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[仿真讨论] 系统级时序仿真

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发表于 2014-1-9 20:37 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
本帖最后由 0aijiuaile 于 2014-1-9 20:39 编辑
; G3 d/ Q4 a+ u5 w: H' i7 r$ Y, W+ s% I5 F( K
说仿真,其实也不真实算。对于时序的仿真暂时来看没有哪个工具做得很好,往往一些参数就把我们搞晕,更不用说时序参数的代入了,这次有机会对系统级的各方面影响大概了解了下。与大家一块学习讨论。8 i) j5 J- S- I3 G$ G4 }6 Y
) S) ?4 C$ O3 w  J, Z9 g
1.芯片级的影响因素:
6 P1 M- t+ A( ]! E; M- Ptco:主要是时钟没有,而其他信号又不一定一致。这个值与芯片逻辑门电路结构有关,STA仿真后可得出具体值。1 q3 h, v5 k( F
tacc:又称为delay element,dll的step长度;对信号最长最短时延有影响。
( i9 D! U( V2 ~9 r4 ~9 A6 z0 s% O; hclk(skew):时钟树结构有影响,一般芯片端会做等长。
! N9 |1 o  C  |' ^8 B
6 L  Z' c  Q5 H& [2.I/O的影响因素:( E& N9 H6 Z- r5 Z( R
delay:I/O delay,就是各位大大们之前讲的buffer delay,大家先对应下。不同的buffer由于内部结构不一致也会不太一样,也会由于外部条件不一致会不太一样,这个变量芯片手册称为tcom,芯片端一般叫OCV。
5 ~- E! ?( L1 S( R" u/ B( B3 P1 N/ F, _3 Z- k% t% A
3.package影响因素:
$ S: _3 g) `+ `2 j- ^- ^6 M4 o, n+ `RLCG,当然用S参数来表征会更精确,因为crosstalk对skew的影响。+ L; D2 A5 c. X4 Y- q
- l# _" Z* C, l0 |
4.PCB板走线:  C% O2 O- L9 e! b+ U; |' X% k
大家最熟悉的,一般会按照spec要求进行等长处理。
% \% U) I7 R- [3 Q( q; U* ]+ O4 T
# v+ z# M3 J- j5.软件调节:
( @* z' x6 J/ c9 `( qdq-dqs:tdelay延时,以满足建立时间裕量;
/ ]; x$ U) m+ [/ w! _/ \dq readQS偏移1/4tCK;...
* m& B; \* e0 Q( ~; t; S0 ]# X, T& d$ @7 N/ M
希望可以让大家对影响时序的各阶段有个了解,能对PCB设计等长策略有更好的理解,可以做到大致估算各时序裕量情况。
" Q: J; t# t$ b  |+ e0 M% u8 u- _; d% D: n* c8 {! v
此次讨论希望大家热烈参加,仅讨论静态时序,不讨论操作时序。今天就写到这。
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 楼主| 发表于 2014-1-10 14:30 | 只看该作者
本帖最后由 0aijiuaile 于 2014-1-10 14:40 编辑 # ~8 x( Q: \' W

2 Y$ K! p8 w8 K/ z( X在芯片级提出如下问题,可以让我们对时序调整的原理进行理解,并知道实际上我们板级考虑不了的内容:) z6 i5 K6 ]* D3 G1 i, G& t
DQ与DQS写操作比较时:setup时dqs一般偏移半个时钟周期,(由于加上setup,计算时为一个时钟周期)而holdup时由于减去tds因此为半个时钟周期;
) x( u% u+ ^1 U( c, {' r
) L( z4 _" ?8 n0 P1 cDQ与DQS读操作比较时:没有时钟偏移,因此DQS偏移90度,作时序对齐。(初始为0.25时钟周期偏移)6 p% u. v# Y# e# k
3 ?7 b7 V  u/ I& V: \2 N
DQS与CLK信号写数据时:比较时对tDQSS参数值进行多偏移一个时钟周期,裕量的确会变大,但实际多出的时钟周期的裕量是否会存在,但用0.25tCK进行表格公式时,时序关系不满足要求;tDSS,tDSH参数比较时,有一个DQS_HIGH时序关系(大约半周期),其原因是什么?
4 v4 C& r2 x: D; k+ _
( k/ R& h- J+ j# D4 b% |DV值与delay element为何有5倍的关系,为何有2*tphase+4 * tPhaseClk_err的关系?数字dll或模拟dll的delay line值是否变化?
; d) p/ K% D! K6 O! i. N: f1 d' b
& i8 G; i+ D% W; |. E芯片级pulse width的各信号如何获取?: Y1 P5 s' L  g1 f

