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主芯片推荐的过孔为：内径最小8mil 外径16mil 走线最小为5mil1 CLKP与CLKN为一组差分线，差分线传输线阻抗为100欧姆(并且要立体包地处理)
2 i) u! A; d* t# f采用T型的拓扑结构，在支点处接50欧姆的上拉电阻
3 f+ H/ R2 Q4 U5 d0 W# }保证分支线最短，至少小于主干线的1/2长度; | }( j5 Z8 F0 L; M. H
CLKP与CLKN要严格等长，偏差范围为50mil, 长度不可以超过4000mil# \0 |/ N& I, m. `/ `" @' I" H6 s
2 DQS(Data Strobe Signal 数据选通信号)，DQSP与DQSN为差分等长线，
; X$ S* Q# I' p5 w严格等长控制在50mil之内，以CLK为参考，允许的走线偏差范围在500mil.
" C9 |, ?( b: m+ R: L6 hDQS差分阻抗要控制在100欧姆- f4 e2 K6 ?0 R
3 DQ(0:7)走线以DQS0为标准，允许的走线偏差范围在50mil.5 G7 f( z) I7 |4 l4 ~. U
DQ(8:15)走线以DQS1为标准，允许的走线偏差范围在50mil.
# u) S/ O2 ~+ f3 E DQ16:23)走线以DQS2为标准，允许的走线偏差范围在50mil.
" ]) `# v( T) l( C# q. W DQ(24:31)走线以DQS3为标准，允许的走线偏差范围在50mil.5 ]8 y) k; J. I3 m( O, }
4 DM0走线以DQS0为标准，允许的走线偏差范围在50mil.
d+ b) |2 b" D! O* _+ l DM1走线以DQS1为标准，允许的走线偏差范围在50mil.# _ ?) V5 j3 ~% t
DM2走线以DQS2为标准，允许的走线偏差范围在50mil.
" S1 u, b8 k7 S" n# w5 ADDR(0：14)以CLK为标准，允许的走线偏差范围在100mil." O9 R+ U8 j1 q
6 控制信号线BA(0:2).DM,CKE,CSN,WEN,CASN,RASN,ODT以CLK为标准，允许的走线偏 5 O$ Z* Z+ o* g% ~8 e, y5 T
差范围在100mil.
2 v6 x( X5 B# K; N$ h5 P阻抗控制50欧姆，单端串联接33R
) p1 A/ S4 V8 z- O$ y+ Y5 ]7 ~7 ]请问各位大神，是DDR3的阻抗线是否要求制版厂控制阻抗，还有DDR3仿真用的是什么软件？/ U+ D) H# b7 b' C, m9 y
, L ~5 W6 u3 a$ ~2 |
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发表于 2016-5-24 14:19
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