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yuxuan51 发表于 2012-2-8 16:22 ! h! a! j; y. E
你的工程我大致看了一下,也跑了一下,发现有一个问题,就是扫描参数设置那里,将DC extrapolation勾上 ...
: F# O/ P" N+ l$ i& i
, i3 [. p* E4 p( R线宽200um 线距405um 上层高100um 下层高200um 线长2inch 3 L) ]) q: Z- Q1 r `
算出来特征阻抗67.93ohm% \$ W8 l4 b. X( m# Z4 {# ^
: z% t+ B" A6 j; j: r9 p2 L# f
端口归一化 阶跃响应 TDR4 r* T2 G( S$ d6 k6 \% s- M
可以看到HFSS 仿真出来阻抗为86ohm 与si9000相去甚远" f9 j( M- y* [9 ?% `; D
0 b0 V1 d; f* X$ i: s) X6 ?
取消归一化 端口1 端口2 阻抗以高一低 且基本在100ohm上下$ o6 b- J Z, v# [8 Q! ^
, T3 ]3 I. M8 T4 ]( [# x端口归一化后的 冲击响应TDR
4 i- A1 L; i3 W8 i8 n0 Z# m/ F阻抗变化在1.16ns处,且阻抗仅在100ohm附近变化- f" Z5 S* f' z# g: L
7 q1 u9 ?# d. ?& G8 g/ r# p
端口未做归一化,阻抗在0.14ns出发生变化,这时阻抗为负数,在-100ohm附近变化。
0 P# Z& w( C: w
6 Z7 d1 i$ Y i( R5 F' Q2 |8 W3 \
) p/ [4 ~/ f+ I' N9 u" w
归一化后的s11
) ` o# e7 k( V2 y8 K8 o" ~; q
, Z& Q3 t$ k: S9 }4 }
未做归一化的s11
* R' h. ?9 m" p6 o
' |' I- h6 L j$ ~6 x+ A8 U4 Q B首先HFSS仿出来的特征阻抗与si9000的结果相差很大,到底应该以谁为准?4 f% u0 p6 ^: b* e
端口做不做归一化对 S11 阶跃响应TDR 冲击响应TDR 的影响非常大。这几个参数 分别应该在什么条件下 才回得到正确的结果?/ [4 K* U- P0 \, `
为什么端口不做归一化 冲击响应TDR得到的阻抗是负数?4 [! I# T! e( O r; P% i
此工程中的差分线是阻抗连续的,为什么TDR图中,阻抗变化点不是在0时刻 而且不同设置下 阶跃响应和冲击响应得到的
0 Z* b& ^) a# V$ t, I1 `& G跳变时间不同?4 g9 \7 V& E# d; B
4 A3 @+ _7 G* P: C+ Q5 t7 {! {( j以下为具体设置和工程文件
r& a8 w: t' B5 N. a/ X" B! M
' f' H [$ d0 F, @$ }
/ Z3 I4 v8 P n! Q: g8 }
3 x/ Y, ?& o g9 _! [% M* f
) [! w" i6 S; r5 S& f! r+ s9 c
$ `/ F: |5 T' _& n* e3 k
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9 @+ L: m/ M- F& J6 L
5 [; y% T' a0 W2 v3 p4 l( ^
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, D% W) A* l. f7 `! V$ e. @ Z" ~3 n: u/ \9 B
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8 K8 w! b/ F* }7 X7 L' |9 m
, R4 v( b2 u" w1 a8 X n& n
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% K9 O: @- h S+ k, e$ i* M E. L* J8 d' Z" h7 z. G+ N
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