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本帖最后由 zhongyiwaiting 于 2012-10-8 19:44 编辑
$ h& s ]* h" X; Y0 l8 B6 o4 v& O" `: t# S1 s3 i" g: N6 @
顶起!
% a& _# P& v7 L, s看目录,这本书应该是侧重IC版图设计的吧!
9 @2 S( w7 h/ S: A- R( g% u" k4 x$ ?" e! X: H
SEE:http://www.tushucheng.com/book/3083082.html; j' N* L1 A/ S
. W& p1 j) p3 N; x) o x, i8 d2 [
内容提要:7 Y( M% T8 X6 w1 C# R
李扬、刘杨编著的《SiP系统级封装设计与仿真——高级应用指南》介绍了SiP系统级封装的发展历程,以及当今最热门的SiP技术,并对SiP技术的发展方向进行了预测。 \( `6 ?0 A8 u
本书重点基于Mentor Expedition Enterprise Flow设计平台,介绍了SiP设计与仿真的全流程。特别对键合线(wire Bonding)、芯片堆叠(Die Stacks)、腔体(Cavity)、倒装焊(Flip Chip)及重分布层(RDL)、埋入式无源元件(Embedded Passive Component)、参数化射频电路(RF)、多版图项目管理、多人实时协同设计(Xtreme)、3D实时DRC等最新的SiP设计技术及方法做了详细的阐述。在本书的最后一章介绍了SiP仿真技术,并通过实例阐述了SiP的仿真方法。
7 h0 K6 @; N+ B) l2 i; I《SiP系统级封装设计与仿真——高级应用指南》适合SiP设计用户、封装及MCM设计用户,PCB设计的高级用户,所有对SiP技术感兴趣的设计者和课题领导者,以及寻求系统小型化、低功耗、高性能解决方案的科研工作者。目录:( I3 e8 ^- c# g, w* [$ I ~4 d" H
第1章 Mentor公司SiP设计仿真平台 8 c+ S) a$ k8 h5 `* B' l
1.1 从Package到SiP的发展
! [9 B' |# j9 ?) E! R3 F/ ]1.2 Mentor公司SiP技术的发展
* s6 y. u$ _, r1.3 Mentor SiP设计与仿真平台 7 Z( y S) A+ e& F0 y
1.3.1 平台简介
/ N0 o1 T, j6 T. q9 H7 z1.3.2 原理图输入 % H# r! p/ T( L$ Z) _
1.3.3 系统设计协同
0 d# j3 k& D1 ]9 s6 w# x- K7 ^, ?. v1.3.4 SiP版图设计 ( d) ~1 [2 M0 r6 g# G( ^8 f
1.3.5 信号完整性和电源完整性仿真 $ V4 Y6 K5 [- w$ o) G/ U
1.3.6 热分析仿真 6 ^, w2 M f6 Y$ O9 q$ K
1.3.7 Mentor SiP设计仿真平台的优势和先进性
! x- T' p4 d8 j' A8 \1.4 在Mentor SiP平台中完成的项目介绍 $ b: m2 H1 l; z- ^0 N6 t
第2章 封装基础知识 3 H; _" _( `- w- Y
2.1 封装的定义与功能 ( F9 `" o1 v3 n; }2 r' m* z
2.2 封装技术的演变与发展
* `8 ^4 l. Z) Z$ b G, c: ~3 S1 Z2.3 SiP及其相关技术
' T" n b' e$ i" S# x& P' Y" ^2.3.1 SiP技术的出现 9 C$ P0 t( X' {& E5 ~
2.3.2 SoC与SiP 4 @3 Y2 N! k, f1 S" `0 L# i
2.3.3 SiP相关的技术 + H7 z7 s2 ]5 }
2.4 封装市场发展
$ r; `# Q# h3 n& }2.5 封装厂家 ; E* e2 I& U& L8 b8 ?: t
