 @
/ h; |7 d# Y# ^- v0 S
而不管是PA, 还是DA, 若输出功率越大,则ACLR越差, 如下图 :
% @0 Q1 g( B2 K/ l# u

8 {/ f, @; }* Z8 ?' i+ H
若DA输出功率大   使得PA输入端的ACLR差
那么PA输出的ACLR  肯定只会更差
当然   若用FBAR  既可抑制带外噪声 Insertion Loss又小  是个风险低的方案
但成本不低

0 i; @8 y: Q" m3 ?

7 K1 x4 }: G7 S- a) R& {

8 L- `) u, S6 _4 |& X$ u
6.     由下图可知  Vcc越小   其ACLR越差

: _$ R1 f! V/ q, b( H' J

8 w( k+ d: e3 F2 J

/ U8 g1 T% _) v$ Z' E6 d7 D+ m
这是因为  放大器在闸极与汲极之间,会存在一个既有的寄生电容,又称为米勒电容,
即Cgd, 如下图 :
$ R. y8 Q  g3 y

3 I, G$ x% ~" r$ P# S3 l2 q1 B
* I: Q# h, C2 v# G8 K- K

1 F$ ?, O. f; e" R- t( ?& B- \1 B4 Q* K4 }# }% B+ i+ R5 H

. `" O7 O2 q; h7 x2 s. k7 ]
而当电压极低时,其Cgd会变大。

, T! N. ~, {+ p$ ~! S3 w7 T
                        

- d" Z8 k* N: _
上式是Cgd的容抗,当Cgd变大时,则容抗会变小,
  S( N. {3 L( W# U9 y" [' V4 _因此部分输入讯号,  i2 x. R3 l, |: F4 F5 G
会直接透过Cgd,由闸极穿透到汲极,即上图中的Feedthrough现象,导致输出讯号有严重的失真
' Z% ~& A* e2 L- [8 r7 c# g) N简单讲  低压会让PA线性度变差4 g' z8 T/ O) p3 u
因此若Vcc走线太长或太细   会有IR Drop  使得真正灌入PA的Vcc变小
4 D! B; q, [/ ~) E5 h  k那么ACLR就会差
* i' A' g% k3 j/ }4 c7 B$ M当然  除了PA电源   收发器的电源也很重要9 H' h/ A2 T( k4 B
否则若DA的电源因IR Drop而变小    使得PA输入端的ACLR变差9 B9 P$ g) E, g& G
那PA输出端的ACLR   只会更差
5 ~* T+ e- d# ]$ D6 |5 L' e/ _& e8 X6 N0 `# J

/ R1 I3 A( {5 n1 R
1 W$ m  y9 Q. R5 [
; f: M4 |, X6 N  Y: \

+ \6 y2 n! {9 N- a: z4 ^! y
  V- ]/ k: S7 [' n+ t& N- d) Y% t& A6 y
; p6 ?) y& ?6 b  f( P$ F! I

# R% u% F/ U3 S3 B: B
8 O/ C5 E6 r5 a7 ?, [! Z
& C( w$ ~& x$ K, z) r! `6 o
7.     在校正时   常会利用所谓的预失真   来提升线性度

) i# ?3 `1 g7 l$ _+ H- |; K
3 y" F9 C; o" c: i  O& d
而由下图可知  做完预失真后   其ACLR明显改善许多
(因为提升了PA的线性度)) X. @% ?$ m3 ^0 Q

. y* N2 \1 t( o9 U

$ N6 }6 l* U/ P/ M0 W* c
9 ~- i1 c% T6 Z; U
因此当ACLR差时   不仿先重新校正一下
6 z2 M' R4 f+ O% R' J+ E9 M8 ]% M- d- c1 p+ n. s6 x6 c6 v

7 ?8 W' O7 J* f+ o# @. C
& `  j& e. m- O3 Z( ?

+ }) \! H6 H7 J4 Y" f: I' B. U0 \0 Z7 l) e$ ^( s
% t* }/ p% J  K4 A* \' y; c
# C7 Q/ F7 s( S% @0 c  W
' `4 p7 e8 s+ y3 E: C! E- ~) t
8.     一般而言  PA电源  是来自DC-DC Converter  
其功率电感与Decoupling电容关系如下 :
" T8 R; k: e2 w5 Q* [# _; N8 i) P

# T: x& j3 E( \0 L

5 m) \% L$ k2 _. r* W/ K$ w  c
由于DC-DC  Converter的SwitchingNoise   会与RF主频产生IMD2
座落在主频两侧
# |( c: {+ B, X2 g+ L, ^
- X" S6 g6 f, j
3 c2 i- L" L5 M  s" z7 c
虽然IMD2的频率点  只会落在主频左右两旁1MHz之处
理论上不会影响正负5MHz的ACLR
但因为一般而言  DC-DC Converter的Switching Noise
其带宽都很宽   大概10MHz
因此上述IMD2的带宽  分别为5MHz与15MHz
(WCDMA主频频宽为5 MHz)
换言之  上述的IMD2  是很宽带的Noise   
故会影响左右两旁正负5MHz的ACLR
! c. ~! m* w- }' D

- M8 u5 x3 ^- I# I1 t

; j9 T- `! S1 _1 M% Y0 b5 p3 _& s
因此   如果能有效抑制DC-DC Converter的Switching Noise
便可抑制其IMD2,进一步改善ACLR
故可利用磁珠或电感   来抑制DC-DC Converter的Switching Noise
如下图 :
; i0 r+ x4 A6 I1 E% W
7 V  I: u+ Q9 T, N
( r6 F2 E/ W& R9 i
我们作以下6个实验

