|
本帖最后由 zhongyiwaiting 于 2012-10-8 19:44 编辑 }8 e7 q( R: D
9 ^; \# c" m4 X4 N/ s
顶起!. d/ X4 ^9 m) \) M0 }/ h# Z
看目录,这本书应该是侧重IC版图设计的吧!
7 Y" q/ s- n) b' }
: J8 \/ ]7 l$ I7 ESEE:http://www.tushucheng.com/book/3083082.html* {8 V( `6 ~1 q/ Y* A* J' c2 e& P$ O) Q I
$ g$ X) t% A$ n( Y
内容提要:
$ H8 r* ^9 ^% a* M3 C9 P李扬、刘杨编著的《SiP系统级封装设计与仿真——高级应用指南》介绍了SiP系统级封装的发展历程,以及当今最热门的SiP技术,并对SiP技术的发展方向进行了预测。 * H8 k0 H9 G$ a4 y1 e: d5 l1 M+ H
本书重点基于Mentor Expedition Enterprise Flow设计平台,介绍了SiP设计与仿真的全流程。特别对键合线(wire Bonding)、芯片堆叠(Die Stacks)、腔体(Cavity)、倒装焊(Flip Chip)及重分布层(RDL)、埋入式无源元件(Embedded Passive Component)、参数化射频电路(RF)、多版图项目管理、多人实时协同设计(Xtreme)、3D实时DRC等最新的SiP设计技术及方法做了详细的阐述。在本书的最后一章介绍了SiP仿真技术,并通过实例阐述了SiP的仿真方法。 4 U( `7 j3 s( v1 l' g; c2 m( w
《SiP系统级封装设计与仿真——高级应用指南》适合SiP设计用户、封装及MCM设计用户,PCB设计的高级用户,所有对SiP技术感兴趣的设计者和课题领导者,以及寻求系统小型化、低功耗、高性能解决方案的科研工作者。目录:
8 c& w3 E, u! d0 k第1章 Mentor公司SiP设计仿真平台 ( a/ i% V* E% `' @: q. \
1.1 从Package到SiP的发展
9 j! K& s. N4 M9 C: H5 H! p1.2 Mentor公司SiP技术的发展
1 o. ^2 ^0 R- A- R1.3 Mentor SiP设计与仿真平台 , D- i1 j; c- \1 G
1.3.1 平台简介 # _- G( j, q0 K# m" q
1.3.2 原理图输入
6 \0 T" b' D5 Y+ ~1.3.3 系统设计协同
2 y& A3 x# m. T3 H0 M& J1.3.4 SiP版图设计 0 Z( S$ t& m* t5 l
1.3.5 信号完整性和电源完整性仿真 0 i6 ~3 j4 r! A7 U
1.3.6 热分析仿真
& M2 B7 i* _. P; N, g1.3.7 Mentor SiP设计仿真平台的优势和先进性
. `+ `- a M9 J# D# v% W* t1.4 在Mentor SiP平台中完成的项目介绍
& \0 p4 G. E6 D; t第2章 封装基础知识
) S1 {+ o, w o7 T2 ]- @5 q: R& C! {2.1 封装的定义与功能
4 w2 H6 d+ q; P8 S. T2.2 封装技术的演变与发展
& C3 A( S; A4 @9 Q, R% d/ }8 s2.3 SiP及其相关技术
# a% j* X7 n# B3 s) |( K5 M X2.3.1 SiP技术的出现 / `0 V8 z/ H- N+ X
2.3.2 SoC与SiP
2 A4 @% P8 i+ q' M2.3.3 SiP相关的技术
. H- f3 R* r' N1 X9 a2.4 封装市场发展 % }( Y3 ?1 S9 q1 a8 R. f( J
2.5 封装厂家 4 p- Y. t& w1 [
2.5.1 传统封装厂家
5 X" z2 `. O: p( y, z2.5.2 不同领域的SiP封装企业
