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本帖最后由 0aijiuaile 于 2014-1-13 22:41 编辑 , j6 \" M( u6 w# p5 q8 m0 U2 t
; C9 |6 }* z; I( G4 [) c( L b4 j从芯片内部出发,我们可以看到一些参数的由来,如为何存在tsu,thold;tco到底是哪部分的长度,它由哪些因素影响;tcom;时钟tree对板级的影响;dll步长及Rj。
x, U7 }- m; R: Y4 l. ?* F图中,寄存器1处的延迟为TCO,寄存器2处的延迟为tsu,而TCOM为芯片上的buffer delay长度(上面定义为i/o delay),现在看来,芯片手册上对于I/O处的buffer delay有可能没有考虑。
- ?1 i2 ~- p" ^; F% `. \此处:
7 V7 j& n' q) |) t% uTCO:由寄存器本身参数特性决定;
! I* \) N+ Q, r R5 e% M3 LTCOM:主要由芯片layout时走线决定;
: f! J( l7 R. V5 i. RTSU:其实是读信号时的建立时间,如果写数据时需要的SDRM端寄存器的建立,保持时间。4 g+ s4 c- s* T# ?# {& q
而这张图基本是所有建立时序关系的基理,其它的关系无非是从中演变,但对于DDR部分的电路,add&clk,dq&dqs可以从此处得出建立时间关系。
0 z& f' s6 ]6 q! o: a M对于地址网络,需要满足:. D% f, B6 f, O5 X0 Y
max delay (tco&tcom) + tIS <0.5tCK;
# |& t* T# f0 s4 p0 a6 Y
3 R) t' _! O0 R& l- Y5 ?! Z4 D8 L对于数据网络,需要满足:
& h0 O7 i/ l& `9 emax delay + tDS <0.25tCK;由于门电路结构的改变,max delay与add网络的不太一样。$ L) o1 A' c V, ^$ i1 ^
+ k" {' g. n. s上面时序关系为简单关系,实际过程中要考虑I/O(可以通过hspice住址获得,而IBIS模型由于不能提供内部的I/C pin脚并由于其原理不能获得此值),package delay , board delay ,skew-clk/dqs,以及最长信号时延引起的dll步进长度等变量。
! @( a6 c% e J% `+ Q) ? D
( k; }% o3 t7 T7 z. W& ]+ `而DQS&clk的时钟关系,由于芯片内部结构不一致而不一样。下回主要介绍DQS&CLK,DQ读信号时的时序关系。 |
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