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DDR3详解....各种技术参数

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发表于 2015-3-12 11:46 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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打算发个DDR3详解....各种技术参数,看看有没有人顶。

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给力  发表于 2015-4-22 11:12
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  发表于 2015-4-5 09:21
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此贴必火  发表于 2015-3-12 17:04

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 楼主| 发表于 2015-4-8 14:47 | 只看该作者
DDR3 timing simulation report20140210.pdf (1.11 MB, 下载次数: 210)   ?0 c+ Z; u3 }" H! d/ R
& }9 L( A) C8 r3 s8 e2 f" F- Z6 J
下载请点赞。。$ q, {4 w2 J' \2 @* s. n5 _2 l0 T

7 H- g6 w4 `' n& m不懂可以问。, n# w4 n2 ?; ^! _& y+ Z% U2 f
. X- L( @" f- C0 H" I6 e: j) |2 h* {

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赞,timing report是学习最快的,可以很快的清楚应该抓那个点,对应那个参数。  发表于 2015-4-8 17:20

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 楼主| 发表于 2015-4-8 14:46 | 只看该作者

9 |: P/ t3 |  v/ C/ @3 c. N* k! x/ h# @, \6 r, w; N3 S
精心准备的实例来啦。。。按需求下载!!!  B6 `4 M0 ]% \2 d: A( ?

( B% v7 A: D) q- f6 U

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发表于 2015-3-19 16:25 | 只看该作者
shark4685 发表于 2015-3-19 13:35! [' }# j. x- g; @
你上来就点穴,这是关键点,一句二句解释的清楚么,你这是要累死我啊。
0 V9 V! J) I% n' ~4 H& U4 J要不你先来一把。悬赏50分。 ...

5 |+ E; n# K/ Z. x; E! s/ A% n这是我没搞清楚的地方   
0 g) ?0 F3 i9 W3 A

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我想扣分。。。。。。。。。。。。。  详情 回复 发表于 2015-3-19 16:53

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发表于 2015-3-19 13:29 | 只看该作者
shark4685 发表于 2015-3-14 15:49) c7 u7 D1 {  |* A1 F( }5 a1 U
DDR3的突发长度(Burst Length,BL)8 b* s; Q: ^& F& O! j. @9 C2 M3 F
- D; Y( g$ F( J
由于DDR3的预取为8bit,所以突发传输周期(Burst Length,BL)也固 ...
% H1 i3 ~9 c% Q& x) G
请教版主,突发长度是什么作用呢?0 ^, ?1 Q& t2 T& r
能否讲解一下DDR上电初始化的过程9 b9 c2 G( C) F! R" l6 S

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你上来就点穴,这是关键点,一句二句解释的清楚么,你这是要累死我啊。 要不你先来一把。悬赏50分。  详情 回复 发表于 2015-3-19 13:35

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 楼主| 发表于 2015-3-16 14:35 | 只看该作者
本帖最后由 shark4685 于 2015-3-16 14:38 编辑
+ O( f% Z5 K2 g8 i4 Q( Q1 Y8 a5 p- j/ K; j! B, m
新增的重置(Reset)功能-------响应号召,低碳环保。
* c+ j; f: D% b9 }. J9 X6 s% f# O

7 g. \& @6 m3 i( s, ~6 \# [7 q重置是DDR3新增的一项重要功能,并为此专门准备了一个引脚。
0 f# |! `$ m/ QDRAM业界很早以前就要求增加这一功能,现在才终于在DDR3上实现了。
/ P: h# R! g. b  E这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。) P) P( P, y& o9 l. m6 |' ^) |
当Reset命令有效时,DDR3内存将停止所有操作,并切换至最少量活动状态,以节约电力。% F6 E: H$ F( B+ v, O, i1 V$ B

7 g; n9 R( `& X3 a在Reset期间,DDR3内存将关闭内在的大部分功能,所有数据接收与发送器都将关闭,3 Q  ~! w9 A- N. _4 u
所有内部的程序装置将复位,DLL(延迟锁相环路)与时钟电路将停止工作,
* ^" r3 c2 @! V4 O  \而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来,将使DDR3达到最节省电力的目的。
2 V$ d; V7 @5 w) ~5 p* O
' S2 m, j- j8 j: G. X/ U

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 楼主| 发表于 2015-3-12 15:32 | 只看该作者
2.数据锁存(Strobe)类型8 G7 k3 _; h2 C0 p4 y
/ z4 }6 W) n+ O$ g' h: y
DDR3 DQS (DQ Strobe) 只有差分
4 e0 ~( {* o1 z+ sDDR1 strobes 为单端信号# f$ d7 O) U5 i4 T* Y' K2 w
DDR2 strobes 有单端,也有差分' w: v- G. S7 {
单端信号会增加额外的Derating
2 h! M0 K. n  E) a" o) A: h差分strobe的好处抑制共模信号,抗干扰,有更高的电压裕量8 i% C" A3 B) p5 L
减小了因上升下降沿不对称引起的占空比抖动,改善时序
/ f6 W* {3 d- q% l8 |) q2 Z, Q+ y2 m9 w6 D& r

