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本帖最后由 zhongyiwaiting 于 2012-10-8 19:44 编辑
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4 ` I! j6 {! x5 o! O" A8 B' o' }顶起!. T+ r1 O' M. e# Z! J7 u
看目录,这本书应该是侧重IC版图设计的吧!
7 H6 B3 u b F. b8 M8 C s
5 Q! k( P* O: }6 K0 T% GSEE:http://www.tushucheng.com/book/3083082.html+ B& e& a, P* X: v+ I5 G
8 g8 K5 c- x: Y7 E, Z( H7 u内容提要:
/ z* S6 q: L7 M$ h李扬、刘杨编著的《SiP系统级封装设计与仿真——高级应用指南》介绍了SiP系统级封装的发展历程,以及当今最热门的SiP技术,并对SiP技术的发展方向进行了预测。 ( j" T% N) Q+ h0 \
本书重点基于Mentor Expedition Enterprise Flow设计平台,介绍了SiP设计与仿真的全流程。特别对键合线(wire Bonding)、芯片堆叠(Die Stacks)、腔体(Cavity)、倒装焊(Flip Chip)及重分布层(RDL)、埋入式无源元件(Embedded Passive Component)、参数化射频电路(RF)、多版图项目管理、多人实时协同设计(Xtreme)、3D实时DRC等最新的SiP设计技术及方法做了详细的阐述。在本书的最后一章介绍了SiP仿真技术,并通过实例阐述了SiP的仿真方法。 * I7 ]8 J8 M# ~9 o/ x0 m
《SiP系统级封装设计与仿真——高级应用指南》适合SiP设计用户、封装及MCM设计用户,PCB设计的高级用户,所有对SiP技术感兴趣的设计者和课题领导者,以及寻求系统小型化、低功耗、高性能解决方案的科研工作者。目录:
' A! `( C" J6 {: r% c% b第1章 Mentor公司SiP设计仿真平台
; W- Y* E$ W& \; p7 v1.1 从Package到SiP的发展 " H1 D- `' w0 m
1.2 Mentor公司SiP技术的发展 ( j$ z& q8 W8 P* D3 ?8 c) Y
1.3 Mentor SiP设计与仿真平台
) ~, }" i: g0 Q) ~. I8 E1.3.1 平台简介
! ?: C) V# u% j1.3.2 原理图输入 / `/ N; v2 V8 e, r; x
1.3.3 系统设计协同 . \* N# g. `6 O" c3 [, W/ l
1.3.4 SiP版图设计 , {8 m1 F/ Y/ ~, k) t
1.3.5 信号完整性和电源完整性仿真 - h0 G8 l. @+ o! j& |# c
1.3.6 热分析仿真
' P4 z& g! K! t7 H1.3.7 Mentor SiP设计仿真平台的优势和先进性 + _5 Y/ a' P! [: _
1.4 在Mentor SiP平台中完成的项目介绍 : w2 E, o" Z: o% f, w
第2章 封装基础知识 ) `' `) Q) U* n& I, o
2.1 封装的定义与功能
' M$ [3 B+ }0 i2.2 封装技术的演变与发展
4 ^, j& E' c+ q! ^2.3 SiP及其相关技术 : q+ z R( k6 g
2.3.1 SiP技术的出现 % P X) H+ g9 L5 K# U0 k
2.3.2 SoC与SiP
( U! W+ p3 v) I' j, i* C5 q2.3.3 SiP相关的技术 ( G. M- F- ?# s, m. ~9 o; \
2.4 封装市场发展
9 |! O% _& N! R) T% q2.5 封装厂家 " G2 G1 z3 R) u L
2.5.1 传统封装厂家
6 P) x3 s- k/ [. D" {6 O2.5.2 不同领域的SiP封装企业 ' [/ E$ p$ t$ E, b/ a
2.6 裸芯片提供商 ! P. J4 h: n0 }, `7 }6 ^( E5 z& P
第3章 SiP生产流程 ; v5 w, s/ ~, b! A. y+ @- G3 p
3.1 BGA—主流的SiP封装形式
0 e) Z. a( ~" N2 t! m0 P! v% n3.2 SiP 封装生产流程 ' M8 p: {, P& |4 ^1 }
3.3 SiP封装的三要素
1 O+ L# L# W( y4 {% |第4章 新兴封装技术
% T- X5 O, m3 m; A! j8 u" [4.1 TSV(硅通孔)技术
" d- X7 |$ J, A$ o+ k' U2 W4 M) N8 M4.1.1 TSV介绍
- P4 ]0 }. q9 u* N4.1.2 TSV技术特点
- |3 `1 X: @& o8 t5 u" u+ L4.1.3 TSV的应用领域和前景