2.5.1 传统封装厂家 - `+ t8 `. k" e3 \( x5 `
2.5.2 不同领域的SiP封装企业 $ n" a5 o6 X: ^" X( q
2.6 裸芯片提供商 / m* Q; t0 y x6 [( i/ c
第3章 SiP生产流程 - i. ?1 b3 G' O! l/ t# `: c+ J
3.1 BGA—主流的SiP封装形式 4 C. L. s- R: F( v
3.2 SiP 封装生产流程 / G4 V; X4 |* ~" L# \
3.3 SiP封装的三要素
! e- [/ q8 ?5 l$ S e第4章 新兴封装技术
0 w4 b2 F/ X' Y4 n4.1 TSV(硅通孔)技术
% L+ e( B2 m& F3 a# K1 A! L4.1.1 TSV介绍 ! c/ a, s6 G( O( ]5 \
4.1.2 TSV技术特点
4 N' h8 S* `+ S' a* Y3 G4.1.3 TSV的应用领域和前景
. c$ [* J: ]5 K7 C0 R' V4.2 IPD(Integrated Passive Device)技术 9 i# X% R" R0 v9 h' I& g4 w8 }: J
4.2.1 IPD介绍
& S) E, A8 N4 n& \- f$ {4.2.2 IPD的优势
% H0 v ~0 J5 {8 B7 k4.3 PoP(Package on Package)技术 0 a& p, g" @0 f# d, A: H
4.3.1 3D SiP的局限性
2 E K% G6 H; M+ B) p4.3.2 PoP的应用
( V" a5 f, v b+ l8 B8 `- P4.3.3 PoP设计的重点
- [5 H3 S& x5 C% W& m4.4 代表电子产品(苹果A4处理器) / G# W& m7 Q+ w
第5章 SiP设计与仿真流程
5 C9 b& J( b6 L( x8 b* p" }5.1 SiP的设计与仿真流程
( X- q" `5 p0 ~6 g! x5.2 Mentor环境中的设计与仿真流程
- h& K+ i" o9 q; v# \0 _1 R; ?5.2.1 库的建立 1 Y# H$ w+ L. L# Y
5.2.2 原理图设计
7 I+ ~! D& F8 W0 Z. Q% K1 y4 u/ {5.2.3 版图设计 0 Q3 z* e! o+ C2 N" c
5.2.4 设计仿真 2 ]5 G" @1 h9 c! k2 n
第6章 中心库的建立及管理
4 |- v ]. P$ t: t6.1 中心库的结构
& V3 E/ L6 t: n0 d$ j% S; M6.2 Dashboard介绍
" s6 J8 V; T& N5 D$ `( V$ }6.3 原理图符号库的建立
! N* `5 a8 A+ c& c, }6.4 裸芯片Cell库的建立
5 L+ j* n; Q* X! C* C+ U% X0 S3 ]6.4.1 创建裸芯片Padstack . }6 j3 d# \( C4 Q) Z2 T
6.4.2 创建裸芯片Cell 9 ?8 i1 r3 Y. L+ y% e5 x+ w- y" i
6.5 BGA Cell库的建立
% N2 ?( S/ M) ^: S8 m" S- `6.5.1 创建BGA Padstack
, Y% `/ x0 `* \- A" m. k4 J9 S6.5.2 手工创建BGA Cell
# V& a3 } s( [" @8 z1 S7 H3 N6.5.3 使用Die Wizard创建BGA Cell & o# \3 V3 @, L8 L" X8 P
6.5.4 LP Wizard专业建库工具
0 P" k$ [% q! R. x. ]# U6.6 Part库的建立
$ U, Z. f/ i9 D0 c- F+ v6.7 通过Part创建Cell $ S% H; g/ Z$ l& n; J; k
第7章 原理图输入
! @3 r/ M' s. ]! d! S3 z7.1 网表输入
: u7 G h% u0 B7.2 基本原理图输入
