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本帖最后由 zhongyiwaiting 于 2012-10-8 19:44 编辑
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顶起!
' L3 `" U2 |. w( I看目录,这本书应该是侧重IC版图设计的吧!6 C4 H' j6 w' B" k G
- {: O% n0 K6 x+ ^- M% FSEE:http://www.tushucheng.com/book/3083082.html
0 h, X3 \1 x0 f( a! s& Z! j9 o% h9 w2 q
内容提要:$ Z8 q& J# T. m; g
李扬、刘杨编著的《SiP系统级封装设计与仿真——高级应用指南》介绍了SiP系统级封装的发展历程,以及当今最热门的SiP技术,并对SiP技术的发展方向进行了预测。 4 I& L9 X! z" U g+ [" T5 o
本书重点基于Mentor Expedition Enterprise Flow设计平台,介绍了SiP设计与仿真的全流程。特别对键合线(wire Bonding)、芯片堆叠(Die Stacks)、腔体(Cavity)、倒装焊(Flip Chip)及重分布层(RDL)、埋入式无源元件(Embedded Passive Component)、参数化射频电路(RF)、多版图项目管理、多人实时协同设计(Xtreme)、3D实时DRC等最新的SiP设计技术及方法做了详细的阐述。在本书的最后一章介绍了SiP仿真技术,并通过实例阐述了SiP的仿真方法。 % I( w ^# B1 A. k) |3 t9 p
《SiP系统级封装设计与仿真——高级应用指南》适合SiP设计用户、封装及MCM设计用户,PCB设计的高级用户,所有对SiP技术感兴趣的设计者和课题领导者,以及寻求系统小型化、低功耗、高性能解决方案的科研工作者。目录:
! N% ~) O" y) t0 D/ i第1章 Mentor公司SiP设计仿真平台
4 S# L5 j2 c& L9 T( l1.1 从Package到SiP的发展
1 g! q7 p) ^* C9 O0 {- Z1.2 Mentor公司SiP技术的发展
7 n. e7 O" Q i5 d! G X$ p1.3 Mentor SiP设计与仿真平台
- Y' J! O$ E. J& Z7 O2 s1.3.1 平台简介
5 x1 F+ }% i; K. k1.3.2 原理图输入 + l- d4 v9 {' b; ?& ]. t
1.3.3 系统设计协同 / }, F5 v" b" F" a4 g" j
1.3.4 SiP版图设计 p2 t( w0 J! l; i4 I( d
1.3.5 信号完整性和电源完整性仿真
) K U/ P! F$ I9 ^1.3.6 热分析仿真 2 |, f$ D: G' j$ W+ J. J" z, ~# a$ r; S
1.3.7 Mentor SiP设计仿真平台的优势和先进性 + V* l# L3 r9 j% A( k
1.4 在Mentor SiP平台中完成的项目介绍 + B4 B3 e! a4 Q
第2章 封装基础知识
o+ B- B3 }, n4 L2.1 封装的定义与功能 : a) D7 {: j8 u. M& z4 D3 H, A
2.2 封装技术的演变与发展
6 Y0 j! \" H% X- G2.3 SiP及其相关技术 . j# d: H# B: X* g1 i
2.3.1 SiP技术的出现
) | K2 a6 P& \2.3.2 SoC与SiP # R. D+ Q6 X. T
2.3.3 SiP相关的技术
( Z8 ?3 b8 u1 k3 b2.4 封装市场发展 / x+ ^3 l6 _0 _' q( d% X. h
2.5 封装厂家
4 q+ Z- S9 X' l4 L) F& d4 y. J! H2.5.1 传统封装厂家
$ y& z0 V) H3 Z9 \2.5.2 不同领域的SiP封装企业 6 q' B. `+ v7 z, H& U. G3 L% d+ v( L
2.6 裸芯片提供商
% G5 O9 b) i# J. {# q+ u. f$ m8 D第3章 SiP生产流程
$ Q2 z* ~. \. n% r% n4 c9 u2 k3.1 BGA—主流的SiP封装形式 " w& {; P0 C" c1 ~: u
3.2 SiP 封装生产流程 ; ~) x% o6 x) Z# _
3.3 SiP封装的三要素 & j+ ]. h+ Y- S7 _ P+ |
第4章 新兴封装技术 4 c7 Z0 R+ _, w9 J7 h* H
4.1 TSV(硅通孔)技术
. H5 D. B9 K2 A' ^4.1.1 TSV介绍 9 s9 \. b, S% X% e D
4.1.2 TSV技术特点 5 Y C7 y N9 p9 R
4.1.3 TSV的应用领域和前景
* d* x+ b* l, c/ B }3 Q" A$ U, z4.2 IPD(Integrated Passive Device)技术 & c% m! Y- m7 Q4 G9 h# D3 f
