i.mx6ull与DDR3校正不通过的问题

gwei_0210

各位大神有用过Freescale IMX6ULL芯片嘛，我们用的是1个DDR3芯片，就是跑不起来，哪位大神用过请指教一下啊

Aubrey

生成script前按照说明填的参数是正确的吗  本身DDR 2G改成1G DDR3的吗？是否有参考的开发板？

gwei_0210

天的参数是正确的，百分之三十的样机可以跑起来；DDR3是1G的 DDR3-1066，IMX6与DDR3之间的走线就是开发板上的复制过来的，PCB由4层变成6层的

gwei_0210

DDR Freq: 396 MHz
  B& a$ N! G  [( }& c6 [% a8 t
  [) X$ D0 _8 |0 kddr_mr1=0x00000000
Start write leveling calibration...
running Write level HW calibration
Write leveling calibration completed, update the following registers in your initialization script
    MMDC_MPWLDECTRL0 ch0 (0x021b080c) = 0x00030007
3 n& \% }! L& [8 r, Y: @( D    MMDC_MPWLDECTRL1 ch0 (0x021b0810) = 0x00080008
  g( o% Z9 F$ T' G+ h' dWrite DQS delay result:
0 x! Q3 n' y/ H- C# @% X   Write DQS0 delay: 7/256 CK
; N: E5 ^: k! a9 `2 Z   Write DQS1 delay: 3/256 CK

7 A& ]8 b, i1 ^3 Y7 i( FStarting DQS gating calibration
. HC_DEL=0x00000000     result[00]=0x00000011
; ?, c  `6 }( m  g- W+ S( U  k3 e. HC_DEL=0x00000001     result[01]=0x00000011
" U6 H6 o: N, {5 c  _& J% j6 f. HC_DEL=0x00000002     result[02]=0x00000011
2 L7 ?$ l9 V7 K8 p. HC_DEL=0x00000003     result[03]=0x00000011
; ^& }$ D1 m% L) O. q8 ^. HC_DEL=0x00000004     result[04]=0x00000011
1 |# X$ U1 D! O. HC_DEL=0x00000005     result[05]=0x00000011
$ g6 w5 A! z! r6 I$ S3 E& \. HC_DEL=0x00000006     result[06]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000007     result[07]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000008     result[08]=0x00000011
6 g7 T* V: Q4 X$ }2 M: a% L; W. HC_DEL=0x00000009     result[09]=0x00000011
+ B8 w5 U/ S' a9 c* A  Y4 \, C. HC_DEL=0x0000000A     result[0A]=0x00000011
# e) w* c7 g; q& c9 A. HC_DEL=0x0000000B     result[0B]=0x00000011
. HC_DEL=0x0000000C     result[0C]=0x00000011
8 ]  K/ j$ k! C9 X0 K1 ~* W. HC_DEL=0x0000000D    result[0D]=0x00000011
- S8 J* b2 O+ O& c+ l# C- dERROR FOUND, we can't get suitable value !!!!
5 Z9 s3 Z0 n. q4 Ldram test fails for all values.

' I) w2 Y  d/ H* V- `% W0 cError: failed during ddr calibration
( }) v, I4 x" A& i9 k" m; Q4 y

Aubrey

4层改6层DDR阻抗控制做了吗？DDR尝试把频率降低再校准下

kele1983

可以试试更改ODT设定寄存器后再进行Calibration，一般ODT可以尝试60/120ohm。

gwei_0210

kele1983 发表于 2017-8-21 10:41
可以试试更改ODT设定寄存器后再进行Calibration，一般ODT可以尝试60/120ohm。

# b/ @6 F* j% P8 Z- ]6 h试过，也不行

gwei_0210

Aubrey 发表于 2017-8-18 16:01
生成script前按照说明填的参数是正确的吗  本身DDR 2G改成1G DDR3的吗？是否有参考的开发板？

