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新手DDR3走线,请大师点评一下此两种走线有什么差别??

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发表于 2013-7-18 11:39 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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如图,DDR3地址走线. 直线型地址走线是我自已画的,另外一份是我在论坛内找的模板.我想请问一下各位高手,此两种走法(除了空间限制)对EMC,EMI有什么影响?因为看很多人走线都是歪歪扭扭,一直搞不明白其中的原因何在.

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发表于 2014-5-13 17:03 | 只看该作者
Glenn 发表于 2013-7-19 09:16
) M+ l' d' _4 F  S3 z  {. uDDR3芯片的速率是800M到1.6G,速度最低也的800M,这时候信号完整性问题就来了!2 X/ u% Z. W1 a) T" R
1.按您的布线,直线部分没 ...
+ o- j0 _5 T. P5 ?" S
高手,那请问一下,1,这四个DDR的地址线与数据线组可以保持的误差是多少呢?2,数据组与数据组之间保持的误差是多少呢?

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发表于 2015-6-1 11:14 | 只看该作者
457958672 发表于 2013-7-18 17:527 W; F+ [* G0 _3 K  g4 w
相信直线的更好,因为我也是走直线,说说原因! L# @' W* K1 Q9 Q" Z' M' N1 j
1.在打via的时候明显第一种会将电源和地平面打断,影响信号 ...

+ i: e/ K: K7 l5 Y9 z! l大哥貌似第一幅图是楼主的参考资料,第二份图是他自己画的吧???

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发表于 2015-6-1 11:16 | 只看该作者
4片的好复杂,只画过1片的,还是费了老大劲

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发表于 2013-7-18 11:43 | 只看该作者
坚持自己,等你出错的那一天。你就会做的和别人一样了。。嘎嘎。。

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 楼主| 发表于 2013-7-18 11:50 | 只看该作者
yangjinxing521 发表于 2013-7-18 11:43
; W; T, W: ?- Z8 l( R坚持自己,等你出错的那一天。你就会做的和别人一样了。。嘎嘎。。
5 f2 Q5 w5 y" Z+ ^: F2 H, ^, |* ?
说说原因呗.

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发表于 2013-7-18 14:33 | 只看该作者
你直直的走线,还有电源和地没有扇出,这些VIA 要打哪里?除去空间有影响,其本是没有什么影响的

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发表于 2013-7-18 17:52 | 只看该作者
相信直线的更好,因为我也是走直线,说说原因4 H# U- [: ~: P, N# [# X6 n2 \6 q
1.在打via的时候明显第一种会将电源和地平面打断,影响信号回流(建议你的可以吧你的via的距离拉大一点让铺铜时能铺过去).- g% z+ |/ g( D" Z! t
2.扇出好一个DDR的地址线后可以直接copy到其他DDR上面减少工作量(如4楼说的你应该吧电源孔和地孔扇出)! R- M1 z( z1 H& X6 m
3.走成直线很有规律方便做等长(从左到右DDR编号为1234,用上面copy的方法可以直接让:12间地址线的长度=34间地址线的长度)
$ L+ n/ D# W7 C" ~* m, Q4.做T点时,T点会很整齐,只需要找好两个t点,其他t点都能够按照栅格对齐即可,方便快捷
4 j. w) s" E) t, [5.貌似你的第一幅图是不满足3W原则,而整齐的走直线可以很容易满足3W.
' t: ~& Y& l+ m& N+ y) o& p
- P2 ?. I7 F2 ]当然也有不好的地方就是这样会让地址线无形中变长。
4 |4 s, e7 T, N, D上面是个人的看法,有什么不对的地方请各位高手指点" v& l% a( y! ]3 o( `& u" Z! D! r

YCZ`HNFC7JT8585L1QYO}31.jpg (161.27 KB, 下载次数: 0)

YCZ`HNFC7JT8585L1QYO}31.jpg

F6LFIY$41P`JLUBR$A4K8ME.jpg (54.64 KB, 下载次数: 0)

F6LFIY$41P`JLUBR$A4K8ME.jpg

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大哥貌似第一幅图是楼主的参考资料,第二份图是他自己画的吧???  详情 回复 发表于 2015-6-1 11:14

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发表于 2013-7-19 09:16 | 只看该作者
本帖最后由 Glenn 于 2013-7-19 09:18 编辑
2 y( i( K% o! e% o) k) `: u3 h# b
3 e+ }9 z5 y7 P9 ], _6 r$ }DDR3芯片的速率是800M到1.6G,速度最低也的800M,这时候信号完整性问题就来了!
9 X2 `4 e7 W4 j' |* i4 n5 H) d5 d1.按您的布线,直线部分没有stub,但外面的线stub太长
& p  s) q. N: |( B4 P9 L* V2.您走线的拓扑是T点,还是菊花链?不管是那种现在的走线都有信号完整性问题,系统工作将不稳定。
- S! X* U& W2 C2 [* g' U
/ z4 M8 W, g7 P0 B+ E% wDDR3-四片的最好拓扑结构是菊花链,DDR3扇出尽量不出芯片,上下拉电阻靠近最后一片DDR,分段等长,以DQS为基准,误差25mil,以确保信号完整!菊花链如图所示:

DDR3_四片.png (11.77 KB, 下载次数: 9)

DDR3_四片.png

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发表于 2013-7-19 13:49 | 只看该作者
Glenn 发表于 2013-7-19 09:16
; j" ?' e& m/ k7 `9 M" ~: _$ LDDR3芯片的速率是800M到1.6G,速度最低也的800M,这时候信号完整性问题就来了!, ^0 Q$ ?) k/ H- g6 W7 q; \, B# q
1.按您的布线,直线部分没 ...

" P0 u! V( E. x. U' C' x7 H4 l# i$ M我怎么记得地址线要和CLK 线长度比拟才好呢?误差不超过200mil?请确认!

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发表于 2013-7-19 13:54 | 只看该作者
其实你给的两种我觉得都不好! 首先左边7跟跟右边的几根拓扑结构都不一样!这样不好吧!

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发表于 2013-7-19 16:04 | 只看该作者
dzwinner 发表于 2013-7-19 13:49 5 Y7 `5 I" C& ~8 K/ F2 l
我怎么记得地址线要和CLK 线长度比拟才好呢?误差不超过200mil?请确认!

: f9 ^0 v0 S3 D能做到最好为什么不做呢?如果空间实在是不够,误差可以大一点。FYI,我是给Jimmy老大打下手的,以上内容都是听Jimmy讲课的知识总结。

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发表于 2013-7-19 17:32 | 只看该作者
stub太长了点.......

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发表于 2013-7-20 11:16 | 只看该作者
6楼正解 还有 过孔不要打在一起了 除了好看点没得其他用处 但是你把参考平面全破坏了!

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发表于 2013-7-20 11:40 | 只看该作者
高手如云啊

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发表于 2013-7-22 14:01 | 只看该作者
高手~~大大的多

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发表于 2014-4-25 13:38 | 只看该作者
高手如云啊

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