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[仿真讨论] DDR3的地址线的上拉电阻需要做等长设置吗?

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发表于 2014-11-21 23:28 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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看到别人的约束里好像没有设置,不知道要不要设置?
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发表于 2014-11-22 09:33 | 只看该作者
不需要  你要等长也没错
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 楼主| 发表于 2014-11-22 12:23 | 只看该作者
cousins 发表于 2014-11-22 09:33
0 E2 n" V/ E! K9 l, o不需要  你要等长也没错
: {- l. ?) [# f; Q4 @5 ~4 {' w: |; U1 ]
那这个上拉电阻走线的长短有要求吗?感觉太长了不好啊" j/ y. C# Z+ F5 ~. Y# N; u* H

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发表于 2014-11-22 12:45 | 只看该作者
不是有种功能叫做write leveling吗,多和软件沟通沟通。3 |3 C7 C0 t, ^" e( x
若为daisy chain,则最远的ddr和clk做下长度控制,不要超出clk长度300mil以上。
0 n- `9 i2 ?+ s+ G- Q2 h5 h8 Y若为T chain,全部都可以做不超过clk长度300mil以上的控制。
4 Z: h+ C: N& m) F2 b至于等长,2T没你想得那么严格,1T你就以卡在100mil以下。
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发表于 2014-11-22 21:11 | 只看该作者
cousins 发表于 2014-11-22 12:453 ^. W5 ]5 Z: L! p2 f5 j
不是有种功能叫做write leveling吗,多和软件沟通沟通。
+ ~+ L5 ]  l* n( Y若为daisy chain,则最远的ddr和clk做下长度控制 ...
4 q9 T0 X; R( Y  H1 c% p& w
在这里不能用一个绝对的数值来表述,要看Leveling的能力,即算法问题,还有就是要看你设计的DDR3的信号速率,一般都是看leveling的调几分之几的CLK。所以这个才是决定你可以设计的skew是多大。

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发表于 2014-11-24 10:51 | 只看该作者
Coziness_yang 发表于 2014-11-22 21:11
8 H' b- e; B- Z9 P4 }在这里不能用一个绝对的数值来表述,要看Leveling的能力,即算法问题,还有就是要看你设计的DDR3的信号速 ...

! \$ g1 o; w! ]: D2 Y! \( R那不如仿仿看,我所说的规则能不能满足你的大部分controller和ddr3的skew要求。9 E' ^2 Z. P2 d; ~' C* Q
8 l. {6 p5 J! o
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发表于 2014-11-24 22:47 | 只看该作者
cousins 发表于 2014-11-24 10:51
" a' m$ m# j* k+ r3 G那不如仿仿看,我所说的规则能不能满足你的大部分controller和ddr3的skew要求。
( d0 G+ F/ S; L" e: N1 \
300mil的skew就相当于51ps,而对于DDR3的1600Mbps的信号线来说,CLK的周期是1.25ns,所以对于300mil的来说还是没有问题。但其实在实际的DDR3绕线时,我们的设计基本是等长,基本放在100mil以内。
+ r5 \& m9 x1 ^+ I

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发表于 2014-11-25 08:43 | 只看该作者
尽量短点,在300mil以内会好点,VTT以拉线的形式做,不用铺平面

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发表于 2015-1-12 08:40 | 只看该作者
放在最后一边DDR那里,最好做等长

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发表于 2015-1-13 09:54 | 只看该作者
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发表于 2015-1-13 19:13 | 只看该作者
末端匹配电阻,就是一个端接。和时序没有多少关系。不用作等长,但是有长度要求。走线越长,端接效果越差,一般要求500mil即可。
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