4.2.1 IPD介绍 W1 L" }9 P: o! }6 O) R
4.2.2 IPD的优势
: H% a7 I: A3 a( C( \$ S4.3 PoP(Package on Package)技术
+ S! C! S4 d5 x# a) S* }9 o2 J' c4.3.1 3D SiP的局限性
2 B9 }" y9 D+ S; D t& r3 P, g4.3.2 PoP的应用
' w/ b2 `5 G y( F! D C4.3.3 PoP设计的重点 - |+ o( b* T# }% u9 L# ^2 @* p0 u
4.4 代表电子产品(苹果A4处理器)
7 S p+ A2 X% B, N! `; C第5章 SiP设计与仿真流程
) r8 K7 ] ~, |) W& |5.1 SiP的设计与仿真流程
% S+ \! }, z9 h5.2 Mentor环境中的设计与仿真流程 & K) C, c$ J& K) F" M$ i; w
5.2.1 库的建立
t* C9 s h$ w0 ?7 g, K5.2.2 原理图设计 $ P6 ^8 z2 {2 n' M# a/ A
5.2.3 版图设计 9 |+ O# k# f& o! X# H
5.2.4 设计仿真 # T; S5 \1 }3 e6 C9 i: W5 T c
第6章 中心库的建立及管理
; w; g. M; C+ n" W! c$ M9 U6.1 中心库的结构
, i: q7 R4 g) D4 `. Y6.2 Dashboard介绍 ! A2 P4 J9 R4 K9 s" p$ _ m' A
6.3 原理图符号库的建立
$ b) O5 Q% O8 ~ O/ I# [6.4 裸芯片Cell库的建立 8 W) u0 Q0 N# A2 {) g+ W& z1 v
6.4.1 创建裸芯片Padstack
; _; w a! w& _& h6.4.2 创建裸芯片Cell
% U( x; L t: F6 w& R! @+ V6.5 BGA Cell库的建立 $ I% d3 q$ k9 i2 W0 I1 E
6.5.1 创建BGA Padstack
# P3 r3 ]# E! I8 n9 A- o6.5.2 手工创建BGA Cell
6 d; n8 ]: C* a) i% g6 `6.5.3 使用Die Wizard创建BGA Cell
( L# w' k; U9 ^ ~( Q+ T6.5.4 LP Wizard专业建库工具
" x! m9 r! Z" D6.6 Part库的建立 . \ }/ v/ _$ D) y$ ~; t
6.7 通过Part创建Cell ( p4 U8 w" W7 R$ n/ [$ |
第7章 原理图输入
. m* I- h: ?" k7.1 网表输入 5 J$ c3 s! I2 L! t
7.2 基本原理图输入 8 X! t% `: H( A: v& v
7.2.1 启动DxDesigner
4 j* H4 u; F( ?$ s7.2.2 新建项目
1 W6 j: |4 s* ]9 M, i; A2 X% }+ s7.2.3 设计检查
* i5 w- l) F. E7 v+ T: M7.2.4 设计规则设置 & _$ s% h5 s$ G$ K( \; B4 p* _
7.2.5 设计打包Package
1 ?% v( Q# x: U' d9 i7.2.6 输出Partlist : C/ n" F! \0 g! h ]
7.2.7 原理图中文输入 ( P3 Z% j; ]: }
7.2.8 进入版图设计环境
) C& ~; l/ Q& ^2 X# G1 e7.3 基于DxDataBook的原理图输入
- p2 r8 N3 L! y \% g5 C5 b7.3.1 DxDataBook介绍 . ]0 Z a' R s" \
7.3.2 DxDataBook使用 9 F( \, B/ l |
7.3.3 元器件属性的校验和更新 ( O4 @ H$ ]$ _4 ~" k
第8章 多版图项目管理与原理图多人协同设计 % z3 w$ @& \; @9 X/ D
8.1 多版图项目管理 9 s; \/ X& _; n' Z
8.1.1 SiP与PCB协同设计的需求
% e1 n* e" c. s( f t# x8.1.2 多版图项目设计流程
5 ^. P9 H( v3 [* e- X$ G8.2 原理图多人协同设计
6 C6 g) I n1 k6 E. ^5 C1 o8.2.1 协同设计的思路 , O6 c9 N" ?: l O! f8 j% w h
8.2.2 原理图多人协同设计的操作方法
% {2 C+ I/ ^8 x/ x0 n( T) P/ G! Z第9章 版图的创建与设置
6 [5 U% t3 P! {6 |+ F! [' ?/ }4 D9.1 创建版图模板 " q S" g: S$ v6 P- f! x8 k1 M) }) ~
9.1.1 版图模板定义
/ G" O: \, [$ W( ]; T9.1.2 创建SiP版图模板
o( Y" h& F, g3 ~* t- ]5 [( v9.2 创建版图项目
