CN3762充电时烧毁MOS管

c001

8 n; W! U, m3 ?! y

  }+ v8 ]( z- W. `如图所示，充电电流250mA左右，在充电过程中，MOS管Q5容易出现被击穿的现象（DS出现短路），请教一下是什么原因导致的？
0 ?( }6 q& z7 B  C
该现象不是必现，有的板子正常，有的板子在运行一两天后就很容易出现

c001

kings9527110 发表于 2017-8-7 11:58
1  拆掉Q5 上电24V测量DRV幅值是否是16~17V
4 h/ X: k) `2 N' y" Q2  拆掉D16 然后在该处串电流表测电流

1. 拆掉后DRV确实是16~17V
2. 不拆掉D16，测RCS两端电压为120mV，说明电流为250mA左右

c001

fyangp 发表于 2017-8-31 10:50
VDS只有30V，而L26会产生负压，所以可能会损坏Q5，你选择一个VDS更大的测试一下

谢谢！
/ I' P  g* E6 k# W: p问题找到了，把电阻R170换成0R，并把充电电流降低到原来的一半，就可以了...，主要是以前mos管发热太大了
7 p, q9 B1 p  _' S+ q

kings9527110

c001 发表于 2017-8-7 16:04
1. 拆掉后DRV确实是16~17V
7 C$ R" x- {) b; z2. 不拆掉D16，测RCS两端电压为120mV，说明电流为250mA左右

, U' x9 J. x+ E8 w; r数据看起来都是正常的，你这个应该是个buck电路，我记得buck电路没有D16，或者D16可以放在C164之后使用。

渔樵江渚2015

表示不懂，但是这份资料或许有些用处，希望能帮到你。

lfc1203

你的MOS选型不好Rds太大  你看一下mos的SOA区  如下图

c001

lfc1203 发表于 2017-8-1 20:58
/ f0 L" x7 G! _. L! m/ f你的MOS选型不好Rds太大  你看一下mos的SOA区  如下图

, C# t# h, ~. m% t1 c' v看不懂，这个是什么意思？

c001

lfc1203 发表于 2017-8-1 20:58
# f' @$ U; S2 V! C6 u你的MOS选型不好Rds太大  你看一下mos的SOA区  如下图

换了FDC658AP，Rds=44mR，同样会烧
: h1 W- s+ B% T+ i

alias

VGS的值超过限了

c001

alias 发表于 2017-8-2 15:30
2 |# C  M+ \# N, l: UVGS的值超过限了

$ z. u& k7 v3 f& d  |  dCN3762手册里说，G极电压会被钳为在VIN-7V左右，所以VGS不会超过20V

lfc1203

c001 发表于 2017-8-2 09:50
% x& m2 }2 c3 O+ y- M$ h4 J( [换了FDC658AP，Rds=44mR，同样会烧

7 M# [; _* R% Y& N3 K% D1 s你测量一下，Vds正常工作的电压，对应SOA区，在VDS多大电压时同多大电流的时间，如果那个时间短，就会烧坏MOS

c001

充电时，由外接电源给负载供电，此时电池只充电，不供电
1 l( C& a2 A0 V" {7 }

c001

lfc1203 发表于 2017-8-2 21:54
( D; c0 Z9 _+ V- O$ U你测量一下，Vds正常工作的电压，对应SOA区，在VDS多大电压时同多大电流的时间，如果那个时间短，就会烧 ...

充电时，Vd=22V，Vs为锯齿波，最大为8V

kings9527110

你的MOS管G极串的1K电阻是干嘛用的？为什么要串这么大？你把它换成50欧或者短路试试

c001

kings9527110 发表于 2017-8-7 11:11
你的MOS管G极串的1K电阻是干嘛用的？为什么要串这么大？你把它换成50欧或者短路试试

3 J- R7 q8 t3 G: \换成0欧也一样会烧
( j- G  q, |: v

kings9527110

c001 发表于 2017-8-7 11:28
' X, L# y5 B, p/ a) v换成0欧也一样会烧

1  拆掉Q5 上电24V测量DRV幅值是否是16~17V
) k/ {5 o9 G  j2  拆掉D16 然后在该处串电流表测电流
8 ~; T" T+ O9 _' G
" Q. G1 X( t- L+ c