本帖最后由 criterion 于 2015-12-31 14:20 编辑 , J, _# p8 i" W( a
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1. Matching组件的决定 请看以下附件 看简体版的较方便
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, b3 X; _% U. j) r. P$ m. W2. DC Block部分 0 R q1 `" F+ [. {0 F' ?
如果你不想让该DC Block影响阻抗 那你放个150pF就好 假设下图Point1是原始阻抗 Point2是串联150pF的阻抗 可以发现 串个150pF 不会影响阻抗
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而且串电容 基本上只会砍直流 对你433MHz的讯号 几乎无损耗
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所以4463-TCE20C460_sch.pdf这份文件 DC Block放的是150 pF
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当然你也可以物尽其用 把DC Block当Matching组件来用 既然是Matching 那值的决定 就同步骤1 反正你只要串个电容 就可以当DC Block 433 MHz的讯号 不会被DC Block衰减
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) r5 p1 A) l; q5 B+ T1 A* I& M至于C7跟L5 因为你Rx讯号是差分 再比对4463-TCE20C460_sch.pdf的话 这两颗应该是Matching组件 只不过差分的匹配比较难 你就尽可能让Rx走线走短一点 阻抗控制好 不要走内层 如果Switch离Si4463就是很远 那你要在C6前面 多加一组L型Matching
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然后这个L型Matching跟C6 都要非常靠近Si4463 这样到时候 你Switch到C6的长走线 造成的阻抗偏掉 还可以靠这个L型Matching调回来 同时因为Switch到C6这段 是Single-end的50奥姆 那你就回到步骤1去调Matching就是了 这样的话 只要确保Switch到C6是50奥姆 因为C6离Si4463很近 所以C6到Si4463 阻抗不会偏太多 那L5跟C7 就随便盲调即可 真要放个初始值 那就分别放1pF跟1nH好了 不会影响阻抗 也不会衰减到433 MHz的讯号 5 O% U* \6 J( u/ ^, x
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至于L1 那是当RF Choke使用 目的是避免RF讯号 回灌到你的VDD 那你就放个270nH / s, C" i5 R% Z& i+ B! q. l
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' B- ~# B" [5 `6 ?# @) _! F( q由上图可知 串一个270 nH的电感 对于433MHz 有23.5 dB的衰减 这样对于回灌到VDD的RF讯号 已经有一定衰减量了 同时 270nH电感的自我谐振频率 是586 MHz 换言之 你的433 MHz仍未超过270nH电感的自我谐振频率 所以不会有啥副作用
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0 A, Y, R1 S0 P2 F# B" u0 k3 ]9 \如果你的电感值过大 其自我谐振频率就低 那么一旦你的433MHz 超过其电感的自我谐振频率 此时对于433MHz而言 这颗电感会呈现电容性 你是在利用他的电容性来砍RF讯号 也就是说 你是把电感当电容使用 或许仍有RFChoke的作用 但这可能会有其他副作用
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发表于 2015-12-31 08:23
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发表于 2015-12-31 14:18
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