. @4 K# d/ V! ?% y' R" e; G! T
5 g% @  B4 g4 ]" S' Q$ H/ W

( }5 p+ ?, b1 p
4 i; c4 d' B7 o; J; @
8 w* {2 r# q( V5 M" o

& |9 V/ k1 H3 T( d3 l9 j" {9 |/ @( P; \5 j4 _  v  U

+ B" q  b4 b+ c
就假设DC-DCSwitching Noise为1MHz
我们可以看到  在Case2, Case3,  Case4
其1MHz的InsertionLoss都变大  
这表示DC-DCPA的稳压电容之间   插入电感或磁珠
对于Switching Noise  确实有抑制作用
而由下图可知   其WCDMA的ACLR   也跟着改善
由于Case3的InsertionLoss最大   因此Case 3的ACLR也确实改善最大
2 k" z8 E( U7 o8 J& E! u# x

9 E4 `" T3 y: Y+ f" C
& s' C6 C/ [' b  u8 U/ v" g% }% L! j" o
6 i) `9 a$ p2 a! R

, N1 c! `# F' p4 T% Y: `! ]/ F; X
- l% L3 j* N/ m& f# M6 R3 D

& `0 `$ v* C' T( l- i8 R& H5 N0 n
9.     承第8点  DC-DCConverter的稳压电容   与PA的稳压电容
绝不可共地   因为该共地   对DC-DC Switching Noise而言
是低阻抗路径   若共地
则DC-DC Switching Noise   会避开磁珠或电感
直接灌入PA  产生IMD2  导致ACLR劣化
换言之   共地会使第8点的磁珠或电感   完全无抑制作用
5 Q9 \% O) ^: ]+ G4 n+ e
" |/ n& ?& B" }! @6 D7 I7 c8 m

  ]4 T$ p/ j- I* M3 d
5 W, o$ |- E# ?- l/ K
- G: S5 l) S5 p
而功率电感, 磁珠或电感的内阻   也不宜过大   否则会产生IR Drop
使PA线性度下降  ACLR劣化
! u0 n2 Q3 Z9 e5 x% W, Z& z4 q5 M
: b; e& U# |8 P  j8 X7 h; J$ D
# C( Y: X  X  u1 I$ C9 Y, [

' ?/ S* ^  U6 B- B8 B- ?. u, M" j  [! m, e% k4 _3 D
" d) z- c8 u8 Z3 \5 R) O% a
2 @! I6 U+ D% ^$ n# `
因此总结一下   ACLR劣化时   可以注意的8个方向

/ [# u  F! S2 k2 A
1.     PA输出功率
2.     PA Load-pull
3.     PA Post Loss
4.     PA的输入阻抗
5.     PA输入端的SAW Filter
6.     Vcc的IR Drop
7.     校正
8.     DC-DC converter Switching Noise

5 s; G0 ?4 J7 ~/ h( Y# l1 }+ x3 }- B
4 K# x: i/ G( p" f: C5 j0 v
$ t: X  ?  o" I4 K! R
其他详细原理   可参照  
3 D7 T) P9 z( Y3 S3 K EDA365藏经阁 上集_磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制上 ...
4 d  V2 x/ k# w0 {, X  `
EDA365藏经阁 中集_磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制上 ...  
) `  ]' m: O4 YEDA365藏经阁 下集_磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制上 ...- p6 Z8 C( f$ S! j5 K6 `5 e
射频微波/天线技术 WCDMA零中频发射机(TX)之调校指南与原理剖析# U# B. b+ C, e6 I$ X

/ u) g5 K% A! R! s5 t' Z  在此就不赘述

2 z% j5 p5 J. d' X) M! S4 `$ t1 a2 p, `: v# B3 c

) {/ F+ d2 X* T8 f  ?  l2 }# [8 [8 k5 _' C( ]

点评

支持!: 5.0
支持!: 5
不明觉厉  发表于 2015-3-9 17:08
支持!: 5
虽然没有看懂,但是感觉很专业!  发表于 2015-3-9 09:56
谢谢你的解答,我要慢慢消化下,非常感谢!  详情 回复 发表于 2015-3-9 09:14

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 楼主| 发表于 2015-3-9 09:14 | 只看该作者
criterion 发表于 2015-3-8 16:32+ J2 u7 r* K5 f
ACLR肯定是受输出功率影响啊
+ K. R& R$ F. M
谢谢你的解答,我要慢慢消化下,非常感谢!# u( J0 _3 ?1 v; i3 o

点评

另外 建议你RF相关问题可以去 硬件原理与设计› 射频微波/天线技术 发问  详情 回复 发表于 2015-3-9 14:08
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发表于 2015-3-9 14:08 | 只看该作者
本帖最后由 criterion 于 2015-3-9 21:12 编辑
5 m' V, W/ P) l, w# j
[url=forum.php?mod=redirect&goto=findpost&pid=871990&ptid=105457][/url]
1 O( D9 T: P! h4 n5 i3 a" |) D
; R# a& |5 m2 G, r. K
; ^- W# J. N) @9 H8 b. K

& T" G- p% Y, I0 }7 N$ }. F5 i+ M
% X" |% r: @( X5 W5 C1 Y7 o/ E) d

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