i.mx6ull与DDR3校正不通过的问题

gwei_0210

各位大神有用过Freescale IMX6ULL芯片嘛，我们用的是1个DDR3芯片，就是跑不起来，哪位大神用过请指教一下啊

Aubrey

生成script前按照说明填的参数是正确的吗  本身DDR 2G改成1G DDR3的吗？是否有参考的开发板？

gwei_0210

天的参数是正确的，百分之三十的样机可以跑起来；DDR3是1G的 DDR3-1066，IMX6与DDR3之间的走线就是开发板上的复制过来的，PCB由4层变成6层的

gwei_0210

DDR Freq: 396 MHz
5 l8 V  g8 V1 R  X; g3 h. z. C3 g
/ _/ t& |, C8 N& u( T/ }, Sddr_mr1=0x00000000
Start write leveling calibration...
! z+ b) y* B- O% a, {3 `; s, `8 }running Write level HW calibration
Write leveling calibration completed, update the following registers in your initialization script
    MMDC_MPWLDECTRL0 ch0 (0x021b080c) = 0x00030007
( a3 Y- E- w! W' w( |" {    MMDC_MPWLDECTRL1 ch0 (0x021b0810) = 0x00080008
Write DQS delay result:
   Write DQS0 delay: 7/256 CK
   Write DQS1 delay: 3/256 CK

Starting DQS gating calibration
) c8 j) ]5 U- d% p8 S9 w. HC_DEL=0x00000000     result[00]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000001     result[01]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000002     result[02]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000003     result[03]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000004     result[04]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000005     result[05]=0x00000011
+ K8 D) `8 {* ~6 b7 a. HC_DEL=0x00000006     result[06]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000007     result[07]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000008     result[08]=0x00000011
% g* l7 C1 z6 J; ?. o# G( f. HC_DEL=0x00000009     result[09]=0x00000011
. HC_DEL=0x0000000A     result[0A]=0x00000011
. HC_DEL=0x0000000B     result[0B]=0x00000011
. HC_DEL=0x0000000C     result[0C]=0x00000011
. HC_DEL=0x0000000D    result[0D]=0x00000011
% G- ^% R7 c" d9 Y% m" p( wERROR FOUND, we can't get suitable value !!!!
dram test fails for all values.
: X) n" u9 T# J# U' L3 g6 R
3 K4 m) x( n" `7 i1 t' d. EError: failed during ddr calibration

& A0 @$ l( y1 D1 ]) e) Q

Aubrey

4层改6层DDR阻抗控制做了吗？DDR尝试把频率降低再校准下

kele1983

可以试试更改ODT设定寄存器后再进行Calibration，一般ODT可以尝试60/120ohm。

gwei_0210

kele1983 发表于 2017-8-21 10:41
可以试试更改ODT设定寄存器后再进行Calibration，一般ODT可以尝试60/120ohm。

试过，也不行

gwei_0210

Aubrey 发表于 2017-8-18 16:01
生成script前按照说明填的参数是正确的吗  本身DDR 2G改成1G DDR3的吗？是否有参考的开发板？

填的参数是正确的，百分之三十的样机可以跑起来；DDR3是1G的 DDR3-1066，IMX6与DDR3之间的走线就是开发板上的复制过来的，PCB由4层变成6层的

gwei_0210

DDR Freq: 396 MHz

ddr_mr1=0x00000000
Start write leveling calibration...
" @" E' R' X( c1 Jrunning Write level HW calibration
$ y5 q$ ?" i/ R7 NWrite leveling calibration completed, update the following registers in your initialization script
9 T+ ]$ L. u* D" J+ a1 Y    MMDC_MPWLDECTRL0 ch0 (0x021b080c) = 0x00030007
    MMDC_MPWLDECTRL1 ch0 (0x021b0810) = 0x00080008
6 J: _! g- t+ S& f! Z5 ~8 G& Z) fWrite DQS delay result:
; ]( X, i- E7 e( p2 |0 `   Write DQS0 delay: 7/256 CK
# _  w# l! s# o2 f; i" x" x   Write DQS1 delay: 3/256 CK

Starting DQS gating calibration
. HC_DEL=0x00000000     result[00]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000001     result[01]=0x00000011
$ h  S" {' E7 z* Q2 @. O. HC_DEL=0x00000002     result[02]=0x00000011
3 W3 Y4 _, k  a2 [; z3 \& n. HC_DEL=0x00000003     result[03]=0x00000011
  c+ v2 |6 ?. B  `3 B' }% T. HC_DEL=0x00000004     result[04]=0x00000011
5 n. R: n+ }% U. HC_DEL=0x00000005     result[05]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000006     result[06]=0x00000011
9 L8 f2 u; Z6 n" J! y* ^1 y. HC_DEL=0x00000007     result[07]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000008     result[08]=0x00000011
. HC_DEL=0x00000009     result[09]=0x00000011
: g" z4 l4 V; p: D! n! x. HC_DEL=0x0000000A     result[0A]=0x00000011
% t9 N: g9 {- T) c. HC_DEL=0x0000000B     result[0B]=0x00000011
3 h0 r6 e6 [% x; S2 t. HC_DEL=0x0000000C     result[0C]=0x00000011
. HC_DEL=0x0000000D    result[0D]=0x00000011
ERROR FOUND, we can't get suitable value !!!!
dram test fails for all values.
; A' z/ B* J8 I8 c5 ~
Error: failed during ddr calibration

kele1983

gwei_0210 发表于 2017-8-21 13:10
试过，也不行

我遇到过一次是把ODT从60改到120ohm就能做校正了。当然你也可以更改芯片驱动能力试一下。
7 b# [+ e( K# }$ P& g5 p# q还遇到过一次板子不稳定，有时能启动，有时不能启，是因为DDR容量比原来翻倍之后，没有更改内存刷新时间，自刷新时间太短造成的不稳定。
我觉得还是内存参数哪一块没有配置正确，你可以参考一下。
' b1 q- O' f3 N  r

超級狗

挨打沒死六討論版有一個跟你有同樣問題的人，有人做如下的建議。
$ E. y. |' l) R+ ^
https://community.nxp.com/thread/365106
0 p+ I( n8 Z$ z- I2 G1 s! N

) @( M4 G6 r+ Z2 z

• Verify the PCB design using "MX6 DRAM Bus Length Check" sheet in "HW Design Checking List for i.Mx6DQSDL Rev2.7.xlsx"
  https://community.freescale.com/docs/DOC-93819
• Try using different drive strength for DRAM signals for both  i.MX6 and DRAM part.
• Try different DDR_SEL options  (11 or 10).
  10 : LPDDR2
  11 : DDR3
  2 _% ?, D* G* R' g: w

6 K! T6 X! o4 n' e9 g4 P
* J  g0 w8 M  V# d- g

超級狗

; a$ I; Z' e% m1 f

gwei_0210 发表于 2017-8-21 13:10
填的参数是正确的，百分之三十的样机可以跑起来；DDR3是1G的 DDR3-1066，IMX6与DDR3之间的走线就是开发板 ...

走線不變、但層數變了，銅皮夾層的厚度也會跟著改變，阻抗有可能會受到影響。
. k% i, @) O; d+ S) w2 ^- W( P+ q1 @
, q& e: a; g/ M8 T: r9 I如 10 樓所言，可以嘗試調整驅動能力（Driving Strength）看看。
7 \9 \; j( z% L" L

duzz

狗版主，这么翻译飞卡要气死

gwei_0210

已经解决了。原来焊接的芯片是从市场买的；我们从新焊接了新的1Gb的ddr3，就可以通过校正了

zxk

路过，学习一下 mark