i.mx6ull与DDR3校正不通过的问题

gwei_0210

各位大神有用过Freescale IMX6ULL芯片嘛，我们用的是1个DDR3芯片，就是跑不起来，哪位大神用过请指教一下啊

Aubrey

生成script前按照说明填的参数是正确的吗  本身DDR 2G改成1G DDR3的吗？是否有参考的开发板？

gwei_0210

天的参数是正确的，百分之三十的样机可以跑起来；DDR3是1G的 DDR3-1066，IMX6与DDR3之间的走线就是开发板上的复制过来的，PCB由4层变成6层的

gwei_0210

- Y" u0 y% x6 ^- A5 [7 P, P0 \+ DDDR Freq: 396 MHz

6 P$ y% g: t$ q4 q- S  nddr_mr1=0x00000000
Start write leveling calibration...
  a& J4 B% E$ _* f) m4 ]running Write level HW calibration
Write leveling calibration completed, update the following registers in your initialization script
    MMDC_MPWLDECTRL0 ch0 (0x021b080c) = 0x00030007
9 Z  B5 d# n3 b: |    MMDC_MPWLDECTRL1 ch0 (0x021b0810) = 0x00080008
Write DQS delay result:
( [; w( U* d0 d3 o4 V5 K   Write DQS0 delay: 7/256 CK
   Write DQS1 delay: 3/256 CK
  q# ~3 h& \4 b7 |6 n
, q! N) a5 X% i" OStarting DQS gating calibration
1 B4 G+ Z2 @/ S% r9 N9 L7 a. HC_DEL=0x00000000     result[00]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000001     result[01]=0x00000011
2 n  _% s# @' I; y. HC_DEL=0x00000002     result[02]=0x00000011
8 u! t' C6 s/ I. g0 a' I1 Q- `. HC_DEL=0x00000003     result[03]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000004     result[04]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000005     result[05]=0x00000011
  J) B' f7 S) [7 @2 u7 [. HC_DEL=0x00000006     result[06]=0x00000011
: Q+ f$ f1 F+ U1 o. HC_DEL=0x00000007     result[07]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000008     result[08]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000009     result[09]=0x00000011
3 c( l" n4 t+ ^* ?$ G1 R. HC_DEL=0x0000000A     result[0A]=0x00000011
4 i( K( l! R1 ~" w% x, ]. HC_DEL=0x0000000B     result[0B]=0x00000011
" S8 u7 d9 i8 ?. \+ y5 A/ m. HC_DEL=0x0000000C     result[0C]=0x00000011
# a6 y! p; K( a9 \6 K+ k- n* ~. HC_DEL=0x0000000D    result[0D]=0x00000011
$ Q1 r3 F6 d* _/ A3 H2 cERROR FOUND, we can't get suitable value !!!!
dram test fails for all values.
% ^' L+ }/ x( n" B
, L6 \7 b9 J& [8 x9 D- `Error: failed during ddr calibration
4 l3 t! K/ \3 {  }3 W' [! Z

Aubrey

4层改6层DDR阻抗控制做了吗？DDR尝试把频率降低再校准下

kele1983

可以试试更改ODT设定寄存器后再进行Calibration，一般ODT可以尝试60/120ohm。

gwei_0210

kele1983 发表于 2017-8-21 10:41
" J; O3 Y+ M5 f- X' s可以试试更改ODT设定寄存器后再进行Calibration，一般ODT可以尝试60/120ohm。

试过，也不行
: v! z* D+ b9 R" h# z9 _# p

gwei_0210

Aubrey 发表于 2017-8-18 16:01
生成script前按照说明填的参数是正确的吗  本身DDR 2G改成1G DDR3的吗？是否有参考的开发板？

填的参数是正确的，百分之三十的样机可以跑起来；DDR3是1G的 DDR3-1066，IMX6与DDR3之间的走线就是开发板上的复制过来的，PCB由4层变成6层的

gwei_0210

DDR Freq: 396 MHz

ddr_mr1=0x00000000
Start write leveling calibration...
running Write level HW calibration
1 Q# o2 N% t# G/ v7 _1 zWrite leveling calibration completed, update the following registers in your initialization script
" e4 W0 f) v6 G% A$ w    MMDC_MPWLDECTRL0 ch0 (0x021b080c) = 0x00030007
. M5 I  z: m4 ^# H    MMDC_MPWLDECTRL1 ch0 (0x021b0810) = 0x00080008
/ F  L- R: R- L& W' uWrite DQS delay result:
   Write DQS0 delay: 7/256 CK
& u- R: T8 I" {1 ~1 }   Write DQS1 delay: 3/256 CK