) ]9 B* Y8 p G5 G7.2.1 启动DxDesigner ! J: C1 {* I( m3 H- b; R' ^& _# M
7.2.2 新建项目 9 ^2 y" N: M, E: Y
7.2.3 设计检查
: G' _# B% R7 @3 w K& H7.2.4 设计规则设置 + W) B Y- y3 H* D0 \
7.2.5 设计打包Package - S# b7 i- t( a1 f! Z! ?) Y
7.2.6 输出Partlist
( X; ]+ a. H( p! [( N7.2.7 原理图中文输入
& C4 I% y- ?, T6 I% s% x8 e: ~7.2.8 进入版图设计环境
% j5 x$ M/ `' s7.3 基于DxDataBook的原理图输入
- i8 y9 X( {) {& r; a* p4 G( B7.3.1 DxDataBook介绍 ( A) o- K" k( ~4 ~7 ?1 ^' T
7.3.2 DxDataBook使用
9 Y* ^" Y0 c4 C G8 J7.3.3 元器件属性的校验和更新 " }) N! _4 S6 c J
第8章 多版图项目管理与原理图多人协同设计 # L+ m- C; f9 j: H3 X ?3 {9 x8 y
8.1 多版图项目管理
: H; \) o8 E; ~/ u5 \8.1.1 SiP与PCB协同设计的需求
$ I9 a5 @5 m2 M8.1.2 多版图项目设计流程 ' ^' r4 \ \5 [ _; q4 f5 y
8.2 原理图多人协同设计 - F7 j' U. i2 j" F( I1 n, l1 B$ p
8.2.1 协同设计的思路 ' \5 w6 c: w$ k. V; ~
8.2.2 原理图多人协同设计的操作方法
2 V9 Q* C9 U) j& q) |第9章 版图的创建与设置
3 C8 Q) F- ? E' e6 r8 m9.1 创建版图模板 . [: K$ W# Z' c! O
9.1.1 版图模板定义 % {8 H" t5 G2 V+ u
9.1.2 创建SiP版图模板
; G: x0 ~6 N- u" k: g9.2 创建版图项目 % b& Z; e% e1 ~5 n
9.2.1 创建SiP项目
) ^# p, Q0 I3 P$ Y9.2.2 进入版图设计环境
% s7 _) ]6 {# @9.3 版图相关设置与操作
9 X* O# i* y* T: G1 d4 [9.3.1 版图License控制介绍 " x7 S0 w; [8 d B4 {) H) }
9.3.2 鼠标操作方法 ' b8 ?' ?7 H) F1 h8 w( \
9.3.3 三种常用操作模式 4 Z" g1 y$ V8 g. ~1 a4 u3 s
9.3.4 显示控制 Display Control ) _6 f/ ]5 V* `. J. T/ W6 W
9.3.5 编辑控制 Editor Control
( H, p- U2 t$ D/ i9.3.6 参数设置 Setup Parameters
+ |( l$ _& Y3 |" `9 o) Z6 H P5 k9.4 版图布局
: V& y# A) ~: \! {: A- o9.4.1 元器件布局
$ G5 X, B; {$ N; e( V9.4.2 网络自动优化 $ W3 t6 X- r5 s) j7 z. H y
9.5 版图中直接查看原理图-eDxD View 0 n# F# f6 A7 S
9.6 版图中文输入 4 O- E+ Q9 @! }" Q4 ^2 L" j' M8 a$ ~
第10章 约束规则管理 0 c: k" a) a# t9 Q3 F7 [& S" {
10.1 CES约束编辑系统
$ V' I, Y& I; k" Z! E1 u( x5 h- I10.2 方案Scheme
0 S. v, ?2 F8 V* n" ]10.2.1 创建方案Scheme ! V9 W( R. k3 A* `, v9 l" v
10.2.2 在版图设计中应用Scheme 3 \$ c% K" A( [" U0 e& a
