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[仿真讨论] 系统级时序仿真

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发表于 2014-1-9 20:37 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
本帖最后由 0aijiuaile 于 2014-1-9 20:39 编辑
5 T. v( o1 n# V# G6 c2 @* m" E7 g, r5 `8 ~& B7 Y; T, S6 m
说仿真,其实也不真实算。对于时序的仿真暂时来看没有哪个工具做得很好,往往一些参数就把我们搞晕,更不用说时序参数的代入了,这次有机会对系统级的各方面影响大概了解了下。与大家一块学习讨论。0 e, W/ q/ D2 ]3 @# M6 F8 G
, H) t" K  m4 K$ s, {% L% k* i' L
1.芯片级的影响因素:& n, g/ m4 A7 L, K: }# a. M8 c
tco:主要是时钟没有,而其他信号又不一定一致。这个值与芯片逻辑门电路结构有关,STA仿真后可得出具体值。8 h. A: e5 I+ X# x" D/ m9 n2 q
tacc:又称为delay element,dll的step长度;对信号最长最短时延有影响。, f% T) G+ z/ l. X, M! ]1 E
clk(skew):时钟树结构有影响,一般芯片端会做等长。9 V5 @* v% F1 M1 R

9 ?+ O( `* L8 C; M* T2.I/O的影响因素:
2 `% Y$ ?0 j8 D! }  m, p" adelay:I/O delay,就是各位大大们之前讲的buffer delay,大家先对应下。不同的buffer由于内部结构不一致也会不太一样,也会由于外部条件不一致会不太一样,这个变量芯片手册称为tcom,芯片端一般叫OCV。
+ J4 W9 X& M5 e( V) L# z
6 y5 ]3 s; V1 C7 i# h" j0 S" [3.package影响因素:# C, x+ ]6 o- [8 u* D* i
RLCG,当然用S参数来表征会更精确,因为crosstalk对skew的影响。* @# L- u. F1 E+ g3 B/ x9 Q
2 m$ D# c9 `/ Z' G: @
4.PCB板走线:
' B' g) {7 b/ G2 G5 B3 A" B& O大家最熟悉的,一般会按照spec要求进行等长处理。
5 X, r! a8 p, e5 D* E: @8 c! Q
+ r9 T5 l5 c, z: A; i2 b5.软件调节:. w% q/ n8 V8 N( j- B( s. _4 `
dq-dqs:tdelay延时,以满足建立时间裕量;* e  c( x8 |" P/ q) S) D9 h  R
dq readQS偏移1/4tCK;...
3 ]7 E6 O& }4 s. D; E$ \
' {) Z& ]/ A3 r  e  _8 G2 L希望可以让大家对影响时序的各阶段有个了解,能对PCB设计等长策略有更好的理解,可以做到大致估算各时序裕量情况。
) }, T1 D& c" b  ?9 |/ j9 r0 Z( \
此次讨论希望大家热烈参加,仅讨论静态时序,不讨论操作时序。今天就写到这。
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 楼主| 发表于 2014-1-10 14:30 | 只看该作者
本帖最后由 0aijiuaile 于 2014-1-10 14:40 编辑
3 i/ B6 a; K! u
; E1 y3 i9 ~8 f, ~! |% g# ?+ m" |在芯片级提出如下问题,可以让我们对时序调整的原理进行理解,并知道实际上我们板级考虑不了的内容:
1 w2 D" P# O' l+ Q1 Y6 r0 F4 M# bDQ与DQS写操作比较时:setup时dqs一般偏移半个时钟周期,(由于加上setup,计算时为一个时钟周期)而holdup时由于减去tds因此为半个时钟周期;! n) A0 k! i( N* d! v. H! I6 G
4 a* {! X4 C/ ~4 x
DQ与DQS读操作比较时:没有时钟偏移,因此DQS偏移90度,作时序对齐。(初始为0.25时钟周期偏移)
% l9 I/ _1 Y4 L, [. o6 h
9 V/ H+ P' h3 ~$ |8 UDQS与CLK信号写数据时:比较时对tDQSS参数值进行多偏移一个时钟周期,裕量的确会变大,但实际多出的时钟周期的裕量是否会存在,但用0.25tCK进行表格公式时,时序关系不满足要求;tDSS,tDSH参数比较时,有一个DQS_HIGH时序关系(大约半周期),其原因是什么?
! Z* Q" M2 u4 U  R5 k/ F5 J& F! z5 Q- |5 X
DV值与delay element为何有5倍的关系,为何有2*tphase+4 * tPhaseClk_err的关系?数字dll或模拟dll的delay line值是否变化?6 q  r) Z) B! t) B" D- h* O3 Q