Starting DQS gating calibration
. HC_DEL=0x00000000     result[00]=0x00000011
1 Z) q" p4 n" z9 j  i4 m, D1 R. HC_DEL=0x00000001     result[01]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000002     result[02]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000003     result[03]=0x00000011
0 @6 x- u* Q0 T3 J/ l. HC_DEL=0x00000004     result[04]=0x00000011
/ h6 C% e. X2 Z! Y0 ~. HC_DEL=0x00000005     result[05]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000006     result[06]=0x00000011
1 k0 `& r5 {& ]( E. HC_DEL=0x00000007     result[07]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000008     result[08]=0x00000011
% N! c! ]# k3 s' M6 [- H' b, t% Q. HC_DEL=0x00000009     result[09]=0x00000011
7 S- j# N* }6 U8 Z" d2 m# M( H. HC_DEL=0x0000000A     result[0A]=0x00000011
; L+ b4 V1 K! t! G. HC_DEL=0x0000000B     result[0B]=0x00000011
. HC_DEL=0x0000000C     result[0C]=0x00000011
. HC_DEL=0x0000000D    result[0D]=0x00000011
# N8 m2 ?& M. O* M. S6 x5 e3 E, HERROR FOUND, we can't get suitable value !!!!
4 |& Q. i3 p6 J6 y! bdram test fails for all values.

4 _' h# L# ~- \& GError: failed during ddr calibration
( Z2 r* r0 {( Y+ K+ a. t) ]3 V

kele1983

gwei_0210 发表于 2017-8-21 13:10
/ h* U6 B  j4 F$ y. C1 U, j试过，也不行

我遇到过一次是把ODT从60改到120ohm就能做校正了。当然你也可以更改芯片驱动能力试一下。
还遇到过一次板子不稳定，有时能启动，有时不能启，是因为DDR容量比原来翻倍之后，没有更改内存刷新时间，自刷新时间太短造成的不稳定。
8 l/ W7 B5 k5 z! |) ^1 p0 V我觉得还是内存参数哪一块没有配置正确，你可以参考一下。

超級狗

挨打沒死六討論版有一個跟你有同樣問題的人，有人做如下的建議。
$ s# I/ I. ^4 F. F& `
https://community.nxp.com/thread/365106
8 ]- s8 s% n, T) q3 [3 j% z
$ p' g9 {( z: u& \1 \0 ^

• Verify the PCB design using "MX6 DRAM Bus Length Check" sheet in "HW Design Checking List for i.Mx6DQSDL Rev2.7.xlsx"
  https://community.freescale.com/docs/DOC-93819
• Try using different drive strength for DRAM signals for both  i.MX6 and DRAM part.
• Try different DDR_SEL options  (11 or 10).
  3 v9 k" ~. o/ V( K7 ]7 ~1 ]- \; d: M10 : LPDDR2
  1 M  o+ U0 i0 Q11 : DDR3
  * ]* @) k( G3 {) z4 C. B2 h

超級狗

gwei_0210 发表于 2017-8-21 13:10
- k9 Z9 j$ m3 P6 @填的参数是正确的，百分之三十的样机可以跑起来；DDR3是1G的 DDR3-1066，IMX6与DDR3之间的走线就是开发板 ...

走線不變、但層數變了，銅皮夾層的厚度也會跟著改變，阻抗有可能會受到影響。

如 10 樓所言，可以嘗試調整驅動能力（Driving Strength）看看。

9 b  M* m& x/ h, T6 D
9 x, k5 b: N: \2 {' y8 o

duzz

狗版主，这么翻译飞卡要气死

gwei_0210

已经解决了。原来焊接的芯片是从市场买的；我们从新焊接了新的1Gb的ddr3，就可以通过校正了

zxk

路过，学习一下 mark