# h8 {6 c8 I, \2 v4 U1 k) N4 e% ?2.6 裸芯片提供商
4 O* ?0 K" a/ M% j* w$ f% m第3章 SiP生产流程
Q/ v7 v% v% e% \6 H3.1 BGA—主流的SiP封装形式
/ ~9 E3 i4 i) ~, _4 `0 p0 X3.2 SiP 封装生产流程
5 J% Q, l) L' Y- ~, p6 g8 X3.3 SiP封装的三要素
( s) b- m+ m# W" Q' ~( h$ d( \9 O第4章 新兴封装技术
3 j; E; T- f- q3 u4.1 TSV(硅通孔)技术 " Y8 r- i7 E( |" f: D& |* g2 u
4.1.1 TSV介绍 8 U& O! s( u. i, R
4.1.2 TSV技术特点
$ V5 i& O$ Q+ Q% d+ b; _4.1.3 TSV的应用领域和前景 ' P& P4 P. W0 {! x, _) z" z
4.2 IPD(Integrated Passive Device)技术 % t$ F& {( b* }7 d" r
4.2.1 IPD介绍 ! B0 t7 `) H/ e. H+ c$ r/ M
4.2.2 IPD的优势
* Q+ [6 n8 ^ b; V. v ^# o$ \4.3 PoP(Package on Package)技术 , y0 {0 F) a3 I% W
4.3.1 3D SiP的局限性 " l# C# Q- I/ x2 \9 S
4.3.2 PoP的应用 4 H9 o% u& p+ \- o
4.3.3 PoP设计的重点 - t( I4 k+ K# O1 _# z: i' S
4.4 代表电子产品(苹果A4处理器) & t+ F2 z% T3 ~# [
第5章 SiP设计与仿真流程 4 ]/ d% I2 L7 [8 F
5.1 SiP的设计与仿真流程
9 I7 k+ T. s) F M1 l# z5.2 Mentor环境中的设计与仿真流程 - P Y G% q+ j3 u& ^) J
5.2.1 库的建立
# r |. B* E. q5 j5.2.2 原理图设计 3 o. h/ {2 e) r) s$ w
5.2.3 版图设计 ' R( E/ a# \% P2 h6 X- Z
5.2.4 设计仿真
- y6 j2 G2 u* L第6章 中心库的建立及管理 + g/ K1 H, h! ?% G! N
6.1 中心库的结构 " e# f8 v- ?! j3 e3 u. D+ H d8 k' _
6.2 Dashboard介绍
0 s) S. O U- j: A# p9 z. s8 H2 T6 ^6.3 原理图符号库的建立 " x7 U! M* w, j
6.4 裸芯片Cell库的建立
1 u* w$ ~, u; k6.4.1 创建裸芯片Padstack 4 R4 U; {- z; @6 L" G. L! i
6.4.2 创建裸芯片Cell
8 E/ s6 s6 [8 n* _- c0 a6.5 BGA Cell库的建立
, s& O/ `& g7 V( o7 c( q4 j8 d. M$ @6.5.1 创建BGA Padstack
3 A1 N8 u( a! T5 c6.5.2 手工创建BGA Cell
, p' o; y( }% r7 e" A6.5.3 使用Die Wizard创建BGA Cell
% Y+ E4 v U" I6 C; t6.5.4 LP Wizard专业建库工具 ' e7 K- p' {, Y" s& j! ^* \
6.6 Part库的建立
- D/ i; i- Z! c. E" K6 {6.7 通过Part创建Cell " a, D$ }: i3 q( W; X! M
第7章 原理图输入 6 t" {! s. L0 N2 n) \
7.1 网表输入
) Z4 G+ I, |" T$ R: ^7.2 基本原理图输入
6 R& I8 f" F/ {" G# v' f T* T7.2.1 启动DxDesigner
: Z1 r5 F0 x) p7.2.2 新建项目
! W& v, O6 w! B; K3 h- v$ H1 o1 c7.2.3 设计检查
