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[仿真讨论] 使用IBIS仿真DDR读信号的问题(关于pin和die上波形的区别)

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发表于 2014-4-9 15:45 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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新人向大家问好!. J$ `5 I0 t5 ]/ ]4 S$ P

  e" u5 H0 h- j* B; S# E, s最近我在用SigXplorer 仿真DDR3的DQS读信号,遇到了一点问题:- k" ~& e4 v" ?% ]0 I# a7 P

4 g. j! n0 }+ ~/ g+ S5 `因为接收端在pin上和die上的波形几乎看不出区别,我感到有些奇怪(实测的波形有较大回沟所以想确定在die上是否还存在回沟),于是修改了主芯片IBIS的package一栏内的封装寄生参数(因为之前芯片厂商没有提供确切的封装参数),转换到dml文件,但是重新载入之后依然看不出差别。我想知道IBIS的寄生参数是如何影响在pin和die上的波形的,之前我看过一份资料说寄生参数产生的时延是主要因素,是这样吗?
& `& M  q8 H; I8 I
% f4 k! `7 R2 L- t1 K1 r- @还有麻烦大家帮我分析下我之前修改IBIS的思路是否有问题,有没有其它思路([Pin]内没有定义更多的封装寄生参数 ),比如c_comp,或者钳位/上下拉曲线等…… , ~; K) s$ m6 ?: y$ ?& ?3 d+ K4 H) }
+ g, _; }! ?9 V% Y, r2 G1 u* S6 A" m/ i
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发表于 2014-4-12 09:19 | 只看该作者
找主控芯片厂家要一下DDR接口封装内的等效线长或封装S参数,然后再分析!
7 k( I% x4 I8 d) g另:点对点互连,引脚上测到回勾一般情况没什么问题,内部应该没有。当然引起回勾还有其他因素,不了解具体情况很难下定论,猜测你的DDR接口应该能正常跑起来。

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发表于 2014-4-12 09:22 | 只看该作者
仿真实测不符?  ]; ?6 f1 K* _* L9 i7 a( L
模型有问题只是一种可能。
% [( l5 O3 M6 J- M, k/ G仿真方法对么?考虑了哪些因素?有没有软件处理不了的因素没有考虑到?( y1 J# C3 u9 b+ d  ]8 r
这个问题值得推敲。

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 楼主| 发表于 2014-4-12 16:54 | 只看该作者
于争 发表于 2014-4-12 09:19
- Q: y9 c' w+ j" v$ l找主控芯片厂家要一下DDR接口封装内的等效线长或封装S参数,然后再分析!* Q( W( L& M" }
另:点对点互连,引脚上测到回勾 ...

2 V9 ?, f2 Q/ r0 R& k+ }$ H1 b于博士您好!( M  o3 `& f# r; ]; _0 s
感谢您的回复!# ?2 q6 H% m" B3 Z% a9 v- _

1 t! w1 R$ k4 k, q8 X' F7 B3 V; p我们这个信号确实是点对点的互连,回沟也没有影响到DDR3 的功能,只是在仿真时看不到回沟(相比实测有更大的过冲),die和pin上的波形差异也几乎没有,即使在修改了package寄生参数之后也显示不出差别。* X! z6 p6 l5 L7 j  U. m
( V2 w1 l2 B& \  B' u: }
之前我们在测另一个DDR2模块时曾经用仿真再现了die和pin上波形的差异(同样是dq和DQS的读信号),而这次在DDR3模块上却不行(DDR2的主控芯片是Xilinx的FPGA,DDR3的是安霸的视频处理芯片),所以想分析一下原因,提高仿真精度。/ j7 n0 d2 H) I2 p3 O3 l

- k. c7 D0 M/ J$ y( p1 q' g关于仿真的方法,主要就是使用SigXplorer提取PCB上的拓扑,添加主芯片和DDR芯片的IBIS模型(转换为dml),设定输出端数据码型,得到时域的波形,主要关注的是链路上的反射,没有考虑板上其它信号的串扰和电源完整性。现在我个人是想先排除芯片IBIS模型的因素,但是我不确定IBIS上除了寄生参数外还有那些参数会影响die和pin上的波形差异。& T) b, _' U. s- x2 F5 m3 m