7 N& t. ~1 [% j+ }2 v) \9.2.1 创建SiP项目 : X8 k. x& i" D+ H
9.2.2 进入版图设计环境 ( F- C$ d/ P) e4 }. s
9.3 版图相关设置与操作
& J+ r' q, B( W# v' ?& i9.3.1 版图License控制介绍
. n- \( A5 t4 G. D/ {9.3.2 鼠标操作方法
5 m. I5 c% t7 @+ L! {5 ^* a9.3.3 三种常用操作模式 1 c$ W5 Z2 M1 N! G# w
9.3.4 显示控制 Display Control
; y S6 c5 S4 W2 s& Q9.3.5 编辑控制 Editor Control 2 u+ Y! h3 a1 r/ x
9.3.6 参数设置 Setup Parameters - E- A% A0 D" p+ }
9.4 版图布局 ! s1 u* m& \( Z) Q, J! A! q6 k
9.4.1 元器件布局
* r' r/ ?* B# d( X3 l9.4.2 网络自动优化
% i7 r& u$ T) x/ c2 }7 u9.5 版图中直接查看原理图-eDxD View ! S; C7 h5 j/ J* G* V3 d
9.6 版图中文输入 7 m+ D! g% ?: c
第10章 约束规则管理
1 V& U4 F. Z4 D( m7 V1 ~( Y, R10.1 CES约束编辑系统 4 p+ O$ \; M; z) g. C
10.2 方案Scheme
' t3 x6 }$ N* `4 `1 k0 @8 R. s10.2.1 创建方案Scheme & A' G, B/ r& m W; ~& ]
10.2.2 在版图设计中应用Scheme
2 g- M- ~0 [! h6 @8 R5 r10.3 定义基板的层叠及其物理参数 ! X+ U) r' \9 P2 q2 G
10.4 网络类规则 Net Class * @+ f- t" F5 \# D' z$ f6 H
10.4.1 创建网络类并指定网络到网络类 4 E$ ], s/ }( z8 b5 M, b) G% T" {
10.4.2 定义网络类规则 : l$ z3 C6 f+ r7 M
10.5 间距规则 Clearance - M2 D0 w: k6 t" Y
10.5.1 间距规则的创建与设置 0 e) _! v# K _* m
10.5.2 通用间距规则
1 Q- s5 E \- ^( w5 N5 z10.5.3 网络类到网络类间距规则
; y* a7 Y' |( S7 A! {10.6 约束类 Constraint Class ; B+ Y% G, Y1 E! K& `1 C/ r0 u
10.6.1 新建约束类并指定网络到约束类 ; Q9 V+ c* R4 X& R ?- k# k
10.6.2 电气约束分类
: H! s3 V0 @$ W' p10.6.3 编辑约束组
/ k$ K0 O' I$ h# |" X3 Y10.7 CES和版图数据交互
! K- j" ?( r) a6 A" l) j第11章 Wire Bonding设计
3 ]' [( r; m5 w6 ^7 R- b: p! N11.1 Wire Bonding概述
3 ?1 U6 T+ K, ?! `" o11.2 Bond Wire 模型 - J/ B' T6 ~$ f. v3 q& z
11.2.1 Bond Wire模型定义 / c+ |# j3 ?+ B6 u: [0 A8 I/ u/ K
11.2.2 Bond Wire模型参数 ) ?# Q9 _/ p! M X" J4 d/ |
11.3 Wire Bonding工具栏及其应用
( _: n$ @" P7 |6 A; n11.3.1 手动添加Bond Wire
% V5 c. E7 D, D$ a0 m- G11.3.2 移动及旋转Bond Pad 9 y6 N* w2 `- X9 B2 U( @ X
11.3.3 自动添加Bond Wire及Power Ring
4 _0 W1 m4 x7 |- H11.3.4 Bond Wire规则设置 8 S' O4 q4 m6 ^ Z2 T5 N6 a7 K- q
11.3.5 实时Bond Wire编辑器Wire Model Editor / h o$ Z4 q9 _, i# l
第12章 腔体及芯片堆叠设计 7 V+ l' S- T5 I
12.1 腔体Cavity
& G8 x* S I) e- S12.1.1 腔体的定义 / d3 m0 A0 a2 Z8 Z5 A0 E& h
12.1.2 腔体的创建 , n6 p) ?! n% u& w
12.1.3 将芯片放置到腔体中 6 c" ?; v$ K# Y4 V
12.1.4 在腔体中键合
6 z% G. m+ Y6 [- s: q12.1.5 埋入式腔体设计及将分立器件埋入基板
/ p. g a4 X5 b/ z' A. U2 s12.2 芯片堆叠 1 X c! j1 @: F% q5 ?9 i, D K: P+ I
12.2.1 芯片堆叠的概念 ' u% n% {2 r8 Z0 q/ ~