( d1 p7 I( { O- m. m, N" {8 K1 K/ i7.2.4 设计规则设置 # ~' F0 K, n* i+ \7 Q8 p
7.2.5 设计打包Package
; q" @3 _$ p2 F1 J: }6 \7.2.6 输出Partlist 2 K& r% i( `$ t( }9 t: P
7.2.7 原理图中文输入 7 k- Q' i) m2 e+ D9 G( G6 h
7.2.8 进入版图设计环境
7 H( k$ K. p- Y2 H B7.3 基于DxDataBook的原理图输入 . W! R; ]3 m" n. C- z6 f% {% v, [- P" x
7.3.1 DxDataBook介绍 4 v% o' J* K; D* U$ g6 Z
7.3.2 DxDataBook使用 ! T; F8 P9 _0 m% M1 G3 i
7.3.3 元器件属性的校验和更新
' v# L/ d" f) \7 ]. H' Z$ o/ ~! j% i: C第8章 多版图项目管理与原理图多人协同设计 9 ?* B( F' f5 `! I5 o2 k. Q
8.1 多版图项目管理 $ I7 ?) E: E3 t( k* b, a' Y* ^
8.1.1 SiP与PCB协同设计的需求
9 x2 x* ^! W: a8 k7 k5 [2 P8.1.2 多版图项目设计流程 9 ^' K) e6 i7 D Q: X$ X
8.2 原理图多人协同设计 ( B: E) }# U- }5 c7 K }
8.2.1 协同设计的思路 4 G" Y% j* k0 U3 v/ {$ R; F T
8.2.2 原理图多人协同设计的操作方法
+ o- a6 S3 N! M- U$ g% S" s. u第9章 版图的创建与设置 7 h1 R% J, E; u/ B
9.1 创建版图模板
& Y0 R7 \% r+ S! j9.1.1 版图模板定义 ' i: A5 J! E, Y4 r/ Z s _
9.1.2 创建SiP版图模板
% w& X# k+ K1 C* Q9.2 创建版图项目 2 Q9 Y0 ~* R& F1 g+ c8 T
9.2.1 创建SiP项目 6 R% k O4 _ ~2 ?; p( ?
9.2.2 进入版图设计环境
6 u1 c/ z4 u. L$ a; T% X9.3 版图相关设置与操作
, V" b X n) w8 v' ~; t; ^) H9.3.1 版图License控制介绍
. O0 Y' U7 ?8 e1 A# [$ E1 C7 {9.3.2 鼠标操作方法 2 U) C6 m! r4 ]. F' Q4 M
9.3.3 三种常用操作模式
* ~8 |8 B& p( w' {) I! x% V+ ^9.3.4 显示控制 Display Control $ _$ D2 v+ a# E
9.3.5 编辑控制 Editor Control ! p) j4 p- t3 o, o5 X8 O
9.3.6 参数设置 Setup Parameters
4 [9 N& D- l7 n7 [0 ^* V& W' J6 R9.4 版图布局
9 O) \5 o& Y: `' C, p& a9.4.1 元器件布局
" B4 x, A. d: O* \9.4.2 网络自动优化 - ~% M C4 a2 Y: x' \
9.5 版图中直接查看原理图-eDxD View
! @3 |6 P* r' p& l' i9.6 版图中文输入 ; Y0 M; [( a$ V) U
第10章 约束规则管理
8 H f) V; I9 B% {( `( _& O+ N2 Q1 \10.1 CES约束编辑系统
' ]; h: d4 T0 Z1 n# g10.2 方案Scheme
1 Z: F+ U; q1 t/ e7 p) r10.2.1 创建方案Scheme
/ g0 g- p8 o: d- n' Y+ F10.2.2 在版图设计中应用Scheme