: N/ p7 k; M% S9 z芯片级pulse width的各信号如何获取?, N# l7 i  l/ `) l
5 k% B! F6 f  e0 f0 s
ECHO gating
. e, U" ^+ D4 q+ O* |. G/ }- J% N4 Z9 T" b$ H9 b$ \) M
  S+ T4 O8 r" z( |8 |1 {* L  I

; P, O& d/ |6 m1 s这张图片最左边为控制器->PHY(IP)->I/O(仿真时的buffer特性)->package&board(图中没有画出)->负载DDR颗粒。
# A2 {! l4 O8 c; w7 U8 F) _" Y( R3 r. }
从图中大家可以清楚看出影响时序的各个环节,下面先芯片端的影响因素和大家道来。

databahn_ddrphy.gif (54.46 KB, 下载次数: 0)

databahn_ddrphy.gif

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发表于 2014-1-11 08:46 | 只看该作者
好贴,啊,继续啊楼主,学习啊

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 楼主| 发表于 2014-1-13 22:22 | 只看该作者
本帖最后由 0aijiuaile 于 2014-1-13 22:41 编辑
4 Q) j( @& b) J4 q' @
: Y- C* I% t; s从芯片内部出发,我们可以看到一些参数的由来,如为何存在tsu,thold;tco到底是哪部分的长度,它由哪些因素影响;tcom;时钟tree对板级的影响;dll步长及Rj。
, b7 k. a8 |: c1 b9 E, h图中,寄存器1处的延迟为TCO,寄存器2处的延迟为tsu,而TCOM为芯片上的buffer delay长度(上面定义为i/o delay),现在看来,芯片手册上对于I/O处的buffer delay有可能没有考虑。
) B* ^9 X, z6 {7 @此处:
! @# [9 l# Y! DTCO:由寄存器本身参数特性决定;- F+ @: J& [; R
TCOM:主要由芯片layout时走线决定;
8 a: ^1 v4 \9 R# m! c( sTSU:其实是读信号时的建立时间,如果写数据时需要的SDRM端寄存器的建立,保持时间。9 X$ W' G$ P( Y1 ^9 ?
而这张图基本是所有建立时序关系的基理,其它的关系无非是从中演变,但对于DDR部分的电路,add&clk,dq&dqs可以从此处得出建立时间关系。
- B/ u: E! H. T* i( v6 n: B9 i8 B, h对于地址网络,需要满足:6 u& R$ U* Y. s7 L( J
max delay (tco&tcom) + tIS <0.5tCK;
% G4 _& ]- m6 k
: ^% i* l7 |) _* q$ u; R5 x对于数据网络,需要满足:
* g, c- z; X: o2 t6 C2 mmax delay + tDS <0.25tCK;由于门电路结构的改变,max delay与add网络的不太一样。0 R8 z  F$ o! ~( [) t: p
! A" I* _4 Z+ C' a8 e& Q7 i0 @
上面时序关系为简单关系,实际过程中要考虑I/O(可以通过hspice住址获得,而IBIS模型由于不能提供内部的I/C pin脚并由于其原理不能获得此值),package delay , board delay ,skew-clk/dqs,以及最长信号时延引起的dll步进长度等变量。- w0 g7 Y+ ]: h  y8 ~) K

+ C* U9 q: r" D* z而DQS&clk的时钟关系,由于芯片内部结构不一致而不一样。下回主要介绍DQS&CLK,DQ读信号时的时序关系。

1.JPG (25.85 KB, 下载次数: 0)

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