10.3 定义基板的层叠及其物理参数
5 Y* B' [% @6 V- ~( m- m10.4 网络类规则 Net Class 3 w6 Q4 X4 H# ]$ X
10.4.1 创建网络类并指定网络到网络类
0 p: }; L* v! S0 r- b1 p$ U10.4.2 定义网络类规则 ( P/ O5 M7 a0 S( a
10.5 间距规则 Clearance & c ?' v. M0 J9 U' e
10.5.1 间距规则的创建与设置
9 Y8 h/ o1 P7 o8 q10.5.2 通用间距规则 + m3 m7 h% \3 r/ |
10.5.3 网络类到网络类间距规则
! }' x. n2 e0 o! t) [10.6 约束类 Constraint Class
+ F. D+ h) P/ M10.6.1 新建约束类并指定网络到约束类
8 ]9 n: w: m2 o10.6.2 电气约束分类 " c. s- w+ ?: [2 R$ t5 E* D& O
10.6.3 编辑约束组
- L1 Q* e2 |9 L" [1 ~10.7 CES和版图数据交互 6 ~( |& @; E- _9 U+ b0 h# [# [
第11章 Wire Bonding设计
! A5 k: Z( Z- C! v, U/ p8 h/ A11.1 Wire Bonding概述
( |) ?0 A* F! @: Y0 u8 ?4 O11.2 Bond Wire 模型
; K7 C( k6 n2 u! u11.2.1 Bond Wire模型定义
$ Y* t K4 S+ \7 X0 C" P* S11.2.2 Bond Wire模型参数
5 l7 l* V7 y3 }6 [6 T11.3 Wire Bonding工具栏及其应用 0 [* m2 S0 J) E N# d
11.3.1 手动添加Bond Wire
6 n) `! C. k+ K. I11.3.2 移动及旋转Bond Pad " _ z, I8 D. l2 Q
11.3.3 自动添加Bond Wire及Power Ring 2 F* Y7 X$ i# z7 A( v
11.3.4 Bond Wire规则设置
& I$ u1 t8 R. [$ c; }11.3.5 实时Bond Wire编辑器Wire Model Editor
- `" \& B* t2 G: s' F第12章 腔体及芯片堆叠设计 4 ]3 r9 i( ~# K, V w- w# N
12.1 腔体Cavity
$ P( ~( ?' x' j( Z: N `! B9 q12.1.1 腔体的定义 # I" `) ?. ~, ^& \2 i* C
12.1.2 腔体的创建 9 ~, f; _4 ?: E3 S
12.1.3 将芯片放置到腔体中
g$ B; b: A( K* u0 F( c) I( |12.1.4 在腔体中键合 % [) v' z/ \: s2 E! H A3 s
12.1.5 埋入式腔体设计及将分立器件埋入基板
@% }2 D a. `7 ?12.2 芯片堆叠 , a+ S; D. b |7 j/ `$ d
12.2.1 芯片堆叠的概念 + ~6 C6 g, j' }+ v) V" v
12.2.2 芯片堆叠的创建
# Q! S" u. K; N6 C& S( w- r12.2.3 并排堆叠芯片
; @2 N) y, e/ D" p12.2.4 调整堆叠中芯片的相对位置
1 z/ f* [" m; J5 ^12.2.5 芯片堆叠的键合
" Z5 h( I7 G' J4 m" Q第13章 FlipChip及RDL设计 K' w E6 _+ ?* F) T0 s
13.1 FlipChip的概念及特点 1 w3 @7 Q. `- k2 T
13.2 RDL的概念 8 |: X6 o! \, ~+ N1 n2 X7 t
13.3 RDL设计
) d0 \9 w) q( K; W E/ C13.3.1 Bare Die及RDL库的建立 _) }# Z* U8 g4 e* r$ n9 Q
13.3.2 RDL原理图设计
