i.mx6ull与DDR3校正不通过的问题

gwei_0210

各位大神有用过Freescale IMX6ULL芯片嘛，我们用的是1个DDR3芯片，就是跑不起来，哪位大神用过请指教一下啊
4 L4 h* k0 n( F6 ^

Aubrey

生成script前按照说明填的参数是正确的吗  本身DDR 2G改成1G DDR3的吗？是否有参考的开发板？

gwei_0210

天的参数是正确的，百分之三十的样机可以跑起来；DDR3是1G的 DDR3-1066，IMX6与DDR3之间的走线就是开发板上的复制过来的，PCB由4层变成6层的

gwei_0210

! ^' p4 z9 `# w  i# J1 \' f, sDDR Freq: 396 MHz
  X2 a2 D9 y7 S9 y  v! P# k
0 Z5 U/ d# @8 k" Sddr_mr1=0x00000000
' O- I: s: T6 M0 a+ rStart write leveling calibration...
running Write level HW calibration
Write leveling calibration completed, update the following registers in your initialization script
    MMDC_MPWLDECTRL0 ch0 (0x021b080c) = 0x00030007
    MMDC_MPWLDECTRL1 ch0 (0x021b0810) = 0x00080008
Write DQS delay result:
7 g6 \# _/ V# t# y& ?   Write DQS0 delay: 7/256 CK
   Write DQS1 delay: 3/256 CK

Starting DQS gating calibration
" F- j4 J) O7 D5 z; T+ w. HC_DEL=0x00000000     result[00]=0x00000011
( g. e' ]' G  k; R' T/ N. HC_DEL=0x00000001     result[01]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000002     result[02]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000003     result[03]=0x00000011
/ l: Y  t1 r$ I: S. HC_DEL=0x00000004     result[04]=0x00000011
  s) g" d8 }3 Z9 c+ v. HC_DEL=0x00000005     result[05]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000006     result[06]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000007     result[07]=0x00000011
% Z9 |: x3 @, K/ t: ?. HC_DEL=0x00000008     result[08]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000009     result[09]=0x00000011
8 D% b" |2 f+ j2 t. HC_DEL=0x0000000A     result[0A]=0x00000011
. HC_DEL=0x0000000B     result[0B]=0x00000011
/ P! j% D( P9 x+ F8 R* Y. HC_DEL=0x0000000C     result[0C]=0x00000011
. HC_DEL=0x0000000D    result[0D]=0x00000011
+ R! C* o8 O) ~0 _  [, J7 LERROR FOUND, we can't get suitable value !!!!
dram test fails for all values.

Error: failed during ddr calibration

Aubrey

4层改6层DDR阻抗控制做了吗？DDR尝试把频率降低再校准下

kele1983

可以试试更改ODT设定寄存器后再进行Calibration，一般ODT可以尝试60/120ohm。

gwei_0210

kele1983 发表于 2017-8-21 10:41
. X2 ^! ~- a& C' ]1 V& J0 u可以试试更改ODT设定寄存器后再进行Calibration，一般ODT可以尝试60/120ohm。

试过，也不行
9 ?; r4 P# b6 r+ h4 x9 j

gwei_0210

Aubrey 发表于 2017-8-18 16:01
生成script前按照说明填的参数是正确的吗  本身DDR 2G改成1G DDR3的吗？是否有参考的开发板？

' X' I' w1 E+ ~- \' Q填的参数是正确的，百分之三十的样机可以跑起来；DDR3是1G的 DDR3-1066，IMX6与DDR3之间的走线就是开发板上的复制过来的，PCB由4层变成6层的

gwei_0210

DDR Freq: 396 MHz

/ q* ?1 O% a6 |3 n6 k2 ]4 f, jddr_mr1=0x00000000
Start write leveling calibration...
' M1 R3 d  Z% p' P; i' wrunning Write level HW calibration
8 B" e' f( E/ J3 V: N2 ^  L) cWrite leveling calibration completed, update the following registers in your initialization script
    MMDC_MPWLDECTRL0 ch0 (0x021b080c) = 0x00030007
# g2 }3 v% g# r) \. j    MMDC_MPWLDECTRL1 ch0 (0x021b0810) = 0x00080008
1 D0 G; i: q7 _3 |1 F# k9 u; p2 W9 dWrite DQS delay result:
% W0 `8 {  o0 n$ e4 B   Write DQS0 delay: 7/256 CK
/ v. {! O5 _/ ?( x6 v7 k   Write DQS1 delay: 3/256 CK