( j7 ^+ f A; d/ g! V1 m* V u& _" x; K4.2 IPD(Integrated Passive Device)技术 ! I# m4 Z& n- l3 x7 M* n3 [
4.2.1 IPD介绍 , X$ w, B& g8 z* v( I' B5 N
4.2.2 IPD的优势
/ l# i' Q7 ?8 v) ]0 o4.3 PoP(Package on Package)技术
+ X# ?+ C' Q( E h/ b. z/ a4.3.1 3D SiP的局限性 $ p3 b% H* q7 b) x7 `5 a
4.3.2 PoP的应用
: a6 T9 k4 x* G8 s4.3.3 PoP设计的重点 0 p7 I q: O) q9 u/ H, q' i' `
4.4 代表电子产品(苹果A4处理器)
/ L+ g: \$ j' j第5章 SiP设计与仿真流程 & d4 \5 n0 c& f8 ?5 b/ v' p" }
5.1 SiP的设计与仿真流程 . c% p9 U; C( i" j
5.2 Mentor环境中的设计与仿真流程 3 K( v; Q! q7 _4 B" ]
5.2.1 库的建立 " M( A3 a0 V4 o2 h' e+ v
5.2.2 原理图设计 4 |# I U7 m V" o9 _
5.2.3 版图设计 * Q1 B: W& |4 E
5.2.4 设计仿真 ( T: Y. J: |- I0 Q4 ]/ l
第6章 中心库的建立及管理 . @$ f: D, K# V6 _ E) Z$ D! U
6.1 中心库的结构
- x( H& E% U. d7 K X1 t) u. a6.2 Dashboard介绍
+ d- j# L7 K( L6.3 原理图符号库的建立 3 _$ T3 A9 V% s! V
6.4 裸芯片Cell库的建立
5 t1 F5 r( Z, i, ?- r ~6.4.1 创建裸芯片Padstack
# ?! g7 q* {, k! V; g Q0 S: F6.4.2 创建裸芯片Cell ; h2 @6 A# U2 _1 t/ T$ v; u* M0 ~
6.5 BGA Cell库的建立 2 p u- A+ I- t7 G" D
6.5.1 创建BGA Padstack : |1 _# B6 L% J
6.5.2 手工创建BGA Cell " X; a {$ z$ [, w/ ~
6.5.3 使用Die Wizard创建BGA Cell # X# d1 c6 ~" Q5 W# H
6.5.4 LP Wizard专业建库工具
, E% [3 ?* X, ?2 G G6.6 Part库的建立 8 i* S1 U; \2 b: ]' I
6.7 通过Part创建Cell . b3 t; B# w4 c
第7章 原理图输入
: s% U/ f/ Y5 |/ w3 Y7.1 网表输入 # o8 l9 k2 N( {, E) ~2 L
7.2 基本原理图输入 / Z0 d. m. m+ o1 d
7.2.1 启动DxDesigner
, L! R8 W+ J$ r! s4 h& R+ S% S' T7.2.2 新建项目
: ]$ k* l! i& t9 J1 S7.2.3 设计检查 3 L& t+ w! r9 o: p# X$ j* p
7.2.4 设计规则设置
. M$ E$ t$ y6 K' i7.2.5 设计打包Package ( N+ t" x9 P2 r% Z7 J
7.2.6 输出Partlist & f4 f9 [5 Y1 P: s- O% n
7.2.7 原理图中文输入
% I8 }* g$ ]+ M9 ], q6 r7.2.8 进入版图设计环境 0 j6 r4 n* s$ x4 j
7.3 基于DxDataBook的原理图输入
+ L/ i: _" z& X9 L6 {# Z- d7.3.1 DxDataBook介绍
" g/ T; f8 O8 M% z5 i3 A. R7.3.2 DxDataBook使用
) q$ G& p, T9 n7.3.3 元器件属性的校验和更新
5 ~6 p8 v8 d! d, C0 `第8章 多版图项目管理与原理图多人协同设计
* n' J& K0 o* j% s, }8.1 多版图项目管理
2 }0 c* C1 {: q2 A: Y8.1.1 SiP与PCB协同设计的需求
6 w% q; m3 `, s [( I: w9 w8.1.2 多版图项目设计流程
# _; }/ I1 Y3 Q. @8.2 原理图多人协同设计 # f# a; {) I; Y4 l
8.2.1 协同设计的思路
7 a& H% q* N8 D' I3 N9 m8.2.2 原理图多人协同设计的操作方法
% c, {+ U7 |% }8 Q2 ~' H+ E第9章 版图的创建与设置
/ } L6 I9 k/ {" ^0 A% t$ |9.1 创建版图模板
e" N' w3 Z% V/ L9.1.1 版图模板定义 9 S n0 Y) H/ D) A
9.1.2 创建SiP版图模板 2 E: _( N9 b0 R3 g$ O# ]