3 n$ C+ _+ @ V# Y% ~13.3.3 RDL版图设计 ' i3 M( E3 [2 V8 J* B1 a f
13.4 FlipChip设计 6 F4 R0 W* F& S4 _1 i
13.4.1 FlipChip原理图设计
, ], }( _2 O4 Z+ E) Z13.4.2 FlipChip版图设计 , _4 u( i; h7 D7 H
第14章 布线与敷铜 i2 m$ X$ u% o9 {8 c$ ^
14.1 布线
" ]4 p" T6 E5 Y" {$ e14.1.1 布线综述
4 Z- {* }# G/ Z& X14.1.2 手工布线 . b3 Q8 p- m/ x
14.1.3 Plow布线模式
0 k% @: M1 I* T% t4 l0 l14.1.4 Gloss平滑模式
+ ~2 [+ ]3 l! s+ x) B6 ?2 z14.1.5 固定Fix和锁定Lock , j8 s& B7 B$ J3 H7 i6 b2 Q% p$ n6 n
14.1.6 层的切换 " {) H' i& G$ K9 n: y+ ?( l& p" D7 s
14.1.7 移动导线和过孔 . d6 v( K6 c# T0 e/ V' n
14.1.8 电路复制
; Q1 u5 {& ]3 u: D14.1.9 半自动布线 3 k& ]( H% l& _+ M/ h0 o8 h
14.1.10 自动布线
+ v, V. G: c+ k! c# S y2 Z& B14.1.11 差分对布线
5 c" `2 M5 L3 H; D14.1.12 长度控制布线 / z. }+ {6 Q# X1 C1 Q
14.2 敷铜 6 V o* i. F7 o
14.2.1 敷铜定义 * r( v7 g" B8 J$ D0 E
14.2.2 敷铜设置 4 M- f. l: B3 Q. o; [% N
14.2.3 绘制敷铜形状 B9 w4 g0 W5 J
14.2.4 修改敷铜形状
: K- L% I% q* [14.2.5 生成负片敷铜 . @3 X3 J" C# T' j7 d# W
14.2.6 删除敷铜数据
: G. x) \3 W. U s14.2.7 检验敷铜数据 $ u1 m# b3 d/ ~. n+ R
第15章 埋入式电阻、电容设计
, y+ t! l/ B2 M# p, ^6 o" D: i15.1 埋入元器件技术的发展
) l" f$ C( z( @$ x& W. _& H! z8 a15.1.1 分立式埋入技术 * |+ c7 Z) x9 Z; t
15.1.2 平面式埋入技术
. v# O' ~ D. r15.2 埋入式电阻、电容的工艺和材料
. h6 i3 v! V' i" Z* ^: `15.2.1 埋入式电阻电容的工艺Processes + t8 i6 }: p1 i2 t1 L& O( `7 W- e
15.2.2 埋入式电阻、电容的材料Materials
9 C7 N# m0 A9 Z4 L6 B15.2.3 电阻材料的非线性特征
* ]" m: M6 o+ c; G' q15.3 电阻、电容自动综合 ! D: `' d/ |& |# @0 t, x
15.3.1 自动综合前的准备
' E& z2 ~5 U) S& M15.3.2 电阻自动综合
% {$ `" X+ a( o# u) {15.3.3 电容自动综合
/ T5 p& Q* [( `8 z$ Y3 a- O6 d1 y第16章 RF射频电路设计
5 d9 ], W9 ]; G2 K- c16.1 RF SiP技术
. o, S4 N! y6 i16.2 Mentor RF设计流程 2 u8 x# O* A6 A4 E+ M. X1 ?
16.3 RF原理图设计
! l$ i7 c' S6 v+ S# h16.3.1 RF元器件库的配置
; G' x" {1 W: ?% e. D5 B) V% Z......
2 j/ {! F" P0 k% o2 T; F/ E1 x. H3 P# {" N
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