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strobes其实是伪差分  发表于 2015-3-16 14:13
大神加油,我坐板凳来学习!  详情 回复 发表于 2015-3-12 16:04

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发表于 2015-3-12 14:56 | 只看该作者
昨天在科学园的课程很精彩,顶一个

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大哥,不要这样啊,搞的俺一点安全感都木有了,现在在科技园走路都要低着头。。。。  发表于 2015-3-12 15:11

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 楼主| 发表于 2015-3-12 11:46 | 只看该作者
有人加分么?

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发表于 2015-3-12 13:28 | 只看该作者
很好,最好弄点案例

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 楼主| 发表于 2015-3-12 15:14 | 只看该作者
1.先来看看DDR2和DDR3的不同点2 n% Z( x9 Z/ T" c; |4 ]
数据传输速率
$ z/ f# k3 ^. _( u6 T% d: S* Z* ?DDR2 400Mb/s – 800+Mb/s
) ?6 Y) w% x" g: C, ZDDR3 800Mb/s – 1600+Mb/s* J8 x$ `9 r) p, v

9 \, I3 e! o( f6 i+ Q电平 $ u3 G1 ?& y8 I
DDR2 1.8V (对低功耗有1.5V)
5 A! t, k% Q. L5 @7 xDDR3 1.5V (对低功耗有1.35V)
! P% T0 N7 b' [( v
! f* ?8 S+ A) |驱动阻抗
  O; W" [1 b) L. D" R- S. I4 MDDR2 18Ω & 34Ω+ c8 k3 E" C9 G) w4 s
DDR3 34Ω & 40Ω(可能会有48Ω)
8 i2 v) R' D  F! R' W
5 K8 E! C: H" G6 J2 M' O% B2 h-------------------------------------------------不懂可以问,有问题希望指正,免得误导了网友,在路上更没安全感了。1 G" R' w' s' W

: h/ U; o& }1 g% d

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  发表于 2015-4-5 09:22
驱动阻抗和ODT, 其实芯片里面超过3种,大概有十几种可调,IBIS为了简化,一般只给出3种给SI人员使用。 当然这3种也是最常用的。具体取哪种,需要仿真分析下。  发表于 2015-3-31 09:59
应该是频率,不是速率。 DDR3速率目前最高可以超频到3.2GT/s  详情 回复 发表于 2015-3-12 15:27

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发表于 2015-3-12 15:27 | 只看该作者
shark4685 发表于 2015-3-12 15:14% N. `; Y6 A8 w
1.先来看看DDR2和DDR3的不同点
3 }0 v- b' H' ~1 c2 Q) R/ W6 D数据传输速率
: e. Y% [* P2 h6 bDDR2 400Mb/s – 800+Mb/s
8 y) x. ]/ i" M7 I) `
应该是频率,不是速率。2 h6 `1 a! q. w4 G3 K+ R8 _/ q
DDR3速率目前最高可以超频到3.2GT/s
6 A1 E* k1 g% u# D3 f) d2 j, P+ {7 ~9 g0 O6 ^7 \/ l

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后面有“+”,是速率,MTS 和Mps是一个意思。  发表于 2015-3-12 15:29
新年伊始,稳中求胜

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发表于 2015-3-12 16:04 | 只看该作者
shark4685 发表于 2015-3-12 15:328 Q8 P3 l) P# \5 _* \- \0 U
2.数据锁存(Strobe)类型7 N6 E/ \# o8 l4 R/ j/ Z7 f
" v6 f, \7 ]" Q. j0 q
DDR3 DQS (DQ Strobe) 只有差分

7 S1 J* w( s# L& q  O- u大神加油,我坐板凳来学习!
; t& R3 e3 i1 M7 E- N- W! Z
IC封装设计

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 楼主| 发表于 2015-3-12 16:12 | 只看该作者
DDR3的驱动能力6 f4 ]' K9 q- |4 o
DDR3 驱动有34欧姆和40欧姆,34欧姆驱动能力强点,一般用来驱动于2根插槽的系统,& l) L6 R% J: `: N* ?3 r8 U
对点到点的拓扑,40欧姆比较合适$ v3 s9 T/ k# @2 @1 n# U* H# S+ {
DDR3 使用ZQ进行驱动校验,上电512个周期内自动调整ODT的阻值,使公差更小. M) ?* g2 R) m9 x8 d1 i, L

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发表于 2015-3-12 16:17 | 只看该作者
学习中,DDR4有没有,

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版主加油啊,持续关注学习ing

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发表于 2015-3-12 16:41 | 只看该作者
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发表于 2015-3-12 17:25 | 只看该作者
继续啊。。。不断关注中。

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顶顶顶!

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