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sigrity DDR仿真的 rise time

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发表于 2015-6-12 11:02 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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DDR 仿真中 analysis options 中 rise time 需要自己设吗?设了这个好像没有用
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发表于 2015-6-14 10:55 | 只看该作者
嗜血大能猫 发表于 2015-6-14 10:08
, H6 r9 X- l: H- p回版主,损耗小是整体损耗小,所以觉得是自己没设置好。在提取S参数之前只设置了叠层,电源和port(负极选 ...
" y( i" m/ ^9 E
楼主,你这样讲,设置应该是没有问题的。因为你没有说长度是否一样,我可以问我是不死你的长度不一样呢?按理说同一块板子,如果长度一样,其损耗不应该有via的会比没有via的整体偏小。是不是会有很多谐振点呢?能否把spd文件发出来看看。值得怀疑这个结果。

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 楼主| 发表于 2015-6-14 15:50 | 只看该作者
菩提老树 发表于 2015-6-14 10:55
0 H" A# u6 W( @9 O( V0 }5 U楼主,你这样讲,设置应该是没有问题的。因为你没有说长度是否一样,我可以问我是不死你的长度不一样呢? ...
+ C1 ^7 y( |! X# ?
好的。请版主帮忙看下DQ7的损耗明显比dq12和DQ14小。按理说DQ7应该跟DQ4的损耗差不多的。他们都是2个过孔,等长也相差不大。
1 g8 G- U9 y7 j3 h3 ]/ U# r

S参数.png (152.02 KB, 下载次数: 0)

S参数.png

DQ4DQ7DQ12DQ14.rar

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发表于 2015-6-14 10:51 | 只看该作者
ann_wz 发表于 2015-6-13 11:16
( Y6 e; e' Z  H6 W9 \敢问菩提老祖,过孔在powersi里面怎么设置模型,我如果提取pcb的s参数,是否需要设置,怎么样设置呢,,; F/ f% ~& k" _; m4 F8 N: n3 u3 h
...

3 B  p5 n. [" L. G1 @. ]0 j( pvia主要是由PCB转化的时候得到的参数,在PowerSI中主要是设置您的plating。具体设置在上面的帖子中已经有,可以参考。

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发表于 2015-6-12 15:38 | 只看该作者
这个需要自己设置,自己算出DDR的Rise time

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ddr的rise time 也是 10-90时钟周期 T 吗,,还是会更小一点,应该怎么样算呢,,,菩提老祖,,  详情 回复 发表于 2015-6-13 11:17

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 楼主| 发表于 2015-6-12 16:26 | 只看该作者
好的。谢谢版主。我把rise time 设成300ps后再仿真为什么波形rise time没有改变?还有我同样抽取了2根数据线,1根有2个过孔,1根没有过孔,反而是有过孔的线S21 DB更小(在800HZ时有过孔的-0.16DB,没有过孔的-0.34DB),是不是还要设置过孔的模型?# s0 K; t8 {4 D3 t  M+ J& f

# o& l# b( m. e& s3 Y- V

点评

via model 也是要设置的。至于损耗小,是整段小,还是800MHz的频点小呢?  详情 回复 发表于 2015-6-12 21:47

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发表于 2015-6-12 19:08 | 只看该作者
是用speed2000?
$ E" }8 T  k9 y% U6 X) n# ^

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发表于 2015-6-12 21:47 | 只看该作者
嗜血大能猫 发表于 2015-6-12 16:26
3 d# r8 t8 t8 Q7 Y5 z9 F好的。谢谢版主。我把rise time 设成300ps后再仿真为什么波形rise time没有改变?还有我同样抽取了2根数据 ...

. k9 G0 q: }) K4 ?! w& M. fvia model 也是要设置的。至于损耗小,是整段小,还是800MHz的频点小呢?

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发表于 2015-6-13 11:16 | 只看该作者
菩提老树 发表于 2015-6-12 21:47/ G4 m, `+ a# s1 R0 Y, c* h2 F5 ]
via model 也是要设置的。至于损耗小,是整段小,还是800MHz的频点小呢?
5 a! D! n; W$ ^0 t6 E
敢问菩提老祖,过孔在powersi里面怎么设置模型,我如果提取pcb的s参数,是否需要设置,怎么样设置呢,,
. x( M) y1 J+ b3 `# ~$ F% H! H

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发表于 2015-6-13 11:17 | 只看该作者
菩提老树 发表于 2015-6-12 15:385 Z0 T/ N+ C1 X3 V% n
这个需要自己设置,自己算出DDR的Rise time
2 K8 E- B- C$ O: g  Z, u1 _
ddr的rise time 也是 10-90时钟周期 T 吗,,还是会更小一点,应该怎么样算呢,,,菩提老祖,,: y- o* s# j2 g) \0 k# _+ N/ ]

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 楼主| 发表于 2015-6-14 10:08 | 只看该作者
回版主,损耗小是整体损耗小,所以觉得是自己没设置好。在提取S参数之前只设置了叠层,电源和port(负极选了离正极最近的GNDpin如图),至于过孔模型如图只设置了outer coating material 种类 。

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无标题.png

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 楼主| 发表于 2015-6-14 10:22 | 只看该作者
仿真波形的rise time 多少是由IBIS模型决定的吧?仿出的波形上升沿比较抖,请问软件中可以调节吗?

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发表于 2015-6-14 10:52 | 只看该作者
嗜血大能猫 发表于 2015-6-14 10:223 S$ e" i/ ?$ P# v  @
仿真波形的rise time 多少是由IBIS模型决定的吧?仿出的波形上升沿比较抖,请问软件中可以调节吗?

; P7 |  f) p8 c不仅由IBIS决定,还取决于你的仿真速率和trace长短,via数量等等。

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 楼主| 发表于 2015-6-14 15:51 | 只看该作者
菩提老树 发表于 2015-6-14 10:55
4 L+ O! P; {! z4 H3 L7 q楼主,你这样讲,设置应该是没有问题的。因为你没有说长度是否一样,我可以问我是不死你的长度不一样呢? ...

: P8 J- G- |: b2 F- ~版主大大,https://www.eda365.com/thread-109884-1-1.html这个问题也帮忙回个呗。$ {  e1 C2 Z) R3 f, v" Y

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 楼主| 发表于 2015-6-15 16:05 | 只看该作者
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