9.2 创建版图项目 + o, Z! p) r4 O3 C2 @8 [$ A( s
9.2.1 创建SiP项目
' e+ H A7 J! I9 M" Z3 C' G2 G9.2.2 进入版图设计环境
v1 Z) Z7 e' B2 v; X& D" ^9.3 版图相关设置与操作
; j% w3 A g, H2 E9.3.1 版图License控制介绍 3 Q, k& v, l0 v2 \8 n4 w2 a' g
9.3.2 鼠标操作方法
. m. s, V! d% \0 O5 \4 Q& N9.3.3 三种常用操作模式 + F! k+ Q2 f1 ^6 g0 p
9.3.4 显示控制 Display Control
7 A7 @! k/ m' s& O% M9.3.5 编辑控制 Editor Control
Q3 D0 w. p% s9.3.6 参数设置 Setup Parameters ) }& H8 T+ x( g4 \
9.4 版图布局
+ |" d% W7 C8 z6 u' N9.4.1 元器件布局 * m: \9 R- Y# z2 }' L, @2 Y
9.4.2 网络自动优化 2 R; \) v* e5 m, P6 ]3 s+ q
9.5 版图中直接查看原理图-eDxD View
0 O: H* w; z% i w0 ?0 {9.6 版图中文输入 4 b8 q, a: U. f8 j- B$ E. z
第10章 约束规则管理
7 B; k" p$ ^9 i10.1 CES约束编辑系统 " x) a, f8 S) ]6 z% f/ f
10.2 方案Scheme
/ s! V! s' @, f0 i9 B ~$ M+ }10.2.1 创建方案Scheme ' q P p' Q4 N! _/ ?
10.2.2 在版图设计中应用Scheme 5 s( U& K/ B- M6 [! _0 ^+ W
10.3 定义基板的层叠及其物理参数
# e$ O# V$ l3 x' [9 _10.4 网络类规则 Net Class 6 l9 I$ f. ~/ C
10.4.1 创建网络类并指定网络到网络类
4 u' ^6 ]$ ~% h10.4.2 定义网络类规则
% s' o- D% l2 E- P: ~5 R& w10.5 间距规则 Clearance % m1 n0 Y" C4 x8 E% `7 r
10.5.1 间距规则的创建与设置
1 x# ~ N# D( g9 x3 Y4 t( U10.5.2 通用间距规则
7 c w3 v# P2 d- ~/ V10.5.3 网络类到网络类间距规则 : q# ]3 W% g' x5 p
10.6 约束类 Constraint Class t+ c* Z8 G& t: F$ u V
10.6.1 新建约束类并指定网络到约束类
- V# `+ O- [* o7 A9 t10.6.2 电气约束分类
1 J( r1 R0 z$ j* }7 P, G10.6.3 编辑约束组
2 y7 m* x& b% N. A+ I! G! w10.7 CES和版图数据交互 , @; z# O( H/ Y# ~
第11章 Wire Bonding设计
. m0 c! {' p# E11.1 Wire Bonding概述
# ^. n$ d8 {0 o8 u) o! m11.2 Bond Wire 模型 $ B3 R6 J$ P! _" M% j6 ]) v+ x) J! b
11.2.1 Bond Wire模型定义 2 n t/ R! V0 G; x" {9 {6 e! n6 d
11.2.2 Bond Wire模型参数
. c: u" J- \6 f& p11.3 Wire Bonding工具栏及其应用
. ^& S/ A9 N$ A11.3.1 手动添加Bond Wire
! k- p$ D$ `+ F. F: B' X. M7 g Y11.3.2 移动及旋转Bond Pad , e) f6 E. r! a
11.3.3 自动添加Bond Wire及Power Ring . }" e8 X# _" m4 o5 y
11.3.4 Bond Wire规则设置
! ]1 M0 y) Q, h! {, }' X- \11.3.5 实时Bond Wire编辑器Wire Model Editor
2 E$ W- ?9 f( j" t+ ^6 B+ U第12章 腔体及芯片堆叠设计 ; \* g* x) @, l6 }5 X% V. Z
12.1 腔体Cavity . k+ X0 ?4 y# P+ A; I& x' d
12.1.1 腔体的定义 5 u( ?; l" y# q( p6 K
12.1.2 腔体的创建
, Q4 q- y- ^/ Y( ^12.1.3 将芯片放置到腔体中 / \* K: M, v% d. O" E
12.1.4 在腔体中键合
. j+ x0 j' W8 E12.1.5 埋入式腔体设计及将分立器件埋入基板 # Q, p; v7 l; l$ {( C" v" ~
12.2 芯片堆叠 9 [/ O& u% r S3 U1 u* x! k; X4 A* ?