+ M' z9 k" E; K5 ~我还是这方面的新人,可能会忽略掉一些常识性的问题,望不吝赐教!
& Z* m# T7 X& d9 H

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发表于 2014-4-12 17:22 | 只看该作者
本帖最后由 0aijiuaile 于 2014-4-12 17:23 编辑
9 B2 W% w/ M5 s( J0 R- r8 k8 w- W
测试是否用夹具,探头有无去嵌,是否点测。。。测量的影响因素首先要考虑;通过测试来提高仿真精度,很难;更不用说只是用SQ软件;因为考虑的东西太少。
9 L3 t* Y; p. _: p( f至于回沟,原因主要是寄生电感和电容引起或是测试引起,要判断下测试是否带宽受限。如果只是判断 PIN/DIE为何没有区别,也不仅仅是你封装参数影响决定的了的,还要看芯片BUFFER端的驱动速率,说到底,也是带宽问题。即:封装参数的LC参数的反射值与你芯片沿之间是否量级接近,如此而已。

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 楼主| 发表于 2014-4-14 11:26 | 只看该作者
0aijiuaile 发表于 2014-4-12 17:222 S5 Q( V$ C& [; M, W/ O0 [. A
测试是否用夹具,探头有无去嵌,是否点测。。。测量的影响因素首先要考虑;通过测试来提高仿真精度,很难; ...

+ G1 R8 S9 G; g5 M+ \% d! w9 ?感谢您的解答!/ `  F% f0 R" s! v5 u- I7 C

1 U' y' T: ^, U3 b确实带宽的问题容易被忽略,我会按照您提供的思路去检查问题。
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发表于 2014-4-27 22:29 | 只看该作者
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huang34 发表于 2014-4-12 16:54
, S" R! n- c& y5 h+ R3 S于博士您好!
6 z( C5 N! ^& t* V* M/ A3 D感谢您的回复!

( M) f# a1 V+ Y  |: o, ]修改模型寄生参数的方法是可行的,修改了以后一般是有差别的,除非是封装寄生参数超级小的那种,建议你用Hspice跑一下,另外仿真的时候叠层的一系列信息诸如介电常数、损耗角正切之类的问题一定要设置正确,另外还要看仿真的波形位置和测试点是否是同一个位置。

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 楼主| 发表于 2014-6-6 11:16 | 只看该作者
最近我再做了一些仿真,发现影响pin和die上波形差异的主要在c_comp值的大小,如果c_comp值比c_pin小很多,则pin和die上的波形差别不大。我想原因是die上阻抗的近似值是: L_pin/(c_comp+c_pin)的平方根, pin上阻抗的近似值是: L_pin/c_pin的平方根,不知道是不是这样?

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发表于 2014-12-24 11:02 | 只看该作者
于争 发表于 2014-4-12 09:22
' K. d& s8 E; ^5 s3 b6 B6 r仿真实测不符?/ N2 E) i! X' [( E! c( J8 j
模型有问题只是一种可能。
+ ]4 y3 c7 {9 b仿真方法对么?考虑了哪些因素?有没有软件处理不了的因素没有 ...

  g9 M& T9 |8 B4 c7 a0 m  }4 o于博士,看你的大作以及在论坛里面的留言感觉你对SI仿真中的很多软件都比较熟悉;3 O7 g, }- R% ~0 K* y
想请问一下你有关于cadence 中的sigrity仿真软件中的PowerSI,SystemSI,PowerDC以及Speed2000熟悉不?
0 p8 \. r! _0 }! E! `* }5 k/ p0 U0 @" z7 g9 D
目前在学习使用这方面的仿真工具,但是苦于很多文档只有操作流程却没有找到对应的完整仿真文件,所以想请问你有这方面的文档以及对应的仿真文件没有,我想自己把流程走一遍,加深自己的理解与掌握!$ Q8 V2 Y# M( m3 X& m" O0 }/ F
% z/ L# r" `7 |1 \2 x  |  t% M
有的话能否给我发一份:
$ ~1 M3 K7 q: _3 T我的邮箱为:zjt_taotao@sina.com
: I0 R$ l5 u2 t& h' |
( I, j6 Z+ C7 A非常感谢啊!!!  V) U* M& m+ `  g

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发表于 2015-5-28 17:00 | 只看该作者
感謝分享~~
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