: Q' q; |! {% ]: W填的参数是正确的，百分之三十的样机可以跑起来；DDR3是1G的 DDR3-1066，IMX6与DDR3之间的走线就是开发板上的复制过来的，PCB由4层变成6层的
7 S$ O+ R7 I+ P! c

gwei_0210

DDR Freq: 396 MHz

+ e) u- J5 a. \7 o7 Q+ C% Fddr_mr1=0x00000000
" |5 l+ G9 \* J2 W: b4 qStart write leveling calibration...
running Write level HW calibration
Write leveling calibration completed, update the following registers in your initialization script
    MMDC_MPWLDECTRL0 ch0 (0x021b080c) = 0x00030007
$ s( t: a; I! o  q) \' b    MMDC_MPWLDECTRL1 ch0 (0x021b0810) = 0x00080008
; ^6 M9 T, B: z* TWrite DQS delay result:
" ~1 j2 N6 A& \& u% m. ~   Write DQS0 delay: 7/256 CK
( v5 P3 G( B( F9 e   Write DQS1 delay: 3/256 CK
2 b& ?, L3 T7 ?. Z& y
+ O. e  @3 g& ]5 {) n3 ]$ BStarting DQS gating calibration
. HC_DEL=0x00000000     result[00]=0x00000011
& N! g0 `9 L0 h" k4 W0 q. HC_DEL=0x00000001     result[01]=0x00000011
9 G1 B6 m( ~% W8 L5 F2 \3 A. HC_DEL=0x00000002     result[02]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000003     result[03]=0x00000011
+ b$ |+ X5 |- q; @% M. HC_DEL=0x00000004     result[04]=0x00000011
2 L' H# q& }% R3 U* T5 M2 C. HC_DEL=0x00000005     result[05]=0x00000011
. L, y. g. O% Q6 U3 ^( j. HC_DEL=0x00000006     result[06]=0x00000011
5 t/ W/ a) n0 D$ s. HC_DEL=0x00000007     result[07]=0x00000011
& c& o0 \% Q) v6 A/ v, b. HC_DEL=0x00000008     result[08]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000009     result[09]=0x00000011
7 F  ]3 k* |3 n( _7 a. HC_DEL=0x0000000A     result[0A]=0x00000011
. HC_DEL=0x0000000B     result[0B]=0x00000011
. HC_DEL=0x0000000C     result[0C]=0x00000011
. HC_DEL=0x0000000D    result[0D]=0x00000011
ERROR FOUND, we can't get suitable value !!!!
( g. K- U' P: B' fdram test fails for all values.

4 ?" t2 i- |2 s% }4 N( K9 zError: failed during ddr calibration
7 z! Y' L; p! N2 Q& }6 W5 u' H; d

kele1983

gwei_0210 发表于 2017-8-21 13:10
试过，也不行

* E  Y- ~6 M" R6 H+ b% v我遇到过一次是把ODT从60改到120ohm就能做校正了。当然你也可以更改芯片驱动能力试一下。
' i$ y% W( r$ o" q! x( S& Y5 V还遇到过一次板子不稳定，有时能启动，有时不能启，是因为DDR容量比原来翻倍之后，没有更改内存刷新时间，自刷新时间太短造成的不稳定。
我觉得还是内存参数哪一块没有配置正确，你可以参考一下。
- A( ]+ D6 R# U
6 K: A2 Q1 N; Z8 W  I2 q

超級狗

挨打沒死六討論版有一個跟你有同樣問題的人，有人做如下的建議。

% ^/ [2 o7 L4 g5 Yhttps://community.nxp.com/thread/365106
8 y/ m" i* k* ^! G9 Y8 C1 z  f

) y& ?5 v- }& I5 V8 g

• Verify the PCB design using "MX6 DRAM Bus Length Check" sheet in "HW Design Checking List for i.Mx6DQSDL Rev2.7.xlsx"
  https://community.freescale.com/docs/DOC-93819
• Try using different drive strength for DRAM signals for both  i.MX6 and DRAM part.
• Try different DDR_SEL options  (11 or 10).
  10 : LPDDR2
  ) Y) r5 W0 j; _" ?" B6 |11 : DDR3
  

9 G! H- x2 v  \+ K7 t7 p
1 N) c" B/ `$ K5 h. @8 Z  A

超級狗

3 ^4 t! W  M+ E1 C

gwei_0210 发表于 2017-8-21 13:10
填的参数是正确的，百分之三十的样机可以跑起来；DDR3是1G的 DDR3-1066，IMX6与DDR3之间的走线就是开发板 ...

走線不變、但層數變了，銅皮夾層的厚度也會跟著改變，阻抗有可能會受到影響。
. I# l% }3 H- b& L! t$ H' K
如 10 樓所言，可以嘗試調整驅動能力（Driving Strength）看看。
/ \& C" p# j8 T. X
$ F. a. z6 I( X/ V! H

duzz

狗版主，这么翻译飞卡要气死

gwei_0210

已经解决了。原来焊接的芯片是从市场买的；我们从新焊接了新的1Gb的ddr3，就可以通过校正了

zxk

路过，学习一下 mark