关于DDR3的串接匹配电阻的设计问题

Coziness_yang

在我们目前很多DDR3的DQ信号线上都设计了串接匹配电阻，这个串接电阻为了使驱动器与传输线匹配，因为驱动器的输出阻抗为25Ω左右，而PCB走线为45Ω左右，所以在线上加一个23Ω左右的电阻匹配（一般设计在内存条上），但是在有些设计中，由于版面布局的限制，我们不设计该串接电阻。有谁测试过有串接电阻和没有串接电阻的差异？

cousins

有ODT就可以了，关键还是接收端的信号质量。
在无odt的情况下有这种匹配会抑制掉源端的振铃，但是会增大功耗。
) D: G7 ~5 W; T5 J; s4 r/ ]' N

xuexiyixia

DDR3数据信号都有ODT，所以没必要再接匹配电阻。

Coziness_yang

但是在DIMM条上是有串接电阻的，ODT是可调的。

qingkong0709

不需要串电阻

zhaoyang0351

有ODT就不需要串联端接了。ODT模式下会有几种阻抗匹配可选，配置一下寄存器就可以了

Coziness_yang

zhaoyang0351 发表于 2014-10-8 15:17
0 |8 O8 ]) U  T. [: }8 Z有ODT就不需要串联端接了。ODT模式下会有几种阻抗匹配可选，配置一下寄存器就可以了

4 [- d1 X( V: _, q1 K, i+ |6 O谢谢你的回复。

台风12

学习了

ryo1023

嗯！有ODT,可以不接串阻。