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关于QSFP收发信号的处理

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发表于 2014-12-7 11:30 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 kevin890505 于 2014-12-7 11:31 编辑
1 }1 D& i. k7 N& U" A. I: a4 f' V  V1 R4 }' h
第一次弄QSFP+,完全没信心,请问各位大神,这种10G的差分(4对收,4对发)处理上有什么要注意的:
/ H  o( W7 k! A! c) c8 y, j1,收/发的4对之间应该不用等长吧?2 P5 f5 R, \5 D
2,对于高速的差分,从1mmBGA中出来,BGA下方应该有>2CM的走线.下图neck mode或者每根线各走一个通道,对于信号那种更好?5 l  y, z1 R- Y" Z; p
3,10G的信号,如果没有长距离的水平,垂直走线,大约小于5cm,用考虑十度走线么?
! c5 D. ~; m. i如果各位大神有其他意见,建议,跪求!!6 z$ l3 I% `8 {* Y

% q+ m' b' ~" d: M( k! _还有关于电源处理,内核0.9V电流>30A,设计的是48A,这种大电流在处理时候有什么要注意的?
/ F- V% f. ^  p/ E2 F因为是长方形布局,电源在右侧偏下,芯片在左侧,中间偏上有2个DDR3颗粒(不一定会用),这一块地平面回流电流貌似非常大,将来会影响这2个DDR3么,准备跑2133M的。
% D; ^* j5 K8 d5 ]9 O2 A# [' x) U* E
我是很有分享精神的,不过大家懂得起,实在不方便上图。ORZ。  i! V) D% S% N9 w

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发表于 2014-12-9 23:34 | 只看该作者
我也来说一下,个人意见,仅供参考:
3 A( [9 K- u6 s+ E1. 要严格等长;不管是差分线对还是TX,RX对,等长就是了,虽然我们知道后者是无所谓,万一软件调不出来,第一件事就是问你这个:等长了吗?你就可以胸有成竹地说,所有的都等了。
, S( _2 L4 g" P. E2. 不用说了,neck mode;+ `' _' [9 H9 {9 J
3. 同上,需要十度走线;: w. V! g" B2 V2 c5 I* @8 j
4. 除了多铺铜,最好顶底层用2OZ以上的铜皮,电源是最为关键,对数字部分,我一般看重的是电源和回路。5 h$ g. k& f* o  b+ ^* }6 `8 w7 \) V
年底要发奖金,这个时候,一定要注意设计,如果因为一时痛快而被人抓了把柄,奖金分少了,就不好了。

点评

请教下,FR4采用10度走线是和材质有关,我们现在采用ROGERS,不知道还有没有这个问题还需要10度走线不? 大家都采用什么材质,有没有必要换ROGERS的板材, 还有个问题,PHY到光纤口的差分信号是不是50欧姆?有  详情 回复 发表于 2015-5-15 10:46

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 楼主| 发表于 2014-12-9 13:08 | 只看该作者
dzkcool 发表于 2014-12-9 10:27
, B6 `8 F. `, |/ L6 g3 r1、收发之间无需等长,实际上走线拓扑一致,相差也不会太大;
( E& J+ m1 R+ _1 e9 K2、BGA内用Neck模式,一般是4/4的线宽线距, ...
4 }! B5 p* `' V3 z9 g% }! o
多谢大神。关于内核电源处理,我目前使用4内层+1表层铜皮的方式。通流量绝对满足48A要求。
7 h8 M  Y5 M' P# E- i而且电源走向没有经过DDR,但是电源到芯片相当于一根较小的U形铜皮,   DDR大概位置
5 A6 u6 }1 g& I# _' U1 g+ E刚好在U的中间偏上侧,虽然电源不影响DDR,但是我经过仿真发现直流回路在地平面
! O" Z8 P% P) B5 c& |+ t上的电流密度,DDR下方明显要大许多,这个问题应该怎么处理?  单独掏空DDR和内核电; E) o& l& N- |, m8 q; T
源地中间形成一个隔离槽的话会影响DDR走线下方的参考地,所以纠结啊!!!或者不用管?: O+ r* O. i8 G$ S

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发表于 2014-12-8 08:32 | 只看该作者
大力支持LZ  奉献自己的经验

