本帖最后由 criterion 于 2015-12-31 14:20 编辑
, W9 A& v7 g) d# U$ L" z4 |5 s) G* C g6 h0 m% o; J# |& ]0 O
1. Matching组件的决定 请看以下附件 看简体版的较方便 1 W+ t# F4 { S0 [. Y2 V! ]
4 O4 [( c" E* u2 y
+ h W1 v8 g/ H' G, b2. DC Block部分
$ _& t3 F" W( B- b0 j% B) H5 T4 h如果你不想让该DC Block影响阻抗 那你放个150pF就好 假设下图Point1是原始阻抗 Point2是串联150pF的阻抗 可以发现 串个150pF 不会影响阻抗
- w& `0 L8 K& o
- s8 Z! h z) ~6 m7 Z; w3 w$ D3 o
. N0 I% f: D2 ?" E
. n" o6 K7 g( g# A8 L
`1 v/ ?+ k! `$ w) v5 ~而且串电容 基本上只会砍直流 对你433MHz的讯号 几乎无损耗 5 O- m4 u9 s _% V# K
9 Q) r. |) Z0 z/ } U/ E2 L+ E' _6 p8 R2 o
$ v; B2 C ]1 t
所以4463-TCE20C460_sch.pdf这份文件 DC Block放的是150 pF
6 K2 `, n! j, X
! k, R) Y3 r, ^8 i( o$ q当然你也可以物尽其用 把DC Block当Matching组件来用 既然是Matching 那值的决定 就同步骤1 反正你只要串个电容 就可以当DC Block 433 MHz的讯号 不会被DC Block衰减 ) m$ c9 p: z$ F, T( I% g8 l
6 J: W6 C; r# c4 l$ D! h' M
$ P/ R; B1 a( Q+ a* e8 [至于C7跟L5 因为你Rx讯号是差分 再比对4463-TCE20C460_sch.pdf的话 这两颗应该是Matching组件 只不过差分的匹配比较难 你就尽可能让Rx走线走短一点 阻抗控制好 不要走内层 如果Switch离Si4463就是很远 那你要在C6前面 多加一组L型Matching ' C" H" {9 H% W5 z8 D6 I0 |- _5 {
然后这个L型Matching跟C6 都要非常靠近Si4463 这样到时候 你Switch到C6的长走线 造成的阻抗偏掉 还可以靠这个L型Matching调回来 同时因为Switch到C6这段 是Single-end的50奥姆 那你就回到步骤1去调Matching就是了 这样的话 只要确保Switch到C6是50奥姆 因为C6离Si4463很近 所以C6到Si4463 阻抗不会偏太多 那L5跟C7 就随便盲调即可 真要放个初始值 那就分别放1pF跟1nH好了 不会影响阻抗 也不会衰减到433 MHz的讯号
3 O/ G0 v" L/ C- u; A- h! q
& C+ b' \. @) u% m3 X- V, K
" A3 I3 D6 P! R& v4 D4 a( R D至于L1 那是当RF Choke使用 目的是避免RF讯号 回灌到你的VDD 那你就放个270nH
& }0 C% }& t( O) y* F
9 S" b, M9 G/ P2 f2 d$ [* O& d+ _( M" o- e- m! [2 @) s
由上图可知 串一个270 nH的电感 对于433MHz 有23.5 dB的衰减 这样对于回灌到VDD的RF讯号 已经有一定衰减量了 同时 270nH电感的自我谐振频率 是586 MHz 换言之 你的433 MHz仍未超过270nH电感的自我谐振频率 所以不会有啥副作用
$ D3 c# n9 |# i4 f2 u
2 R0 p6 U: p% g+ q( L+ s" F! [& ]& I& ?4 B9 k
如果你的电感值过大 其自我谐振频率就低 那么一旦你的433MHz 超过其电感的自我谐振频率 此时对于433MHz而言 这颗电感会呈现电容性 你是在利用他的电容性来砍RF讯号 也就是说 你是把电感当电容使用 或许仍有RFChoke的作用 但这可能会有其他副作用
; Q. Z7 }- M+ f$ ~ | 
/1 
发表于 2015-12-31 08:23
QQ好友和群
QQ空间
腾讯微博
腾讯朋友
微信
收藏
支持！
反对！
发表于 2015-12-31 14:18
楼主