& K: s. F& \6 @& xStarting DQS gating calibration
( K1 g+ y9 e* E. HC_DEL=0x00000000     result[00]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000001     result[01]=0x00000011
" l2 f, |. C  Y0 N% ^+ `. HC_DEL=0x00000002     result[02]=0x00000011
' l. P6 N' g" l9 ]( C8 q! w. HC_DEL=0x00000003     result[03]=0x00000011
- |( r3 [& F% \- r. HC_DEL=0x00000004     result[04]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000005     result[05]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000006     result[06]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000007     result[07]=0x00000011
( d  }& T: _# s. HC_DEL=0x00000008     result[08]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000009     result[09]=0x00000011
  {6 ?" U  R' R" ^. HC_DEL=0x0000000A     result[0A]=0x00000011
. HC_DEL=0x0000000B     result[0B]=0x00000011
& Y. b$ F2 D, d& f' a7 n2 ^3 b8 d. HC_DEL=0x0000000C     result[0C]=0x00000011
. HC_DEL=0x0000000D    result[0D]=0x00000011
ERROR FOUND, we can't get suitable value !!!!
dram test fails for all values.
) ~( P  \6 U7 f
Error: failed during ddr calibration
: |2 o1 j/ O  w

kele1983

gwei_0210 发表于 2017-8-21 13:10
6 F7 q1 \7 t7 O# [2 |4 }试过，也不行

我遇到过一次是把ODT从60改到120ohm就能做校正了。当然你也可以更改芯片驱动能力试一下。
0 ^+ c+ a0 }1 z2 }' e& f还遇到过一次板子不稳定，有时能启动，有时不能启，是因为DDR容量比原来翻倍之后，没有更改内存刷新时间，自刷新时间太短造成的不稳定。
我觉得还是内存参数哪一块没有配置正确，你可以参考一下。

超級狗

挨打沒死六討論版有一個跟你有同樣問題的人，有人做如下的建議。
2 a8 ^, J# U) ]( B- n2 C. e
https://community.nxp.com/thread/365106

• Verify the PCB design using "MX6 DRAM Bus Length Check" sheet in "HW Design Checking List for i.Mx6DQSDL Rev2.7.xlsx"
  https://community.freescale.com/docs/DOC-93819
• Try using different drive strength for DRAM signals for both  i.MX6 and DRAM part.
• Try different DDR_SEL options  (11 or 10).
  10 : LPDDR2
  ' G" O  z* H  `% g3 s: x# n11 : DDR3
  # b) ~3 z- R" M: j

- p0 H; x8 g1 Z) w$ ]+ U" [

超級狗

gwei_0210 发表于 2017-8-21 13:10
填的参数是正确的，百分之三十的样机可以跑起来；DDR3是1G的 DDR3-1066，IMX6与DDR3之间的走线就是开发板 ...

. }" R9 \! O, \ 走線不變、但層數變了，銅皮夾層的厚度也會跟著改變，阻抗有可能會受到影響。
* U% N& ?8 W7 g) I  |1 F
如 10 樓所言，可以嘗試調整驅動能力（Driving Strength）看看。
! l4 g5 \; u4 ], R4 Z+ U# N; E

duzz

狗版主，这么翻译飞卡要气死

gwei_0210

已经解决了。原来焊接的芯片是从市场买的；我们从新焊接了新的1Gb的ddr3，就可以通过校正了

zxk

路过，学习一下 mark