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分感性和容性
: i# ~3 ]4 j: {* ZCm/Cg+Cm
' N( Z+ i ]. s: t9 f3 m! {' d$ DLm/Lg
+ X% `1 k+ O5 L' y& ~Cm,Lm 为互容互感3 x% J' @# C% |3 a
Lg,Cg为自感自容
6 V% W/ k2 d' E- o0 T, j4 v
: U% o' ]/ e5 d+ X( @1 W/ YLm=v*dt/di
1 c" q8 M1 I6 U# L- I2 WCm=i*dt/dv/ A' N2 M4 v! ^/ _7 b
" K; ?: y K' C* X D. \) J
你这里给出的条件不充分，还要介质厚度。
& ]! ^: h x6 T& [& M0 A$ T8 @4 Z2 iX与介质厚度决定Lg,Cg# I( H7 V0 {) ^, ^& t6 p+ \( Z
Y决定Lm,Cm! j2 c' Q; O0 {1 ?
其中Lm=miu*线积分(dL1*dL2/R)/4*pi
2 d" z% P4 r+ K5 Q0 _5 T+ i8 W/ \R为磁回路半径，这里近似为介质厚度。L1,L2为两个回路的长度。
4 l( ~$ g* Z4 T- _& m% I! |2 R& UCm的话，很好求,Cm=effective epsilon*A/d
+ r$ N3 w1 T, T" }" LA为耦合面积，d为距离。
4 j, l5 r4 ~0 }$ x9 \# V还有，端口不同，体现出来的奇偶模特性不同，因此Lm,Cm将对不同端口，不同形式电压造成不同的耦合影响。9 l3 B' O" v- K0 h" O7 J
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发表于 2015-4-19 19:56
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发表于 2015-4-20 09:03