12.2.1 芯片堆叠的概念 6 p; A/ |& W/ x5 K& _
12.2.2 芯片堆叠的创建 " G' E {3 e; ~/ t( X3 |
12.2.3 并排堆叠芯片
) r) E0 V3 ]) j* t- K9 m12.2.4 调整堆叠中芯片的相对位置
; B- N: T# Y+ e12.2.5 芯片堆叠的键合 3 I" a4 a V: w, S. \% i& v
第13章 FlipChip及RDL设计
) x! P: @3 d' n# u# }/ b! [13.1 FlipChip的概念及特点
, j/ N" f& a# X# U V( q13.2 RDL的概念
* _0 f! g9 |" b1 v- U) M8 s13.3 RDL设计
) H8 E1 E! @/ P, d$ U% \( @( o2 w13.3.1 Bare Die及RDL库的建立
7 }: w) q/ J5 m" n S. p' L13.3.2 RDL原理图设计 + d9 `+ m7 @& I- o3 c% C. x' W
13.3.3 RDL版图设计
3 E5 t& V w7 u' ~* q: O13.4 FlipChip设计 a' V& G+ _6 X9 P
13.4.1 FlipChip原理图设计 % f1 i* i7 D0 q9 }0 U
13.4.2 FlipChip版图设计
: t( L# e8 r2 G- {0 ?6 O8 g第14章 布线与敷铜
# R9 T( {9 J1 L7 O14.1 布线
5 Q8 i K: k" F" x r2 i4 x I14.1.1 布线综述
! F& i5 i; i8 D9 O& H14.1.2 手工布线
' r. C2 `& P/ E14.1.3 Plow布线模式 ! N' E$ l* H$ c7 n5 U
14.1.4 Gloss平滑模式
- k2 W" \. p0 o: O14.1.5 固定Fix和锁定Lock
3 N6 N6 `! w; M5 w2 F/ V" r s/ ]14.1.6 层的切换 , l, m9 h# }. `0 S
14.1.7 移动导线和过孔
4 H6 z, e: F* _14.1.8 电路复制
) ~0 n) |% X [3 _14.1.9 半自动布线
. j6 a( l& \# y3 p% n9 }14.1.10 自动布线
' {( U1 ?6 T+ ^14.1.11 差分对布线 & R: Y( u* [* E* ~. a4 b! e# B
14.1.12 长度控制布线
+ x6 j+ S( R8 P4 A! {$ w+ Z/ X3 M14.2 敷铜
8 q8 Q- |- m# K [, A14.2.1 敷铜定义
' ^/ ~1 P; @# j' K/ n0 s- T. [7 v14.2.2 敷铜设置 " T+ y: d" _ K& e2 B* _
14.2.3 绘制敷铜形状 $ p) P6 E! W- e5 t3 g; \6 g7 w+ [
14.2.4 修改敷铜形状
* b& F( v1 E# L2 m& p14.2.5 生成负片敷铜
$ ?% f6 N9 B, [! z" Q: X( M14.2.6 删除敷铜数据 & I. X# [$ y/ W1 s
14.2.7 检验敷铜数据 - ~/ H2 K# m4 K. s: ]( [
第15章 埋入式电阻、电容设计 . a5 c# A7 K( X/ E( G. S* e+ f
15.1 埋入元器件技术的发展 " Y* A8 N- h, h( ?8 p7 U4 h2 l
15.1.1 分立式埋入技术 ' s( D2 G% M( Z6 U
15.1.2 平面式埋入技术 % |* ]# Q+ ]5 i S \& c3 F! I6 k
15.2 埋入式电阻、电容的工艺和材料
0 W, h: L9 `8 ~/ G9 h15.2.1 埋入式电阻电容的工艺Processes : N6 N7 [) C4 m8 {$ Z
15.2.2 埋入式电阻、电容的材料Materials " k! P% D9 ~+ ], a
15.2.3 电阻材料的非线性特征
. | ~& [+ e, W8 l. S/ F! o/ ?15.3 电阻、电容自动综合 7 B# i3 E: v0 v1 Y y
15.3.1 自动综合前的准备 u# `- Z0 F: H5 v" |6 n1 [, L
15.3.2 电阻自动综合 3 a5 ^% s1 |4 ~7 r
15.3.3 电容自动综合
5 s `/ t# W t, e% }! Z& G/ a+ Q第16章 RF射频电路设计 4 C. m& X5 Q: w# c! o! z2 [/ F1 g8 m
16.1 RF SiP技术
4 |7 d5 z( s3 l( I# C6 |3 W8 H16.2 Mentor RF设计流程 & F2 o. w, v1 Y( `, h! s$ S: J2 {
16.3 RF原理图设计
* M* {& p& s7 L16.3.1 RF元器件库的配置
' y" Y' |" [) t5 P7 S......
" s0 W* q6 n6 r! S
& s( a$ X6 k5 I. y |
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