12.2.2 芯片堆叠的创建 5 _" ~( D9 q3 K- U( y% }0 |9 @
12.2.3 并排堆叠芯片
: P( g7 R" ], B, a4 ]4 H12.2.4 调整堆叠中芯片的相对位置
4 @- ~$ R$ p2 v& ^5 ]/ L1 f12.2.5 芯片堆叠的键合 0 J# [% v3 [$ k, W B
第13章 FlipChip及RDL设计 3 Q) R( O) j, S+ Q9 t
13.1 FlipChip的概念及特点 1 A0 ~, T# @ Z( ]3 m
13.2 RDL的概念
! y- v! {" N7 Z, r7 L13.3 RDL设计 ; e% L1 _6 E6 C- |4 _% o/ t8 } Z: G" @- {
13.3.1 Bare Die及RDL库的建立 ) Q2 [- C) W( p o
13.3.2 RDL原理图设计 % v& S$ e s+ P6 x y: c) d/ D9 b+ `
13.3.3 RDL版图设计
6 ]0 j% l7 C+ Q& R; Q13.4 FlipChip设计 % t! c, l( q' i4 x* u. E
13.4.1 FlipChip原理图设计 # n3 Y. E1 c3 m% a, v* @
13.4.2 FlipChip版图设计
) E7 ^- B! j& e2 d- O1 ]第14章 布线与敷铜 ! p* G- W3 [: j, v! x( w
14.1 布线
- |. w) U( O2 v+ E14.1.1 布线综述
" b v% C: k! i: ]' d14.1.2 手工布线
. Q9 U0 j! z6 S5 t8 c9 p9 x: @14.1.3 Plow布线模式 * d% _' x" G( V" g5 K( W
14.1.4 Gloss平滑模式 " \1 i4 N7 h0 S* m
14.1.5 固定Fix和锁定Lock + P2 v8 V- Y1 P/ x- {% a5 c
14.1.6 层的切换
3 ^8 Y5 u0 c4 A" ?7 ]14.1.7 移动导线和过孔 6 E+ m7 B% V/ z H! B5 K3 v
14.1.8 电路复制 8 L- X% f m6 x# d& s
14.1.9 半自动布线 2 G, |: N% a3 W9 g c4 V2 }) i
14.1.10 自动布线
' f+ U( n0 V8 F7 D* T6 K8 `14.1.11 差分对布线 : S- O) s' C% _7 K c
14.1.12 长度控制布线
0 d6 I" t3 C5 x7 Q14.2 敷铜
- V* a4 L! @5 V* d# w14.2.1 敷铜定义 8 n5 h' p& v- D. [# D0 o+ W, m
14.2.2 敷铜设置
$ b1 ~& k3 M- M# w `$ i14.2.3 绘制敷铜形状
; c1 ^0 n, u- G9 P" E# t5 U5 }) k14.2.4 修改敷铜形状 ) p/ y+ h. h" ?- m$ r
14.2.5 生成负片敷铜
- K2 z, ?% {4 ~14.2.6 删除敷铜数据
. Z7 A% w9 d0 l9 R3 N8 x14.2.7 检验敷铜数据
; |+ Z8 K" P- l. W$ K. g第15章 埋入式电阻、电容设计
3 W; j2 G V- x4 a+ T: n15.1 埋入元器件技术的发展 ; ?3 a6 w, Q: @/ w' {0 c
15.1.1 分立式埋入技术 7 K6 z5 Z4 e/ y; ~. K9 D
15.1.2 平面式埋入技术 $ @. N3 I" D- o! G q! ~& u' n
15.2 埋入式电阻、电容的工艺和材料
( W2 y. Y0 ~; v, i* W4 c15.2.1 埋入式电阻电容的工艺Processes
9 M, J' B; s# i2 g1 r6 l15.2.2 埋入式电阻、电容的材料Materials . l) f+ H8 D; N2 v
15.2.3 电阻材料的非线性特征 3 }- `! j b( ^* U v$ Y2 `; I& p! U
15.3 电阻、电容自动综合
0 n8 F. E# z* V4 s/ g! w15.3.1 自动综合前的准备
1 c+ b( M; c# \" R) @4 m15.3.2 电阻自动综合 , e4 ]0 I7 S" V+ x
15.3.3 电容自动综合
3 s0 b* M* w% a/ f3 D1 m第16章 RF射频电路设计 ; S/ }7 G( F) T& y- P
16.1 RF SiP技术
; ?& n- v; T( h/ q16.2 Mentor RF设计流程
9 u1 W% u; ^& B$ W16.3 RF原理图设计
3 F9 b. P9 @1 @/ f; `8 Z# g+ l, W8 g16.3.1 RF元器件库的配置
$ c$ R5 r% L; W2 R7 x; V; z......: h3 U J1 e4 B1 }! C
0 \/ ^3 ^* ~; g3 } |
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