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发表于 2014-12-8 09:17 | 只看该作者
楼主算的应该不对吧?0.9V/30A??还没见过内核功耗如此大的IC,一个IC的内核电压就这么大的话,估计什么散热都没用,而且那整机功耗应该很吓人了

点评

应该是瞬态电流吧,这么大的电流  发表于 2014-12-8 09:53
这个很正常了,我看到还有60A的,据说还有100A级别的不过没看到过。只不过在自己设计中,第一次遇到这种级别的。而且这个30A是DATASHEET要求的。  发表于 2014-12-8 09:19

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 楼主| 发表于 2014-12-8 19:36 | 只看该作者
cvntao 发表于 2014-12-8 09:17
" Z; U5 s( T, P" b; {3 H楼主算的应该不对吧?0.9V/30A??还没见过内核功耗如此大的IC,一个IC的内核电压就这么大的话,估计什么散 ...
- y0 j8 Q- S2 C( B# y4 f0 @2 u7 r- w
呃 我觉得这个虽然挺大的  但是芯片是分功能行业差异的    随便找个I7处理器  基本要求都是100A,150A级别的,比较一下,所以30A的稳态电流其实并不大。
; B  |% {! S6 s( B) g3 }3 _更别说一些专用通信芯片,核心网,接入网专用的IC,内核五六十A都是小CASE的。或者高端的FPGA,内核几十A也是正常水平。
: Y  t1 X, J' ~( l) h" X: n
" Q$ f. t+ q5 c2 j( [" q

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 楼主| 发表于 2014-12-8 20:40 | 只看该作者
呼叫超级狗,跪求狗粮  

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楼主在哪里上班 方便私下留个联系方式么? 谢谢~!  发表于 2014-12-9 16:40

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发表于 2014-12-8 22:08 | 只看该作者
1. 关于高速信号,我认为一根走一个通道比较好,两个走在一起,一个阻抗不连续比较严重,第二个线太细损耗严重;

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发表于 2014-12-8 22:10 | 只看该作者
关于低压大电流,主要考虑两点,1,不要有瓶颈,2,板级频率范围内目标阻抗能满足设计要求

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发表于 2014-12-9 10:27 | 只看该作者
1、收发之间无需等长,实际上走线拓扑一致,相差也不会太大;9 g2 `) ^2 L' c% R  S
2、BGA内用Neck模式,一般是4/4的线宽线距,可以通过控制叠层,使其阻抗接近100欧;
9 S( t: j9 t9 l2 f/ _: T3、如果可能,尽量走十度吧。* O3 @1 j" ^/ R) f
6 |$ G# W' x, r5 o9 ]
设计一个紧靠在0.9V的电源层一起的地层,两个层的铜厚加大,建议2oz,该电源平面不要到DDR区域去。
专业服务(价格面议):
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发表于 2014-12-9 15:28 | 只看该作者
我想,直流应该对DDR的影响不大
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发表于 2014-12-9 22:24 | 只看该作者
1.不需要等长* p* M6 [/ ~3 K
2.neck mode) c# U, Q) N) h; l
3。不需十度走线8 v1 L" t8 l5 c
4。可以在信号层多铺几个铜皮
: {7 L& Y( N$ ^8 f! u: p个人处理方法,仅供参考

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 楼主| 发表于 2014-12-9 22:31 | 只看该作者
dzkcool 发表于 2014-12-9 15:28
9 |' r1 n) z! I, g) G: @我想,直流应该对DDR的影响不大
1 b$ e  K" v% ]9 K' ?6 x
多谢大神帮忙。
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 楼主| 发表于 2014-12-9 22:32 | 只看该作者
jhh610528 发表于 2014-12-9 22:24, ^9 H6 _3 t* |$ u: e
1.不需要等长* c$ e, }* G3 p" d! }
2.neck mode
" K/ ~( C3 q% I3 ?3。不需十度走线
5 x' w+ V# `6 V* v; ]- N
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发表于 2014-12-12 16:45 | 只看该作者
本帖最后由 panpan 于 2014-12-12 16:47 编辑 9 w0 o8 e6 B3 _. Y0 H' G  s+ D
+ ^8 V: p# V" V
1,收发之间不需等长
8 {' M& U! E2 e: d4 `8 ^2,必须用neck mode3,什么是“十度走线”?
1 H6 D4 r$ s! I' Y, O
7 {6 s" E; C! I8 @) ^
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