4 d; `0 R2 K& u" G+ V/ U: N, RECHO gating
4 I2 c) ]) X3 s: Z) F
8 H/ B- q; H% E+ e. M) x
8 H& c$ `! W2 A, g) J, h: Z% t9 ^. j8 f9 A3 r8 m! i7 \
这张图片最左边为控制器->PHY(IP)->I/O(仿真时的buffer特性)->package&board(图中没有画出)->负载DDR颗粒。
, E5 E+ g# j5 W' o+ r/ J/ J* A9 f+ f( i6 p7 [3 B4 y
从图中大家可以清楚看出影响时序的各个环节,下面先芯片端的影响因素和大家道来。

databahn_ddrphy.gif (54.46 KB, 下载次数: 0)

databahn_ddrphy.gif

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发表于 2014-1-11 08:46 | 只看该作者
好贴,啊,继续啊楼主,学习啊

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 楼主| 发表于 2014-1-13 22:22 | 只看该作者
本帖最后由 0aijiuaile 于 2014-1-13 22:41 编辑 , j6 \" M( u6 w# p5 q8 m0 U2 t

; C9 |6 }* z; I( G4 [) c( L  b4 j从芯片内部出发,我们可以看到一些参数的由来,如为何存在tsu,thold;tco到底是哪部分的长度,它由哪些因素影响;tcom;时钟tree对板级的影响;dll步长及Rj。
  x, U7 }- m; R: Y4 l. ?* F图中,寄存器1处的延迟为TCO,寄存器2处的延迟为tsu,而TCOM为芯片上的buffer delay长度(上面定义为i/o delay),现在看来,芯片手册上对于I/O处的buffer delay有可能没有考虑。
- ?1 i2 ~- p" ^; F% `. \此处:
7 V7 j& n' q) |) t% uTCO:由寄存器本身参数特性决定;
! I* \) N+ Q, r  R5 e% M3 LTCOM:主要由芯片layout时走线决定;
: f! J( l7 R. V5 i. RTSU:其实是读信号时的建立时间,如果写数据时需要的SDRM端寄存器的建立,保持时间。4 g+ s4 c- s* T# ?# {& q
而这张图基本是所有建立时序关系的基理,其它的关系无非是从中演变,但对于DDR部分的电路,add&clk,dq&dqs可以从此处得出建立时间关系。
0 z& f' s6 ]6 q! o: a  M对于地址网络,需要满足:. D% f, B6 f, O5 X0 Y
max delay (tco&tcom) + tIS <0.5tCK;
# |& t* T# f0 s4 p0 a6 Y
3 R) t' _! O0 R& l- Y5 ?! Z4 D8 L对于数据网络,需要满足:
& h0 O7 i/ l& `9 emax delay + tDS <0.25tCK;由于门电路结构的改变,max delay与add网络的不太一样。$ L) o1 A' c  V, ^$ i1 ^

+ k" {' g. n. s上面时序关系为简单关系,实际过程中要考虑I/O(可以通过hspice住址获得,而IBIS模型由于不能提供内部的I/C pin脚并由于其原理不能获得此值),package delay , board delay ,skew-clk/dqs,以及最长信号时延引起的dll步进长度等变量。
! @( a6 c% e  J% `+ Q) ?  D
( k; }% o3 t7 T7 z. W& ]+ `而DQS&clk的时钟关系,由于芯片内部结构不一致而不一样。下回主要介绍DQS&CLK,DQ读信号时的时序关系。

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