# s+ M6 `5 S5 V) |9 N* h10.3 定义基板的层叠及其物理参数
1 I- s2 }5 v+ ?' A$ @4 l! p10.4 网络类规则 Net Class
4 e7 H3 Z% b6 F. @6 }5 j0 @* _' C10.4.1 创建网络类并指定网络到网络类
0 `/ ]7 S6 m9 c" x10.4.2 定义网络类规则
& X% K0 l- s2 Y P! v: Q0 m10.5 间距规则 Clearance , g. `5 d8 v9 k: x9 X' m
10.5.1 间距规则的创建与设置 " P4 J: H8 w4 k. T
10.5.2 通用间距规则 h$ B* D8 m, Y" U" t( j: ?6 r
10.5.3 网络类到网络类间距规则
! l9 N# `* O0 }1 I) \9 a10.6 约束类 Constraint Class
: |' U8 m" \7 M10.6.1 新建约束类并指定网络到约束类
& b9 w9 x* J# Y& T10.6.2 电气约束分类
% Z+ U) X- N7 t4 n/ I10.6.3 编辑约束组
. ^9 h4 N5 b8 ]! @+ P10.7 CES和版图数据交互
: O: e: `/ |2 o- D第11章 Wire Bonding设计
0 Q2 F! y* \0 F% U! \* M2 f11.1 Wire Bonding概述
8 t @, I: U: l* D3 ?, o11.2 Bond Wire 模型
2 g# T. D: m; \1 N6 @& k11.2.1 Bond Wire模型定义 h) W9 P4 Q/ m# ]2 ]
11.2.2 Bond Wire模型参数 - i, B0 \' C8 j+ P9 o
11.3 Wire Bonding工具栏及其应用 9 f e* ~! x3 S
11.3.1 手动添加Bond Wire
3 w9 d2 O2 E! t- K% J11.3.2 移动及旋转Bond Pad 8 [/ ?* h( s. I1 w, D, G
11.3.3 自动添加Bond Wire及Power Ring
' `9 J+ @1 J# y1 Q, v11.3.4 Bond Wire规则设置 7 w' T( C( d ^4 }
11.3.5 实时Bond Wire编辑器Wire Model Editor
+ l/ q" H1 j4 g# i. e第12章 腔体及芯片堆叠设计 ! @9 A2 c. ~& O
12.1 腔体Cavity
$ U( b" A1 Y b$ {% r12.1.1 腔体的定义
* i& _& ^9 I" Q" J8 X+ t12.1.2 腔体的创建
5 O) w3 `' t4 v* N12.1.3 将芯片放置到腔体中 , X8 G/ O. h: V6 M4 Z3 {7 ]' ]: ^/ j
12.1.4 在腔体中键合
! N2 h" G4 q, _12.1.5 埋入式腔体设计及将分立器件埋入基板 ( ? p7 H3 e2 T$ Q4 w: |$ u/ A, r
12.2 芯片堆叠
& b4 |5 @; K7 R5 `12.2.1 芯片堆叠的概念 ( S, c, C8 B0 p5 ~4 S( q
12.2.2 芯片堆叠的创建 + e( _) t, I$ I) }( {. h
12.2.3 并排堆叠芯片
: B3 n- Y& O0 I! }/ w: j& y12.2.4 调整堆叠中芯片的相对位置
# z4 a' b" F& [6 O T ^12.2.5 芯片堆叠的键合
& s7 [9 [7 M) A第13章 FlipChip及RDL设计
9 ]: G/ M) j, L3 S5 n+ w7 y* n13.1 FlipChip的概念及特点
6 @$ {* I4 @: r8 F2 O5 H& M13.2 RDL的概念
4 a, c. I5 ~/ D, t' c& l2 S2 T13.3 RDL设计 " J/ v7 v/ V) z, s( G7 m8 t1 }5 T
13.3.1 Bare Die及RDL库的建立 2 M6 G6 b, {8 A1 E8 m$ l
13.3.2 RDL原理图设计 8 R& x& Q* L0 l Z+ I( I( l
13.3.3 RDL版图设计
8 w' h" v% e/ g& S0 s0 |13.4 FlipChip设计 9 }$ H4 Q* Q7 q8 |6 ]
13.4.1 FlipChip原理图设计 ^$ W3 h- f) A# N. n
13.4.2 FlipChip版图设计 & s8 N: a2 O! C
第14章 布线与敷铜 / w7 [3 a1 G0 r9 c
14.1 布线
" H& b4 P* U5 @: s4 G$ K" ^14.1.1 布线综述
4 J( z1 o7 p# U4 n$ ]& d+ k; M14.1.2 手工布线
0 } y f$ `* a# K j5 I14.1.3 Plow布线模式 " V( T6 @) P6 s6 W2 P* C
14.1.4 Gloss平滑模式 * v3 S# a' t1 s0 X9 f1 ~. v' |
14.1.5 固定Fix和锁定Lock . r8 {5 Q0 D0 W( ~6 ~
14.1.6 层的切换
3 X' l+ W/ D) Q' a14.1.7 移动导线和过孔
+ V% A# U( `2 k$ M. T6 E5 O14.1.8 电路复制
6 [+ y( c6 e6 L' a/ ^14.1.9 半自动布线 # v7 @' {1 b) T6 g( B( Z V+ L1 z
14.1.10 自动布线 3 u8 j9 ~& v( x- O
14.1.11 差分对布线
; m8 l( j5 \ {9 t; e7 M4 c14.1.12 长度控制布线 ) S! b6 G; r# [0 |
14.2 敷铜
- _3 @3 W7 l) w14.2.1 敷铜定义 ' u" c! ?0 q% V% [
14.2.2 敷铜设置
6 k& E2 K- d- |1 z) x14.2.3 绘制敷铜形状 5 {- l& }* U. g5 c) i- M: x( ~
14.2.4 修改敷铜形状 * I0 B& g, }7 B1 v
14.2.5 生成负片敷铜 - G% z) s3 Y7 l. l
14.2.6 删除敷铜数据
b& N0 {; _( L2 ^' d14.2.7 检验敷铜数据
3 U7 x/ V4 `! y2 m第15章 埋入式电阻、电容设计
5 Q3 c9 \0 b0 P4 u15.1 埋入元器件技术的发展
2 o; U3 X& K' _/ s" n2 y- I1 a15.1.1 分立式埋入技术 4 q* @% Q, o' r+ s/ K+ L3 g9 ~
15.1.2 平面式埋入技术 6 x. b1 q' M! {' h
15.2 埋入式电阻、电容的工艺和材料
, g+ y! h5 f3 P+ `# f15.2.1 埋入式电阻电容的工艺Processes ' |# W1 _& R( h# e. g" q
15.2.2 埋入式电阻、电容的材料Materials
4 Z& l" U/ _. t+ Y! k8 Y( b15.2.3 电阻材料的非线性特征
5 z* [3 L4 {: O3 r5 h15.3 电阻、电容自动综合
3 I! A& U* t/ l; [' c& a2 i15.3.1 自动综合前的准备
* h |5 v( Y" h. F6 u15.3.2 电阻自动综合
% ^% m9 e# G. y% @5 e15.3.3 电容自动综合 ; u' Y2 S- P L2 h" c4 ^3 X, }9 r
第16章 RF射频电路设计
" W+ X! u9 X: w8 Q# R. {, R( E16.1 RF SiP技术 . i. k. H& a. }; E
16.2 Mentor RF设计流程
5 q* Q) [7 R1 i( t; Y9 f5 D16.3 RF原理图设计 ! x+ S( M5 C! T* |0 }$ c5 A6 O
16.3.1 RF元器件库的配置 6 g y8 @. Z. G1 `% ~, M. H
......) ?9 R4 p, Q/ S$ Q
1 e8 J7 Z" v" H) j3 \& p5 Z |
|